技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種芯片嵌入硅基式扇出型封裝結(jié)構(gòu)，包括硅基體，硅基體具有第一表面和第二表面，硅基體的第一表面上形成有至少一向第二表面延伸的凹槽A，凹槽A內(nèi)設(shè)有至少一顆焊盤(pán)面向上的芯片，且芯片的焊盤(pán)面高出硅基體第一表面一段距離，第一表面上鋪設(shè)有暴露凹槽A及芯片的厚膠層，厚膠層的厚度與凹槽A的深度之和接近或等于芯片的厚度，芯片的焊盤(pán)的電性通過(guò)金屬布線層扇出至厚膠層上方。本實(shí)用新型通過(guò)在硅基體表面引入厚膠層，該厚膠層與硅基體一起作為芯片扇出的載體，降低了芯片埋入硅基體時(shí)對(duì)凹槽刻蝕深度和凹槽底部刻蝕均勻性的要求，達(dá)到了節(jié)省硅基體上刻蝕工藝時(shí)間，降低刻蝕和封裝成本，減小翹曲度的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：于大全;鄒益朝;黃真瑞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華天科技（昆山）電子有限公司
文檔號(hào)碼：201720224498
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.09
技術(shù)公布日：2017.10.13