本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體相關(guān)制造方法，尤其涉及一種可將晶圓毛邊去除的去毛邊系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體裝置領(lǐng)域中，其裝置的密度不斷地增加，而其尺寸漸漸縮小，以持續(xù)提高多樣化電子組件組成的半導(dǎo)體組件內(nèi)的積體密度，也讓更多的組件能同時(shí)整合在給定的面積內(nèi)。

因此，晶圓級封裝也開始發(fā)展，在晶圓級封裝中，集成電路被放置在具有配線的載體上，配線可用來連接集成電路或其他電子組件。其中，在扇出型芯片尺寸封裝的形成過程中，組件晶圓被割離，然后從被割離的組件晶圓中挑出良裸晶粒固定到載體上，良裸晶粒群間包含銅柱所形成的扇出型封裝連接點(diǎn)，接著注入環(huán)氧樹脂填滿良裸晶粒間的空間，且覆蓋良裸晶粒形成扇出型晶圓，再以模具壓鑄固化環(huán)氧樹脂后，可進(jìn)行研磨制造方法來移除位于銅柱上的部分環(huán)氧樹脂及其他介電材料。

然而，利用研磨制造方法來移除多余的環(huán)氧樹脂，容易移除過多環(huán)氧樹脂，或是移除到扇出型芯片本身，造成扇出型芯片的損傷。另外，在研磨制造方法中，扇出型芯片的定位固定，無法進(jìn)行位置校正補(bǔ)償?shù)牟僮?，若扇出型芯片放置位置有偏差，則會在研磨過程中，損傷扇出型芯片，導(dǎo)致不良率提升，增加制造成本。因此，如何改善研磨制造方法的缺點(diǎn)，有待相關(guān)業(yè)者解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的去毛邊系統(tǒng)研磨時(shí)容易損傷芯片、芯片不良率高、制造成本高的問題，提供一種能夠避免過度移除毛邊，減少不良率產(chǎn)生，提高生產(chǎn)效率的去毛邊系統(tǒng)。

一種去毛邊系統(tǒng)，包括：

用于放置所述晶圓的對位平臺，所述晶圓的邊緣具有毛邊；以及

激光機(jī)，所述激光機(jī)設(shè)置在所述對位平臺的一側(cè)，所述激光機(jī)以投射角度投射激光線，所述激光機(jī)投射所述激光線以移除所述毛邊。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對位平臺具有旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)能帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述激光機(jī)相對于對所述位平臺旋轉(zhuǎn)。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，本實(shí)用新型還具有對位裝置，所述對位裝置設(shè)置在所述對位平臺遠(yuǎn)離所述激光機(jī)的一側(cè)，所述對位裝置用以確認(rèn)所述晶圓的偏移量。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述偏移量為所述對位平臺的外徑與所述晶圓的外徑間距離差，所述對位平臺的外徑尺寸小于所述晶圓的外徑尺寸。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，本實(shí)用新型還具有機(jī)械手臂，所述機(jī)械手臂用以移動(dòng)所述晶圓或調(diào)整所述偏移量。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述對位裝置為攝影裝置或2D量測裝置。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，本實(shí)用新型還具有風(fēng)罩，所述風(fēng)罩相對于所述對位平臺的頂面設(shè)置，所述風(fēng)罩與所述對位平臺間隔活動(dòng)距離，所述風(fēng)罩能夠相對于所述對位平臺的軸向升降調(diào)整所述活動(dòng)距離。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述晶圓等間隔設(shè)有多個(gè)芯片，所述風(fēng)罩的罩覆范圍為各所述芯片設(shè)置區(qū)域。

在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述投射角度與所述對位平臺的軸向夾角為45度。

本實(shí)用新型具有以下效果：當(dāng)機(jī)械手臂將晶圓移動(dòng)至對位平臺放置后，激光機(jī)以投射角度投射激光線以移除毛邊，以投射角度投射激光線移除毛邊，可避免過度移除毛邊，損害到晶圓本身，以減少不良率產(chǎn)生；同時(shí)，用激光去毛邊方式，能減少制造方法的加工時(shí)間，提高制造方法的效率。

另外，通過對位裝置確認(rèn)晶圓的偏移量，以確定晶圓的中心與對位平臺的中心是否相同，如果不相等時(shí)，則可以進(jìn)行校正，以減少因定位誤差而在制造加工時(shí)產(chǎn)生的晶圓損傷，以提高制造方法的加工精準(zhǔn)度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型去毛邊系統(tǒng)示意圖(一)。

圖2為本實(shí)用新型去毛邊系統(tǒng)示意圖(二)，表示風(fēng)罩降下，激光機(jī)以投射角度投射激光線并移除毛邊。

圖3為圖2局部放大圖。

圖4為已去除毛邊的晶圓局部放大示意圖。

圖5為確認(rèn)偏移量示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及技術(shù)效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施例進(jìn)行描述。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

請參閱圖1至圖5所示，本實(shí)用新型提供一種去毛邊系統(tǒng)，其包含：

對位平臺10，其具有臺面11及旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12，旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12可帶動(dòng)晶圓1轉(zhuǎn)動(dòng)，其中，旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12可被馬達(dá)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸或動(dòng)力源帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，臺面11與旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12鏈接，旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12可驅(qū)動(dòng)臺面11轉(zhuǎn)動(dòng)，臺面11具有反向設(shè)置的頂部111及底部112，臺面11的頂部111用以供晶圓1放置，而對位平臺10能帶動(dòng)晶圓1旋轉(zhuǎn)，其中，晶圓1的邊緣具有毛邊2及等間隔設(shè)置的多個(gè)芯片3。另外，在本實(shí)用新型另一實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12與晶圓1鏈接，旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12帶動(dòng)晶圓1相對于臺面11轉(zhuǎn)動(dòng)。

具體的，臺面11的外徑與晶圓1的外徑間具有偏移量D，在本實(shí)用新型中，臺面11為圓形狀，晶圓1為圓形狀，如果臺面11的中心與晶圓1的中心為同心圓，則偏移量D相等；如果臺面11的中心與晶圓1的中心不是同心圓，則偏移量D不相等，其中，偏移量D依不同晶圓1尺寸有所不同。

激光機(jī)20設(shè)置于對位平臺10的一側(cè)，在本實(shí)用新型中，激光機(jī)20相對于臺面11的頂部111設(shè)置，且與臺面11的頂部111相隔一設(shè)置高度，激光機(jī)20以投射角度A投射激光線21，當(dāng)機(jī)械手臂30將晶圓1移動(dòng)至臺面11放置后，對位平臺10帶動(dòng)晶圓1旋轉(zhuǎn)，同時(shí)激光機(jī)20投射激光線21以移除毛邊2，其中，機(jī)械手臂30可根據(jù)需求設(shè)置不同機(jī)型。其中，設(shè)置高度可根據(jù)使用需求作調(diào)整，能令激光機(jī)20投射出投射角度A的激光線21至晶圓1之毛邊2，進(jìn)行移除毛邊2程序，而投射角度A與旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12的軸向夾角呈45度，以投射角度A將晶圓1的毛邊2移除，僅將多余的毛邊2去除，可以避免制造方法中加工過度傷及晶圓1本身，提升制造方法的加工精度，減少不良率產(chǎn)生，請參閱圖3及圖4所示。

在本實(shí)用新型另一項(xiàng)實(shí)施例中，當(dāng)機(jī)械手臂30將晶圓1移動(dòng)至臺面11放置后，激光機(jī)20相對于對位平臺10旋轉(zhuǎn)，并且在旋轉(zhuǎn)過程中，激光機(jī)20以投射角度A投射激光線21將毛邊2移除。

對位裝置40，設(shè)置在對位平臺10遠(yuǎn)離激光機(jī)20的一側(cè)，對位裝置40是攝影裝置或2D量測裝置中的一種，而2D量測裝置可以是紅外設(shè)備、光感應(yīng)裝置等等，對位裝置40用以確認(rèn)晶圓1的偏移量，通過對位裝置40測量晶圓1的邊緣位置，以計(jì)算出晶圓1的偏移量。其中，當(dāng)對位裝置40攝于臺面11的頂部111時(shí)，臺面11外徑尺寸大于晶圓1的外徑尺寸，以確認(rèn)兩者外徑間的偏移量D；當(dāng)對位裝置40攝于臺面11的側(cè)邊時(shí)，可以確認(rèn)晶圓1距離臺面11深度的偏移量D；當(dāng)對位裝置40攝于臺面11的底部112時(shí)，對位平臺10的臺面11外徑尺寸小于晶圓1的外徑尺寸，以確認(rèn)兩者外徑間的偏移量D。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，對位裝置40為攝影裝置，對位裝置40具有攝影鏡頭41及顯示屏幕(圖中未示)，在本實(shí)用新型中，攝影鏡頭41設(shè)在臺面11的底部112，攝影鏡頭41用以拍攝對位平臺10的外徑與晶圓1的外徑間的偏移量D，并將畫面顯示在顯示屏幕上，當(dāng)臺面11與晶圓1間的偏移量D不相等時(shí)，表示兩者不是同心圓，則通過機(jī)械手臂30調(diào)整偏移量D，使臺面11與晶圓1間的偏移量D相等，避免因偏心問題，導(dǎo)致后續(xù)制造方法的加工損壞晶圓1，以提升制造方法的加工精度。

風(fēng)罩50，相對于對位平臺10的頂面設(shè)置，在本實(shí)用新型中，風(fēng)罩50相對于臺面11的頂部111設(shè)置，且風(fēng)罩50與對位平臺10的臺面11間隔一活動(dòng)距離，風(fēng)罩50可相對于旋轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)12的軸向升降調(diào)整活動(dòng)距離，風(fēng)罩50的罩覆范圍為各芯片3設(shè)置區(qū)域。

風(fēng)罩50與臺面11間保有活動(dòng)距離L，機(jī)械手臂30可移動(dòng)晶圓1移至臺面11的頂部111或由頂部111移離晶圓1；當(dāng)風(fēng)罩50降下靠近臺面11時(shí)，其活動(dòng)距離L調(diào)整為活動(dòng)距離L’，其中，在風(fēng)罩50內(nèi)注入干燥潔凈空氣或氮?dú)?，使風(fēng)罩50產(chǎn)生往晶圓1方向之一氣流，而氣流可將各芯片3間的微塵顆?；蚣す鈺r(shí)產(chǎn)生的煙霧吹走，且通過氣流保持相對正壓，進(jìn)而保持晶圓1清潔。另外，在本實(shí)用新型中，活動(dòng)距離L與臺面11間的距離可根據(jù)制造方法的加工程序作調(diào)整，而活動(dòng)距離L’與各芯片3間相隔1mm至10mm。

通過對位平臺10、對位裝置40及機(jī)械手臂30，在激光加工前，先確認(rèn)或調(diào)整偏移量D，若偏移量D不相等時(shí)，表示對位平臺10與晶圓1’不是同心圓，則可通過機(jī)械手臂30對晶圓1’定位及偏移量D的校正，直到晶圓1’調(diào)整至晶圓1與對位平臺10為同心圓，再作后續(xù)制造加工，以減少因定位誤差，而在制造加工時(shí)產(chǎn)生的晶圓1損傷，以提高制造方法的加工精準(zhǔn)度。

另外，由激光機(jī)20以投射角度A投射激光線21，將晶圓1的毛邊2去除，使晶圓1在制造方法的加工中，避免傷及晶圓1本身，以保有原本晶圓1范圍，通過這種操作，提升制造方法的加工精度，且可以縮短制造方法的加工程序和時(shí)間，提升制造方法的效率。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。