1.一種整流集成模塊，包括框架(7)、可控硅和整流二極管，所述框架包括可控硅載片區(qū)(8)、二極管載片區(qū)(9)和一號引腳到六號引腳(1,2,3,4,5,6)，其特征在于所述可控硅載片區(qū)(8)對應(yīng)二號引腳(2)，所述可控硅芯片粘片于可控硅載片區(qū)(8)，可控硅的T1極、T2極和G極分別連接到框架的三號引腳(3)、二號引腳(2)和一號引腳(1)上，四個整流二極管芯片分別粘片于框架(7)上的四個二極管載片區(qū)(9)，四個整流二極管芯片的正負(fù)極串接成橋堆，橋堆芯片的兩個引出極分別連接五號引腳(5)和六號引腳(6)，可控硅與橋堆表面連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流集成模塊，其特征在于所述可控硅與橋堆表面通過鋁絲連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的整流集成模塊，其特征在于所述的連接可控硅與橋堆表面的鋁絲直徑為300μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流集成模塊，其特征在于所述可控硅芯片和整流二極管芯片與框架之間為燒結(jié)融合固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流集成模塊，其特征在于所述可控硅的電極與框架的引腳采用焊接的方式連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流集成模塊，其特征在于所述整流二極管芯片的正負(fù)極采用焊接的方式串接。