本實(shí)用新型涉及單晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片。

背景技術(shù)：

單晶硅片用于光電轉(zhuǎn)換設(shè)備上起到發(fā)電的作用，而且現(xiàn)有單晶硅片的表面光滑，在接收陽光照射時(shí)，會(huì)反射一部分照射在單晶硅片上的陽光，這樣會(huì)減少單晶硅片吸光的效率，而且現(xiàn)有的單晶硅片在長期的風(fēng)吹雨淋或人力碰撞的情況下，單晶硅片的表面會(huì)產(chǎn)生磨損，從而影響單晶硅片的正常工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的反光性高導(dǎo)致吸光效率低和單晶硅片表面容易劃傷的缺點(diǎn)，而提出的一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

設(shè)計(jì)一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片，包括單晶硅層，所述單晶硅層的底面設(shè)有導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散層，所述導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散層的底面設(shè)有二氧化碳鈍化層，所述單晶硅層的上表面設(shè)有開設(shè)有鎵晶體硅層，所述鎵晶體硅層的上表面設(shè)有多個(gè)單晶硅凸塊，所述單晶硅凸塊的上表面還鋪設(shè)有吸光膜，所述吸光膜的上表面設(shè)有透明防護(hù)罩，所述單晶硅層的四周邊沿設(shè)有橡膠層，且橡膠層的頂端與單晶硅凸塊處于同一水平直線，橡膠層的底端與二氧化碳鈍化層處于同一水平直線。

優(yōu)選的，所述單晶硅凸塊至少設(shè)有六個(gè)，六個(gè)單晶硅凸塊以等距離的方式排列。

優(yōu)選的，所述透明防護(hù)罩為塑料玻璃，且透明防護(hù)罩的底部呈圓弧狀。

優(yōu)選的，所述透明防護(hù)罩的上表面鋪設(shè)有紫外線保護(hù)膜。

本實(shí)用新型提出的一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片，有益效果在于：通過加入吸光膜可以降低陽光的反射率，從而提高單晶硅片對(duì)陽光的吸收效率，而且單晶硅層上還開設(shè)有多個(gè)單晶硅凸塊，這樣可以增大光照的面積，從而提高對(duì)陽光的吸收效率；通過加入透明防護(hù)罩，使得單晶硅片自身具有一定的防護(hù)效果，而且透明防護(hù)罩還能減少陽光的反射效率和提高陽光的光照強(qiáng)度；通過加入鎵晶體硅層，可以減少單晶硅片的光衰性，進(jìn)一步減少陽光的反射效率，從而提高單晶硅片對(duì)陽光的吸收效率；通過加入橡膠層，可以對(duì)單晶硅片的四周進(jìn)行防護(hù)。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單、使用方便，不僅可以減少單晶硅片自身的反光效率，還能使得自身具有一定的防護(hù)性，從而提高單晶硅片的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型提出的一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：二氧化碳鈍化層1、單晶硅層2、導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散層3、透明防護(hù)罩4、吸光膜5、單晶硅凸塊6、紫外線保護(hù)膜7、橡膠層8、鎵晶體硅層9。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照?qǐng)D1，一種低反射率且就具有防護(hù)性的單晶硅片，包括單晶硅層2，單晶硅層2的底面設(shè)有導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散層3，導(dǎo)電雜質(zhì)擴(kuò)散層3的底面設(shè)有二氧化碳鈍化層1，單晶硅層2的上表面設(shè)有開設(shè)有鎵晶體硅層9，通過加入鎵晶體硅層9，可以減少單晶硅片的光衰性，進(jìn)一步減少陽光的反射效率，從而提高單晶硅片對(duì)陽光的吸收效率。

鎵晶體硅層9的上表面設(shè)有多個(gè)單晶硅凸塊6，單晶硅凸塊6至少設(shè)有六個(gè)，六個(gè)單晶硅凸塊6以等距離的方式排列，通過加入單晶硅凸塊6，這樣可以增大光照的面積，從而提高對(duì)陽光的吸收效率。

單晶硅凸塊6的上表面還鋪設(shè)有吸光膜5，通過加入吸光膜5可以降低陽光的反射率，從而提高單晶硅片對(duì)陽光的吸收效率，吸光膜5的上表面設(shè)有透明防護(hù)罩4，透明防護(hù)罩4為塑料玻璃，且透明防護(hù)罩4的底部呈圓弧狀，通過加入透明防護(hù)罩4還能減少陽光的反射效率和提高陽光的光照強(qiáng)度，透明防護(hù)罩4的上表面鋪設(shè)有紫外線保護(hù)膜7，可以減少陽光中的紫外線對(duì)單晶硅片老化影響，從而延長單晶硅片的使用期限。

單晶硅層2的四周邊沿設(shè)有橡膠層8，且橡膠層8的頂端與單晶硅凸塊6處于同一水平直線，橡膠層8的底端與二氧化碳鈍化層1處于同一水平直線，可以對(duì)單晶硅片的四周進(jìn)行防護(hù)。

以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。