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芯片型天線的制作方法

文檔序號:11707786閱讀:296來源:國知局
芯片型天線的制作方法與工藝
本實(shí)用新型涉及無線通訊
技術(shù)領(lǐng)域
,特別涉及一種芯片型天線。
背景技術(shù)
:隨著無線通訊技術(shù)的快速發(fā)展,電子產(chǎn)品(例如移動電話、個(gè)人數(shù)字助理、筆記型計(jì)算機(jī)、感測設(shè)備等)目前大都具有利用無線通訊來傳輸信號的功能,而無線通訊主要發(fā)射與接收信號的設(shè)備為裝設(shè)于電子產(chǎn)品上的天線,因此,隨著無線通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,天線的需求量也越來越大。為了降低天線本身的制作成本以及符合電子產(chǎn)品的輕、薄、短、小等設(shè)計(jì)要求,目前可無線通訊的電子產(chǎn)品大多數(shù)采用一體積較小的微型天線,來取代體積較大的傳統(tǒng)天線(如桿狀天線)?,F(xiàn)有技術(shù)當(dāng)中,目前使用的微型天線雖然相對傳統(tǒng)天線在體積上有了很大的進(jìn)步,但是整體的體積依然偏大,原因在于,目前使用的微型天線的輻射電極通常布置在基板的表面上,為了滿足無線線號的輻射強(qiáng)度,往往需要設(shè)置足夠的輻射電極,因此要求基板需要足夠大,以布置足夠的輻射電極,從而導(dǎo)致微型天線的整體體積依然偏大。不僅如此,目前使用的微型天線的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,不利于降低天線本身的制作成本。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:基于此,本實(shí)用新型的目的是提供一種體積小的芯片型天線。一種芯片型天線,包括基板、饋入電極、輻射電極及傳輸線,所述饋入電極、所述輻射電極及所述傳輸線設(shè)于所述基板上,所述傳輸線與所述饋入電極連接,所述基板包括第一表面,所述第一表面上設(shè)有一凹槽,所述凹槽的底部設(shè)有一立柱,所述立柱的頂部平面上設(shè)有一輻射金屬片,所述饋入電極設(shè)于所述第一表面上,所述輻射電極設(shè)于所述凹槽內(nèi),所述輻射電極的一端與所述饋入電極電性連接,所述輻射電極的另一端與所述輻射金屬片連接。上述芯片型天線,通過在所述基板上開設(shè)所述凹槽,并將所述輻射電極布置于所述凹槽內(nèi),而不是將所述輻射電極布置在所述基板的表面上,從而使得無需設(shè)置較大體積的基板,即可容納足夠的輻射電極,毫無疑問的降低了所述芯片型天線的體積,并且通過設(shè)置的所述立柱,并在所述立柱的頂部平面上設(shè)置所述輻射金屬片,增大了無線信號的輻射面積和強(qiáng)度,同時(shí)間接的又降低了所述芯片型天線的體積,因此所述芯片型天線的體積小,相對于現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)中的微型天線,其在體積上有了新的突破,并且結(jié)構(gòu)簡單,可降低天線本身的制作成本。進(jìn)一步地,所述輻射電極布置于所述凹槽的內(nèi)壁、所述凹槽的底部及所述立柱的側(cè)表面上,并且所述輻射電極在所述凹槽的內(nèi)壁上呈螺旋狀。進(jìn)一步地,所述輻射電極的一端連接一連接電極,所述連接電極設(shè)于所述第一表面上,且與所述饋入電極電性連接。進(jìn)一步地,所述連接電極與所述饋入電極焊接。進(jìn)一步地,所述芯片型天線還包括一接地電極,所述接地電極設(shè)于所述第一表面上,且至少一部分與所述傳輸線連接。進(jìn)一步地,所述芯片型天線還包括一接地電極,所述接地電極設(shè)于所述第一表面上,且位于所述饋入電極與所述連接電極之間,所述饋入電極、所述接地電極及所述連接電極相互耦合連接。進(jìn)一步地,所述基板還包括相對的兩個(gè)側(cè)表面,所述側(cè)表面與所述第一表面連接,每個(gè)所述側(cè)表面上分別設(shè)有一接地金屬層,所述接地電極的兩端分別對應(yīng)連接一個(gè)所述接地金屬層。進(jìn)一步地,所述基板還包括與所述第一表面相對的第二表面,所述第二表面上設(shè)有接地金屬層,所述第一表面上至少設(shè)有一導(dǎo)通孔,所述導(dǎo)通孔連通所述接地電極與所述接地金屬層。進(jìn)一步地,所述導(dǎo)通孔的內(nèi)壁上涂布有一金屬導(dǎo)電層,以連通所述接地電極與所述接地金屬層。進(jìn)一步地,所述立柱與所述輻射金屬片的整體高度不超過所述凹槽的深度。附圖說明圖1為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中的芯片型天線的另一立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型第三實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號說明基板10饋入電極20輻射電極30連接電極40傳輸線50輻射金屬片60接地電極70接地金屬層80第一表面11凹槽111立柱1111導(dǎo)通孔112如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。具體實(shí)施方式為了便于理解本實(shí)用新型,下面將參照相關(guān)附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本實(shí)用新型的若干實(shí)施例。但是,本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地,提供這些實(shí)施例的目的是使對本實(shí)用新型的公開內(nèi)容更加透徹全面。需要說明的是,當(dāng)元件被稱為“固設(shè)于”另一個(gè)元件,它可以直接在另一個(gè)元件上或者也可以存在居中的元件。當(dāng)一個(gè)元件被認(rèn)為是“連接”另一個(gè)元件,它可以是直接連接到另一個(gè)元件或者可能同時(shí)存在居中元件。本文所使用的術(shù)語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本實(shí)用新型的
技術(shù)領(lǐng)域
的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本實(shí)用新型的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制本實(shí)用新型。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。請參閱圖1至圖2,所示為本實(shí)用新型第一實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖,包括基板10、饋入電極20、輻射電極30、連接電極40、傳輸線50、輻射金屬片60、接地電極70及接地金屬層80。所述基板10由絕緣材料制作而成,且為長條形的板狀結(jié)構(gòu),所述基板10可以為一電路板。所述基板10包括第一表面11,所述第一表面11上開設(shè)有一凹槽111,所述凹槽111的底部設(shè)有一立柱1111,所述凹槽111及所述立柱1111的形狀均呈圓形。所述基板10還包括相對的兩個(gè)側(cè)表面,所述側(cè)表面與所述第一表面11連接,每個(gè)所述側(cè)表面上分別設(shè)有一個(gè)所述接地金屬層80。在其它實(shí)施例當(dāng)中,所述凹槽111及所述立柱1111的形狀還可以為方形、橢圓形、三角形、錐形等。所述饋入電極20由高傳導(dǎo)性的金屬材料(如軟鐵、銅)制作而成。所述饋入電極20設(shè)置在所述第一表面11上。所述輻射電極30由高傳導(dǎo)性的金屬材料(如軟鐵、銅)制作而成。所述輻射電極30布置于所述凹槽111的內(nèi)壁、所述凹槽111的底部及所述立柱1111的側(cè)表面上,所述輻射電極30在所述凹槽111的內(nèi)壁上呈螺旋狀,所述輻射電極30在所述凹槽111的底部及所述立柱1111的側(cè)表面上均呈條狀。所述輻射電極30的一端與所述饋入電極20電性連接,所述輻射電極30的另一端與所述輻射金屬片60連接。需要指出的是,在其它實(shí)施例當(dāng)中,所述輻射電極30在所述凹槽111的底部及所述立柱1111的側(cè)表面上也可以設(shè)置為呈螺旋狀,以進(jìn)一步地增大所述輻射電極30的布設(shè)面積,以增大無線線號的輻射強(qiáng)度。所述連接電極40由高傳導(dǎo)性的金屬材料(如軟鐵、銅)制作而成。所述連接電極40設(shè)置在所述第一表面11上,且靠近所述凹槽111,所述連接電極40連接在所述輻射電極30與所述饋入電極20電性連接的一端,所述連接電極40與所述饋入電極20電性連接,以實(shí)現(xiàn)所述饋入電極20與所述輻射電極30電性連接。通過設(shè)置的所述連接電極40及所述饋入電極20,能夠增大信號的饋入面積,提供效率。所述傳輸線50設(shè)置在所述第一表面11上,且與所述饋入電極20連接。所述傳輸線50用于將需要發(fā)送的信號傳輸?shù)剿鲳伻腚姌O20,或者從所述饋入電極20上接收信號并傳送至控制端(如電路控制板)。所述輻射金屬片60由高傳導(dǎo)性的金屬材料(如軟鐵、銅)制作而成。所述輻射金屬片60設(shè)置于所述立柱1111的頂部平面上,所述輻射金屬片60的大小及形狀與所述立柱1111的頂部平面一致。所述輻射電極30與所述輻射金屬片60連接的一端連接在所述輻射金屬片60的頂部。其中,所述立柱1111與所述輻射金屬片60的整體高度不超過所述凹槽111的深度。所述接地電極70由高傳導(dǎo)性的金屬材料(如軟鐵、銅)制作而成。所述接地電極70設(shè)于所述第一表面11上,且位于所述饋入電極20與所述連接電極40之間,所述饋入電極20、所述接地電極70及所述連接電極40相互耦合連接,以實(shí)現(xiàn)所述饋入電極20與所述輻射電極30電性連接。所述接地電極70的兩端分別對應(yīng)連接一個(gè)所述接地金屬層80。通過將所述饋入電極20、所述接地電極70及所述連接電極40相互耦合連接,以實(shí)現(xiàn)利用電磁耦合的饋入等效地增加了所述芯片型天線的電容性,進(jìn)而抵消所述芯片型天線自身的電抗性,并且能夠調(diào)整出更多樣、更細(xì)微的阻抗匹配。通過設(shè)置的所述接地金屬層80,增大了接地面積,提供了信號的饋入效率。所述芯片型天線在發(fā)送無線信號時(shí),通過所述傳輸線50將待發(fā)送信號發(fā)送給所述饋入電極20,所述饋入電極20將待發(fā)送信號饋入到所述連接電極40上,并隨后輸送到所述輻射電極30上,經(jīng)過所述輻射電極30的傳輸后,最終傳遞到所述輻射金屬片60上,信號在此傳遞過程當(dāng)中,將會產(chǎn)生無線電波。所述芯片型天線在接收無線信號時(shí),當(dāng)所述輻射電極30或所述輻射金屬片60在接收到無線信號時(shí),將會把接收到的信號傳送給所述連接電極40,并隨后饋入到所述饋入電極20,最后將接收到的信號通過所述傳輸線50傳送至控制端(如電路控制板)。綜上,本實(shí)用新型上述實(shí)施例中,通過在所述基板10上開設(shè)所述凹槽111,并將所述輻射電極30布置于所述凹槽111內(nèi),而不是將所述輻射電極30布置在所述基板10的表面上,從而使得無需設(shè)置較大體積的基板,即可容納足夠的輻射電極,毫無疑問的降低了所述芯片型天線的體積,并且將所述輻射電極30在所述凹槽111的內(nèi)壁布置為呈螺旋狀,充分利用了所述凹槽111的空間,進(jìn)一步地降低了所述芯片型天線的體積,同時(shí)通過設(shè)置的所述立柱1111,并在所述立柱1111的頂部平面上設(shè)置所述輻射金屬片60,增大了無線信號的輻射面積和強(qiáng)度,同時(shí)間接的又降低了所述芯片型天線的體積,因此所述芯片型天線的體積小,相對于現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)中的微型天線,其在體積上有了新的突破。不僅如此,所述芯片型天線的結(jié)構(gòu)簡單,降低了天線自身的設(shè)計(jì)成本。請參閱圖3,所示為本實(shí)用新型第二實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖,本實(shí)施例中的芯片型天線與第一實(shí)施例中的芯片型天線大抵相同,不同之處在于本實(shí)施例中的芯片型天線在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上,所述連接電極40與所述饋入電極20直接焊接,以實(shí)現(xiàn)所述饋入電極20與所述輻射電極30的電性連接。同時(shí),所述接地電極70的至少一部分與所述傳輸線50連接,通過所述接地電極70及其兩端的所述接地金屬層80,增大了接地面積,提供了所述傳輸線50傳輸信號的效率,進(jìn)而提高了所述芯片型天線的無線信號傳輸效率。請參閱圖4,所示為本實(shí)用新型第三實(shí)施例中的芯片型天線的立體結(jié)構(gòu)示意圖,本實(shí)施例中的芯片型天線與第一實(shí)施例中的芯片型天線大抵相同,不同之處在于本實(shí)施例中的芯片型天線在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上,所述基板10上只設(shè)有一個(gè)所述接地金屬層80,且設(shè)置在所述基板10相對所述第一表面11的第二表面上,所述接地金屬層80與所述第二表面的大小形狀一致。同時(shí)所述第一表面11上至少設(shè)有一個(gè)導(dǎo)通孔112,所述導(dǎo)通孔112連通所述接地電極70與所述接地金屬層80。在本實(shí)施例當(dāng)中,所述第一表面11上設(shè)置有兩個(gè)所述導(dǎo)通孔112。進(jìn)一步地,所述導(dǎo)通孔112的內(nèi)壁上涂布有一金屬導(dǎo)電層(圖未示),以連通所述接地電極70與所述接地金屬層80。以上該實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此,本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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