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一種用于晶體硅太陽電池的石墨框結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:11762205閱讀:593來源:國知局
一種用于晶體硅太陽電池的石墨框結(jié)構(gòu)的制作方法與工藝

本實用新型屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于晶體硅太陽電池的石墨框結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

從目前能源結(jié)構(gòu)上來看晶體硅太陽能電池占太陽能電池全球市場總額的80%以上,全球年新增裝機(jī)容量約50GW且增速明顯。晶體硅太陽能電池作為一種清潔能源在改變能源結(jié)構(gòu)、緩解環(huán)境壓力等方面的重要作用日益凸顯。

PERC電池以其較高的效率和較高的度電成本在能源市場占有率也在逐年攀升,板式背鈍化/PECVD作為晶體硅太陽電池比較普遍采用的一種鍍膜方式,在晶體硅太陽電池生產(chǎn)線上有著舉足輕重的地位。晶體硅太陽能電池要想繼續(xù)保持競爭力、獲得更大的普及與應(yīng)用,必須進(jìn)一步提高產(chǎn)品效率,提高產(chǎn)品品質(zhì)。特別是上鍍膜的結(jié)構(gòu)一般采用石墨框或石墨板(下文統(tǒng)稱石墨框)。目前急需解決的一個問題:板式PECVD的石墨框與硅片接觸部分會因為摩擦污染等問題引起PN結(jié)破壞或鈍化效果變差最終引起電池片效率低下,以及EL不良。

背鈍化CVD上鍍膜方式,他是一種靠石墨框把硅片托在表面進(jìn)行鍍膜方式。目前這種方式有一個最大的弊病就是硅片與石墨框之間會有摩擦或污染,造成不合格品和效率低下。而目前對于該問題沒有更好的解決方案。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的是提供了一種用于太陽電池板式背鈍化、PECVD石墨框結(jié)構(gòu),在現(xiàn)有掛鉤的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上改變了石墨框接觸面具有防摩擦的功能。石墨框結(jié)構(gòu)防止硅片摩擦減少污染,給板式背鈍化和PECVD效率提升品質(zhì)提升帶來非常大的進(jìn)步。

為了實現(xiàn)上述任務(wù),本實用新型采用以下技術(shù)措施:

一種用于晶體硅太陽電池的石墨框結(jié)構(gòu),所述的石墨框包括多個用于托起硅片進(jìn)行表面鍍膜的石墨子框;所述的石墨子框的邊框均向內(nèi)傾斜為斜面,硅片與石墨子框的斜面線接觸且形成密封結(jié)構(gòu)。

所述的斜面與水平面成夾角為1~5°。

所述的石墨子框內(nèi)形成槽,槽的對應(yīng)尺寸均小于硅片的對應(yīng)尺寸。

所述的石墨框上矩陣排列多個石墨子框。

實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點:

本實用新型在現(xiàn)有掛鉤的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上改變了石墨框接觸面具有防摩擦的功能。改變原來水平的接觸面,由原來的完全水平改為1到5度。這樣原來的面接觸就變?yōu)榫€接觸且密封連接。解決了石墨框與硅片表面摩擦的問題。該石墨框結(jié)構(gòu)防止硅片摩擦減少污染,給板式背鈍化和PECVD效率提升品質(zhì)提升帶來非常大的進(jìn)步。采用斜面的益處為:解決了硅片表面摩擦問題,減少了污染,提高了板式PECVD的產(chǎn)品光電轉(zhuǎn)化效率和產(chǎn)品品質(zhì)。

進(jìn)一步,傾斜角為1~5°,使得接觸面與硅片接觸為線接觸,接觸面積最小。有效的減少了污染。1~5°既有效的保證了石墨框與承載器件(硅片)之間的接觸為線接觸,同時經(jīng)過實驗這個角度能最優(yōu)化滿足擺放硅片的擺放精度要求。同時最大程度的防止由于外力作用下石墨框抖動硅片發(fā)生偏移。

附圖說明

圖1是石墨框平面示意圖;

圖2是石墨框上相鄰兩個石墨子框示意圖;

圖3是普通石墨框格柵局部剖面示意圖;

圖4是本實用新型板式背鈍化石墨框格柵局部剖面示意圖;

圖5是石墨框防止摩擦的原理意圖;

其中,1-格柵;2-硅片;3-斜面;4-石墨框;5-石墨子框;6-槽。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本實用新型作詳細(xì)描述:

如圖1、圖2、圖4和圖5所示,本實用新型一種用于晶體硅太陽電池的石墨框結(jié)構(gòu),石墨框4包括多個用于托起硅片2進(jìn)行表面鍍膜的石墨子框5;所述的石墨子框5的邊框均向內(nèi)傾斜為斜面3,硅片2與石墨子框5線接觸且形成密封結(jié)構(gòu)。斜面3與水平面成夾角為1~5°。斜面3表面光滑,減少污染。

如圖1和圖2所示,本實用新型的石墨框4上矩陣排列多個石墨子框5,排布個數(shù)為4*6。每個石墨子框5的邊框均形成斜面。石墨子框5內(nèi)形成槽6,槽6的對應(yīng)尺寸均小于硅片2的對應(yīng)尺寸,保證硅片2的四個邊均與斜面線接觸。

采用斜面的益處為:解決了硅片表面摩擦問題,減少了污染,提高了板式PECVD的產(chǎn)品光電轉(zhuǎn)化效率和產(chǎn)品品質(zhì)。

以上,僅為本實用新型的較佳實施例,并非僅限于本實用新型的實施范圍,凡依本實用新型專利范圍的內(nèi)容所做的等效變化和修飾,都應(yīng)為本實用新型的技術(shù)范疇。

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