本實(shí)用新型涉及離子傳輸技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀。

背景技術(shù)：

飛行時間(TOF)質(zhì)量分析器根據(jù)離子在真空中的飛行時間的差異來區(qū)分不同質(zhì)荷比的離子，具有高速、高分辨和較寬的質(zhì)量范圍。線性離子阱(LIT)由一組四極桿及前后端蓋電極組成，通過施加在端蓋電極上的阻擋電勢，在離子阱軸向上形成一個勢阱，從而將離子束縛住，其具有高容量、多級串級能力。由于采用垂直引入式TOF可以較好地與脈沖式離子束連接，因此在質(zhì)譜儀的技術(shù)中已知，采用線性離子阱與垂直引入式TOF耦合串聯(lián)，通過合適的傳輸接口及電控時序，可以實(shí)現(xiàn)具有線性離子阱功能的串聯(lián)飛行時間質(zhì)譜儀，并用于生物分析、蛋白質(zhì)鑒定等高精尖領(lǐng)域。

采用LIT與TOF耦合時，離子引出方式分為軸向和徑向。采用徑向引出結(jié)構(gòu)時，離子從四極電極開口處引出，直接進(jìn)入正交的TOF飛行軌道。此種離子引出方式，由于殘留RF減幅震蕩及離子束的時間分散和空間分散，極大的降低了TOF的分辨率及質(zhì)量精度。雖然，邁克爾·蘇達(dá)科夫等人提出了一種將離子從阱射入TOF的方法，可以改善殘留RF減幅震蕩對TOF性能造成的影響，但徑向離子束的時間分散和空間分散是一個不可逾越的問題。采用軸向引出結(jié)構(gòu)，結(jié)合高分辨的垂直引入式TOF，通過合適的傳輸接口及電控時序，可以有效的避免及解決以上問題。

但是，采用軸向引出結(jié)構(gòu)則受到位置及質(zhì)量區(qū)別的影響。具體地，1)當(dāng)離子門打開時，僅能引出一段位置的離子，即聚焦在阱前段靠近出口處的離子，而阱內(nèi)后段的離子則由于漂移時間長，無法有效的引出；2)當(dāng)施加推斥脈沖時，調(diào)制區(qū)僅包含特定質(zhì)量范圍的離子，即已經(jīng)達(dá)到尚未消失的離子，因此一次僅可以將有限質(zhì)量范圍的離子引出到TOF。當(dāng)分析較寬質(zhì)量范圍的離子時，則需要進(jìn)行多個子范圍的離子檢測。由于每個子范圍的分析需要利用離子重新填充離子阱并且重復(fù)所有操作，導(dǎo)致儀器的占空比偏低。

有鑒于此，針對上述問題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀及其實(shí)現(xiàn)方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。

為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀，其包括：離子阱以及飛行時間分析器；

所述離子阱包括：第一離子門、中間電極以及第二離子門，所述中間電極位于所述第一離子門和第二離子門之間，所述第一離子門形成離子入口，其上施加有直流偏置電壓，所述第二離子門形成離子出口，其上施加有引出脈沖電壓，所述飛行時間分析器設(shè)置于所述離子阱的下游，并接收自所述第二離子門中先后引出的離子段。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述中間電極為直桿四級桿結(jié)構(gòu)或三段式四極桿結(jié)構(gòu)。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述中間電極為直桿四級桿結(jié)構(gòu)時，所述直桿四級桿上施加有射頻電壓，其中相鄰的電極上施加幅值相同、方向相反的電壓，相對的電極上施加幅值相位均一致的電壓。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述中間電極為三段式四極桿結(jié)構(gòu)時，三對四極桿上施加有射頻電壓，其中第一四極桿和第三四極桿上施加脈沖偏置電壓，第二四極桿上施加直流偏置電壓。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述質(zhì)譜儀還包括調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)，所述調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)依次位于所述離子阱和飛行時間分析器之間，所述推斥區(qū)具有推斥脈沖電壓，所述引出脈沖電壓與所述推斥脈沖電壓為聯(lián)動施加，且所述引出脈沖電壓與所述推斥脈沖電壓之間具有延時時間，所述延時時間為引出的離子通過所述調(diào)制區(qū)的漂移時間。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述調(diào)制區(qū)包括直流靜電四級桿和一維單透鏡。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述推斥區(qū)包括負(fù)脈沖電極和推斥板，所述推斥脈沖電壓施加于所述推斥板上。

作為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的改進(jìn)，所述引出脈沖電壓第一次由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，同步發(fā)送TTL信號至所述推斥板，經(jīng)過所述延時時間，于所述推斥板上施加所述推斥脈沖電壓。

為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種根據(jù)如上所述高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)離子分段引出的方法，其包括如下步驟：

S1、在第一離子門上施加直流偏置電壓，在第二離子門上施加引出脈沖電壓；

S2、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為低電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為高電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的導(dǎo)入；

S3、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為高電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為低電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中第一段離子的引出；

S4、通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓由低電平變?yōu)楦唠娖剑儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?，?shí)現(xiàn)離子阱中第二段離子的引出；

S5、重復(fù)步驟S4，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的分段引出。

為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型提供一種根據(jù)如上所述高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀實(shí)現(xiàn)離子分段引出的方法，其包括如下步驟：

S1’、在第一離子門上施加直流偏置電壓，在第二離子門上施加引出脈沖電壓；

S2’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為低電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為高電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的導(dǎo)入；

S3’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為高電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為低電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中第一段離子的引出，同步發(fā)送TTL信號至推斥板，經(jīng)過延時時間，于推斥板上施加推斥脈沖電壓；

S4’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓由低電平變?yōu)楦唠娖?，再由高電平變?yōu)榈碗娖?，?shí)現(xiàn)離子阱中第二段離子的引出；

S5’、重復(fù)步驟S4，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的分段引出。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀通過引出脈沖高、低電平的切換控制離子的囚禁與釋放，可以實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)不同位置離子的分段引出。從而，本實(shí)用新型提高了離子引出效率和質(zhì)量范圍，同時，由于不需要將離子重新填充離子阱及重復(fù)所有操作，可以有效的提高離子阱與飛行時間耦合后的占空比，有利于提高離子阱與飛行時間耦合的整體性能。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀一具體實(shí)施方式的平面示意圖，其中，中間電極為直桿四級桿結(jié)構(gòu)；

圖2為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀一具體實(shí)施方式的平面示意圖，其中，中間電極為三段式四極桿結(jié)構(gòu)；

圖3為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀離子阱內(nèi)的離子分布圖，其中，(1)為中間電極為直桿四級桿結(jié)構(gòu)時的情形，(2)為中間電極為三段式四極桿結(jié)構(gòu)時的情形；

圖4為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的離子阱上直流電場的分布圖；

圖5為對第二離子門上施加直流偏置電壓時，離子被引入調(diào)制區(qū)的飛行軌跡圖；

圖6為第二離子門上施加引出脈沖電壓時，離子被引入調(diào)制區(qū)的飛行軌跡圖；

圖7為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的電控時序示意圖，其中，中間電極為直桿四級桿結(jié)構(gòu)；

圖8為本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀的電控時序示意圖，其中，中間電極為三段式四極桿結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明，但應(yīng)當(dāng)說明的是，這些實(shí)施方式并非對本實(shí)用新型的限制，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代，均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。

如圖1所示，本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀包括：離子阱以及飛行時間分析器。

所述離子阱包括：第一離子門1、中間電極2以及第二離子門3，所述中間電極2位于所述第一離子門1和第二離子門3之間。其中，所述第一離子門1作為離子入口，其上施加有直流偏置電壓。所述第二離子門3作為離子出口，其上施加有引出脈沖電壓。所述飛行時間分析器設(shè)置于所述離子阱的下游，并接收自所述第二離子門3中先后引出的離子段。

所述引出脈沖電壓為幅值、占空比可調(diào)、頻率為100Hz的脈沖電壓。從而，當(dāng)離子導(dǎo)入離子阱時，所述第一離子門1為低電平，所述第二離子門3為高電平，離子自所述離子入口進(jìn)入離子阱中。當(dāng)離子囚禁于離子阱中時，所述第一離子門1和第二離子門3均為高電平，此時，離子被囚禁于阱內(nèi)，并與阱內(nèi)的氣體分子進(jìn)行碰撞冷卻，可根據(jù)需要進(jìn)行相關(guān)操作，包括貯存離子、冷卻聚焦、選擇和激發(fā)母離子、CID生成產(chǎn)物離子等。其中，所述相關(guān)操作是借助施加在中間電極2上的射頻電壓而實(shí)現(xiàn)的。

當(dāng)離子自所述離子出口分段引出時，所述第一離子門1為高電平，所述第二離子門3由高電平變?yōu)榈碗娖?，此時，離子門打開，聚焦在離子阱前端的離子，先自所述離子出口引出。隨后，所述第二離子門3由低電平變?yōu)楦唠娖?，離子門關(guān)閉，未被引出的離子被繼續(xù)囚禁在離子阱內(nèi)。當(dāng)?shù)诙x子門3再次由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，離子門打開，阱內(nèi)離子再次被引出。如此，通過所述引出脈沖電壓高、低電平的切換，可控制離子的囚禁與釋放，并實(shí)現(xiàn)離子阱不同位置離子的分段引出。

所述中間電極2可以為直桿四級桿結(jié)構(gòu)或三段式四極桿結(jié)構(gòu)。所述中間電極2為直桿四級桿結(jié)構(gòu)時，所述直桿四級桿上施加有射頻電壓，其中相鄰的電極上施加幅值相同、方向相反的電壓，相對的電極上施加幅值相位均一致的電壓。

如圖2所示，進(jìn)一步地，所述中間電極2為三段式四極桿結(jié)構(gòu)時，三對四極桿上施加有射頻電壓，其中第一四極桿21和第三四極桿23上施加脈沖偏置電壓，第二四極桿22上施加直流偏置電壓。如圖3、4所示，具體地，由圖3可知，當(dāng)離子囚禁于離子阱中時，第一電極21和第三電極23電勢升高，離子被聚焦在阱內(nèi)中段。當(dāng)離子門打開時，第一電極21電平繼續(xù)升高，第三電極23相對為低電平，從而阱內(nèi)軸向引出電勢增加。由圖4可知，在離子開門階段的軸向電勢明顯升高，從而可以有效的提高阱內(nèi)離子的軸向引出效率。

為了實(shí)現(xiàn)高、低質(zhì)量數(shù)離子的分段引出，所述質(zhì)譜儀還包括調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)，其中，所述調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)依次位于所述離子阱和飛行時間分析器之間，引出的離子依次經(jīng)過所示調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)進(jìn)入到飛行時間分析器中。所述推斥區(qū)具有推斥脈沖電壓，所述引出脈沖電壓與所述推斥脈沖電壓為聯(lián)動施加，且所述引出脈沖電壓與所述推斥脈沖電壓之間具有延時時間，所述延時時間為引出的離子通過所述調(diào)制區(qū)的漂移時間。

具體地，所述調(diào)制區(qū)包括直流靜電四級桿4和一維單透鏡5，所述推斥區(qū)包括負(fù)脈沖電極6和推斥板7，所述推斥脈沖電壓施加于所述推斥板7上。如此，所述引出脈沖電壓第一次由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，同步發(fā)送TTL信號至所述推斥板7，經(jīng)過所述延時時間，于所述推斥板7上施加所述推斥脈沖電壓。當(dāng)推斥脈沖信號進(jìn)入高電平，此時離子束全部被推斥到飛行時間分析器中，由于高、低質(zhì)量數(shù)離子的漂移時間不同，通過設(shè)置不同的延時時間可以實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)高、低質(zhì)量數(shù)離子的分段引出。從而，實(shí)現(xiàn)了阱內(nèi)高、低質(zhì)量數(shù)離子的分段引出，提高了離子引出效率和質(zhì)量范圍。同時，由于不需要將離子重新填充離子阱及重復(fù)所有操作，可以有效的提高離子阱與飛行時間耦合后的占空比，有利于提高離子阱與飛行時間耦合的整體性能。

以所述第二離子門3上施加直流偏置電壓為對比例，配合參照飛行軌跡圖5、6所示，由圖5可知，對第二離子門上施加直流偏置電壓時，所示第二離子門3打開以后，離子束被引出，并進(jìn)入調(diào)制區(qū)，當(dāng)推斥脈沖電壓變?yōu)楦唠娖綍r，一部分離子被推斥進(jìn)入飛行軌道，一部分離子穿過調(diào)制區(qū)隨后消失，還有一部分離子即將進(jìn)入調(diào)制區(qū)。由圖6可知，對第二離子門上施加引出脈沖電壓時，離子束被切割成幾小段，每一段分別進(jìn)入調(diào)制區(qū)，當(dāng)推斥脈沖電壓變?yōu)楦唠娖綍r，大部分離子被推斥進(jìn)入飛行軌道，只有一小部分離子穿過調(diào)制區(qū)。由于每一段的離子漂移時間都存在差異，從而可通過調(diào)節(jié)推斥脈沖延時，使每次下發(fā)推斥脈沖時，能推斥到最多的離子。

下面結(jié)合所述中間電極2為直桿四級桿結(jié)構(gòu)或三段式四極桿結(jié)構(gòu)時的電控時序示意圖，對離子的分段引出進(jìn)行進(jìn)一步說明。

如圖7所示，t1為離子引出脈沖低電平持續(xù)時間，即離子引出的持續(xù)時間，t2為推斥脈沖的脈寬，t3為推斥脈沖的周期，t4和t5為推斥脈沖相對第二離子門3由高電平變?yōu)榈碗娖綍r的延時時間，即離子阱內(nèi)不同質(zhì)量數(shù)的離子漂移時間，t6為推斥脈沖的持續(xù)時間。從而，通過控制t1改變離子引出脈沖占空比，即可調(diào)節(jié)高、低質(zhì)量數(shù)離子的引出比例及時間，從而適用于不同類型樣品的檢測。通過控制t2改變推斥脈寬，即可控制推斥脈沖的施加時間以提高離子的利用率，一般情況下，t2的控制范圍為50us～1ms。

進(jìn)一步地，經(jīng)過直流靜電四極桿4和一維單透鏡5的調(diào)制，引出的離子按照質(zhì)量數(shù)從小到大依次進(jìn)入推斥區(qū)。通過調(diào)節(jié)t4和t5的大小，可以選擇不同的目標(biāo)離子進(jìn)入飛行時間分析器。延時t4結(jié)束后，施加在推斥板7上的推斥脈沖信號進(jìn)入高電平，施加在負(fù)脈沖電極6上的脈沖信號進(jìn)入負(fù)的高電平。如此低質(zhì)量數(shù)離子在推斥板7與負(fù)脈沖電極6形成的電場的作用下進(jìn)入飛行時間分析器。延時t5結(jié)束后，施加在推斥板7上的推斥脈沖信號進(jìn)入高電平，施加在負(fù)脈沖電極6上的脈沖信號進(jìn)入負(fù)的高電平。如此高質(zhì)量數(shù)離子在推斥板7與負(fù)脈沖電極6形成的電場的作用下進(jìn)入飛行時間分析器，從而實(shí)現(xiàn)高、低質(zhì)量數(shù)離子分段引出。

如圖8所示，t1為離子引出脈沖低電平持續(xù)時間，即離子引出的持續(xù)時間，t2為推斥脈沖信號的脈寬，t3為推斥脈沖的周期，t4和t5為推斥脈沖相對第二離子門3由高電平變?yōu)榈碗娖綍r的延時時間，即離子阱內(nèi)不同質(zhì)量數(shù)的離子漂移時間，t6為推斥脈沖的持續(xù)時間。從而，通過控制t1改變離子引出脈沖占空比，即可調(diào)節(jié)高、低質(zhì)量數(shù)離子的引出比例及時間，從而適用于不同類型樣品的檢測。通過控制t2改變推斥脈寬，即可控制推斥脈沖的施加時間以提高離子的利用率，一般情況下，t2的控制范圍為50us～1ms。

經(jīng)過直流靜電四極桿4和一維單透鏡5的調(diào)制，引出的離子按照質(zhì)量數(shù)從小到大依次進(jìn)入推斥區(qū)，通過調(diào)節(jié)t4和t5的大小，可以選擇不同的目標(biāo)離子進(jìn)入飛行時間分析器。延時t4結(jié)束后，施加在推斥板7上的推斥脈沖信號進(jìn)入高電平，施加在負(fù)脈沖電極6上的脈沖信號進(jìn)入負(fù)的高電平，如此低質(zhì)量數(shù)離子在推斥板7與負(fù)脈沖電極6形成的電場的作用下進(jìn)入飛行時間分析器。延時t5結(jié)束后，施加在推斥板7上的推斥脈沖信號進(jìn)入高電平，施加在負(fù)脈沖電極6上的脈沖信號進(jìn)入負(fù)的高電平。如此高質(zhì)量數(shù)離子在推斥板7與負(fù)脈沖電極6形成的電場的作用下進(jìn)入飛行時間分析器，從而實(shí)現(xiàn)高、低質(zhì)量數(shù)離子分段引出。

基于如上所述的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀，本實(shí)用新型還提供一種實(shí)現(xiàn)離子分段引出的方法，其具體包括如下步驟：

S1、在第一離子門上施加直流偏置電壓，在第二離子門上施加引出脈沖電壓；

S2、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為低電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為高電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的導(dǎo)入；

S3、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為高電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為低電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中第一段離子的引出；

S4、通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓由低電平變?yōu)楦唠娖剑儆筛唠娖阶優(yōu)榈碗娖?，?shí)現(xiàn)離子阱中第二段離子的引出；

S5、重復(fù)步驟S4，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的分段引出。

如此，通過如上所述的方法可實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)不同位置離子的分段引出。進(jìn)一步地，當(dāng)所述質(zhì)譜儀還包括調(diào)制區(qū)和推斥區(qū)時，所述實(shí)現(xiàn)離子分段引出的方法包括如下步驟：

S1’、在第一離子門上施加直流偏置電壓，在第二離子門上施加引出脈沖電壓；

S2’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為低電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為高電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的導(dǎo)入；

S3’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述直流偏置電壓為高電平，通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓為低電平，實(shí)現(xiàn)離子阱中第一段離子的引出，同步發(fā)送TTL信號至推斥板，經(jīng)過延時時間，于推斥板上施加推斥脈沖電壓；

S4’、通過時序控制調(diào)節(jié)所述引出脈沖電壓由低電平變?yōu)楦唠娖?，再由高電平變?yōu)榈碗娖剑瑢?shí)現(xiàn)離子阱中第二段離子的引出；

S5’、重復(fù)步驟S4，實(shí)現(xiàn)離子阱中離子的分段引出。

如此，通過如上所述的方法可實(shí)現(xiàn)高、低質(zhì)量數(shù)離子的分段引出，其提高了離子引出效率和質(zhì)量范圍。同時，由于不需要將離子重新填充離子阱及重復(fù)所有操作，可以有效的提高離子阱與飛行時間耦合后的占空比，有利于提高離子阱與飛行時間耦合的整體性能。

綜上所述，本實(shí)用新型的高離子引出效率的離子阱飛行時間質(zhì)譜儀通過引出脈沖高、低電平的切換控制離子的囚禁與釋放，可以實(shí)現(xiàn)阱內(nèi)不同位置離子的分段引出。從而，本實(shí)用新型提高了離子引出效率和質(zhì)量范圍，同時，由于不需要將離子重新填充離子阱及重復(fù)所有操作，可以有效的提高離子阱與飛行時間耦合后的占空比，有利于提高離子阱與飛行時間耦合的整體性能。

對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本實(shí)用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個實(shí)施方式僅包含一個獨(dú)立的技術(shù)方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說明書作為一個整體，各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合，形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。