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識別裝置的制作方法

文檔序號:11377927閱讀:268來源:國知局
識別裝置的制造方法

本實(shí)用新型涉及生物識別領(lǐng)域,尤其涉及生物特征識別裝置的結(jié)構(gòu)與制作方法。



背景技術(shù):

目前生物識別技術(shù)主要是通過光學(xué)、聲學(xué)或者其他方式轉(zhuǎn)換成電性信號的方式來實(shí)現(xiàn),利用人體固有的生理特性(如指紋、臉象、虹膜等)和行為特征(如筆跡、聲音、步態(tài)等)來進(jìn)行個人身份的鑒定。

以現(xiàn)有的指紋識別模組為例,一般是采用蓋板、芯片、柔性基板和不銹鋼補(bǔ)強(qiáng)片的組合。由于芯片的制作方式是獨(dú)立于蓋板以及其他組件,所以該芯片的厚度不允許太薄,以確保高良率的制作工藝來生產(chǎn)。另外因?yàn)橥瑫r采用了柔性基板,所以在考慮到整體模組的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度以及后續(xù)可靠性因素,絕大多數(shù)的模組供應(yīng)商都在柔性基板下方設(shè)置一片不銹鋼補(bǔ)強(qiáng)片。如申請?zhí)?01410353937.7的專利申請所示,其主要模組部件包括不銹鋼補(bǔ)強(qiáng)片。

通過以上分析可知,目前的識別裝置基本存在著厚度偏厚的問題,同時由于芯片的厚度不能再薄,所以較厚芯片制作通孔的成本也較高,導(dǎo)致整個模組價格偏高。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,提供一種識別裝置,以及該識別裝置的制作方法,能夠?qū)崿F(xiàn)識別模組中芯片更加減薄,在不增加不銹鋼補(bǔ)強(qiáng)片的情況下實(shí)現(xiàn)超薄厚度以及高可靠性的識別模組封裝,解決現(xiàn)有的模組結(jié)構(gòu)較厚以及成本較高的問題。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:

一種識別裝置,包括硅體芯片、蓋板、柔性基板以及硅體芯片與柔性基板之間的結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件;

硅體芯片的第一表面與蓋板粘結(jié);硅體芯片的第二表面制作有布線層;

硅體芯片上設(shè)有第一通孔,第一通孔內(nèi)設(shè)有導(dǎo)電金屬,導(dǎo)電金屬連接硅體芯片的第一表面焊盤和第二表面布線層;

硅體芯片第二表面的布線層設(shè)置焊點(diǎn),柔性基板通過焊點(diǎn)連接第二表面布線層;

硅體芯片和柔性基板之間的夾層設(shè)置結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件,結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件上設(shè)有供焊點(diǎn)穿過的第二通孔;所述焊點(diǎn)的厚度大于結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件的厚度。

進(jìn)一步地,硅體芯片的主要作用是生物特征識別。

進(jìn)一步地,所述硅體芯片的第一表面與蓋板2之間的夾層設(shè)置第一粘結(jié)層5。

更進(jìn)一步地,第一粘結(jié)層的厚度為2~20μm。

進(jìn)一步地,所述硅體芯片的第二表面與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件之間的夾層設(shè)置第二粘結(jié)層。

更進(jìn)一步地,第二粘結(jié)層的厚度為2~20μm。

進(jìn)一步地,結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件的材料采用玻璃板或硅片。

一種識別裝置的制作方法,包括以下步驟:

步驟S1,提供硅體芯片,硅體芯片的第一表面設(shè)有焊盤;在硅體芯片上制作第一通孔,然后在第一通孔內(nèi)填充導(dǎo)電金屬,導(dǎo)電金屬連接硅體芯片第一表面的焊盤;

步驟S2,在硅體芯片的第二表面制作布線層,并在布線層上制作焊點(diǎn);布線層通過連接導(dǎo)電金屬連通硅體芯片第一表面的焊盤;

步驟S3,提供一玻璃板或硅片作為結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件,然后在結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件上制作用于供硅體芯片第二表面的焊點(diǎn)穿過的第二通孔;焊點(diǎn)的厚度大于結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件的厚度;

步驟S4,將硅體芯片的第二表面通過第二粘結(jié)層與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件粘結(jié);

步驟S5,將硅體芯片的第一表面通過第一粘結(jié)層與蓋板粘結(jié);

步驟S6,將柔性基板與硅體芯片第二表面布線層上焊點(diǎn)連接。

進(jìn)一步地,步驟S1中,在制作第一通孔之前,硅體芯片通過臨時鍵合工藝與一片載片鍵合在一起。

進(jìn)一步地,步驟S4中,在結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件上還制作用于平衡應(yīng)力分布的第二通孔;

步驟S6中,通過底填工藝將柔性基板與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件之間的間隙填滿。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型采用硅體芯片與柔性基板中間的結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件,從而增加整個裝置結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度,解決現(xiàn)有裝置太厚的問題,同時本實(shí)用新型的工藝步驟可采用較薄的硅體芯片,減少硅體芯片中通孔深度,同時可以大幅提升整個裝置的性價比和可靠性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的硅體芯片以及制作第一通孔示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的硅體芯片第二表面制作布線層和焊點(diǎn)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型的硅體芯片第二表面與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件粘結(jié)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型的硅體芯片第一表面與蓋板粘結(jié)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

一種生物特征識別裝置的制作方法,包括以下步驟:

步驟S1,如圖1所示,提供硅體芯片1,硅體芯片1的正反面分別是其第一表面和第二表面;硅體芯片1的第一表面設(shè)有焊盤103;在硅體芯片1上制作第一通孔101(TSV孔),然后在第一通孔101內(nèi)填充導(dǎo)電金屬102,導(dǎo)電金屬102可以填滿第一通孔101,也可以附著在第一通孔101孔壁;導(dǎo)電金屬102連接硅體芯片第一表面的焊盤103;導(dǎo)電金屬102優(yōu)選采用銅;

可選地,在制作第一通孔101之前,硅體芯片1可以通過臨時鍵合工藝與一片載片鍵合在一起,以此提升芯片的拿持能力,降低碎片風(fēng)險;

步驟S2,如圖2所示,在硅體芯片1的第二表面制作布線層104,并在布線層104上制作焊點(diǎn)105;布線層104通過連接導(dǎo)電金屬102連通硅體芯片1第一表面的焊盤103;

步驟S3,提供一厚度為100~250μm的玻璃板作為結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4,然后在結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4上制作多個第二通孔;第二通孔的主要作用是當(dāng)結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4與硅體芯片1粘結(jié)時,供硅體芯片第二表面的焊點(diǎn)105穿過;焊點(diǎn)105的厚度大于結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4的厚度;

制作第二通孔方法可以為等離子刻蝕、濕法腐蝕、機(jī)械鉆孔、電火花或者噴砂;結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件上的第二通孔形狀為圓柱形、錐柱體(一邊小圓孔一邊大圓孔)或者多邊形柱體;

結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4也可采用硅片;結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4上還可制作多于焊點(diǎn)105數(shù)量的其它用途第二通孔,比如用于平衡應(yīng)力分布的第二通孔;

以現(xiàn)有指紋識別模組發(fā)明專利和實(shí)際產(chǎn)品為例,絕大部分的指紋識別模組都包含不銹鋼片這一裝置,該裝置貼合在柔性基板的下表面,主要作用是增強(qiáng)整個模組裝置的強(qiáng)度,提升產(chǎn)品可靠性。

而由于不銹鋼材料的熱膨脹系數(shù)與芯片以及柔性基板都相差較大,故存在一定的可靠性不良隱患。

而本實(shí)用新型提供的玻璃結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件的熱膨脹系數(shù)接近于硅體芯片,所以可以一定程度上提升產(chǎn)品可靠性。

步驟S4,如圖3所示,將硅體芯片1的第二表面通過第二粘結(jié)層6與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4粘結(jié);第二粘結(jié)層6典型厚度為10μm,可適用的厚度范圍為2~20μm;

而本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4采用了與硅體芯片熱膨脹系數(shù)接近的材料(玻璃),所以可以直接嵌入在硅體芯片與柔性基板中間,這樣因?yàn)槿∠瞬讳P鋼片,所以減少了整個模組的厚度。

另外由于增加了結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件,可以容忍更薄的硅體芯片,因?yàn)樵诔⌒酒疰I合后仍然有本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件提供基體支撐,所以帶來另一個有利效果是硅體芯片中的硅通孔的高度可以進(jìn)一步減小,這樣不管是制作難度、可靠性還是成本都會大幅優(yōu)化。

步驟S5,如圖4所示,將硅體芯片1的第一表面通過第一粘結(jié)層5與蓋板2粘結(jié);第一粘結(jié)層5由膠水形成,典型厚度為10μm,可適用的厚度范圍為2~20μm;

步驟S6,如圖5所示,通過加熱實(shí)現(xiàn)柔性基板3與硅體芯片第二表面布線層上焊點(diǎn)105的連接;

具體來說是柔性基板3上的焊接點(diǎn)與硅體芯片第二表面的布線層上焊點(diǎn)105通過加熱焊料實(shí)現(xiàn)焊接;

可選地,通過底填工藝將柔性基板3與結(jié)構(gòu)性增強(qiáng)組件4之間的間隙填滿,以提高識別裝置的整體強(qiáng)度。

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