專利名稱：Mos組開(kāi)關(guān)單元及包含其的天線發(fā)射電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種開(kāi)關(guān)單元，尤其涉及一種應(yīng)用在EAS天線發(fā)射電路中的 M0S組開(kāi)關(guān)單元。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)脈沖發(fā)射式聲磁EAS系統(tǒng)常常需要發(fā)射電路產(chǎn)生并向天線組的每個(gè)獨(dú)立 天線發(fā)射一組高壓的脈沖序列。如圖1所示，圖1中上方信號(hào)是發(fā)射信號(hào)，下方信 號(hào)是標(biāo)簽信號(hào)。當(dāng)有攜帶標(biāo)簽的商品通過(guò)監(jiān)測(cè)區(qū)域的時(shí)候，標(biāo)簽的諧振裝置就會(huì)被 脈沖形式的發(fā)射磁場(chǎng)激活，并且諧振產(chǎn)生一個(gè)相同頻率的和發(fā)射脈沖相對(duì)應(yīng)的標(biāo)簽 諧振信號(hào)的脈沖序列，標(biāo)簽的諧振信號(hào)通常在發(fā)射脈沖結(jié)束后拖出一個(gè)衰減的尾巴 l(指數(shù)衰減的形式)。接收電路要在每個(gè)發(fā)射脈沖結(jié)束的相鄰時(shí)間的接收窗口 2接 收這個(gè)衰減的尾巴1并進(jìn)行放大，從而確認(rèn)是否有標(biāo)簽的衰減的尾巴信號(hào)的存在。
圖1所示的情況是一種理想狀態(tài)，實(shí)際情況如圖2所示。圖2中上方信號(hào)是 發(fā)射信號(hào)，下方信號(hào)是標(biāo)簽信號(hào)。發(fā)射機(jī)在天線上的高壓大能量脈沖不能馬上在時(shí) 刻tl這個(gè)脈沖結(jié)束點(diǎn)衰減，也有一個(gè)衰減的尾巴3，會(huì)和標(biāo)簽信號(hào)衰減的尾巴1 重疊并且頻率一致。要接收的EAS標(biāo)簽衰減尾巴1是很微弱的小信號(hào)，因而接收窗 口2如果在時(shí)刻tl打開(kāi)，不避開(kāi)發(fā)射脈沖的尾巴3，則收到的標(biāo)簽尾巴信號(hào)l就 會(huì)全部淹沒(méi)在發(fā)射的衰減信號(hào)中。然而，在時(shí)刻t2打開(kāi)的接收窗口2如果避開(kāi)發(fā) 射信號(hào)的尾巴太遠(yuǎn)(亦即延時(shí)時(shí)間At)，又會(huì)因?yàn)闃?biāo)簽信號(hào)幅度太小(標(biāo)簽信號(hào) 幅度是隨時(shí)間呈指數(shù)衰減速度)導(dǎo)致監(jiān)測(cè)不到或者監(jiān)測(cè)的靈敏度下降。
所以如何能讓接收窗口盡早的打開(kāi)(亦即減小延時(shí)時(shí)間M),從而收到盡可 能還未衰減的大幅度標(biāo)簽信號(hào)對(duì)系統(tǒng)性能十分重要。所以這也等效于如何讓發(fā)射機(jī) 在時(shí)刻tl關(guān)斷后，天線上的能量衰減越快越好，尾巴3越短越好。
通常傳統(tǒng)的EAS系統(tǒng)是通過(guò)雙向可控硅來(lái)開(kāi)通和關(guān)斷天線， 一個(gè)目的是通過(guò) 多個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制不同天線通道，另一個(gè)目的是通過(guò)開(kāi)關(guān)隔斷發(fā)射線圈的殘留電壓，
讓其盡快的衰減掉，從而能夠更早打開(kāi)接收窗口。但是用可控硅做開(kāi)關(guān)有如下幾 點(diǎn)不足(1)可控硅由于開(kāi)啟電壓?jiǎn)栴}而有很大的開(kāi)關(guān)角，從而造成交流信號(hào)波 形失真，諧波噪聲大；(2)可控硅電阻小，在發(fā)射脈沖關(guān)斷后，殘余噪聲在較小 的關(guān)斷電阻上影響很大。
M0S場(chǎng)效應(yīng)管器件雖然沒(méi)有可控硅的開(kāi)關(guān)角問(wèn)題，而且關(guān)斷電阻也比可控硅大 一個(gè)數(shù)量級(jí)，但是由于MOS場(chǎng)效應(yīng)管通常只能控制單邊信號(hào)，要么是開(kāi)通正信號(hào)，
要么是開(kāi)通負(fù)信號(hào)，所以也不能用于EAS發(fā)射電路的交流AC信號(hào)的開(kāi)關(guān)。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種M0S組開(kāi)關(guān)單元，可作為高壓交流雙向開(kāi)關(guān) 使用。
本實(shí)用新型的另一目的在于提供一種包含M0S組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路， 擁有更大的關(guān)斷電阻，能隔離天線的殘余信號(hào)并然天線的殘余信號(hào)衰減的更快， 能讓接收窗口電路更早的打開(kāi)而不受到天線殘余衰減信號(hào)的影響。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為本實(shí)用新型提出了一種MOS組開(kāi)關(guān)單元，包括
由兩個(gè)MOS管串聯(lián)形成的MOS組，
開(kāi)關(guān)控制模塊，同時(shí)連接并控制該兩個(gè)MOS管，開(kāi)通或關(guān)斷該兩個(gè)MOS管 接收到的發(fā)射信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列以形成指定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射脈沖。
上述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其中，該兩個(gè)MOS管的源極接地，柵極作為該 MOS組的控制極，該兩個(gè)MOS管的漏極的其中之一作為電子開(kāi)關(guān)的輸入端，其中 另一作為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。
上述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其中，該開(kāi)關(guān)控制模塊是光耦，該光耦設(shè)有信號(hào)控 制輸入端和控制輸出腳，該MOS組的控制極連接該光耦的控制輸出腳，外部信號(hào) 透過(guò)該信號(hào)控制輸入端，通過(guò)控制該光耦開(kāi)通和截止從而打開(kāi)或關(guān)閉該MOS組。
上述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其中，該光耦包括
發(fā)光二極管， 一端作為該信號(hào)控制輸入端；
三極管，其發(fā)射極接地，集電極作為該光耦的控制輸出腳，基極連接一電源， 該集電極通過(guò)一電阻與該電源連接。
本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其中包括
至少一個(gè)發(fā)射天線； 功放電路，輸出一發(fā)射信號(hào)； 控制電路，輸出至少一個(gè)控制信號(hào)；
至少一個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元，連接該功放電路到該開(kāi)關(guān)單元對(duì)應(yīng)的一個(gè)或者多 個(gè)發(fā)射天線，開(kāi)通和關(guān)斷該功放電路的發(fā)射信號(hào)，該MOS組開(kāi)關(guān)單元進(jìn)一步包括: 由兩個(gè)MOS管串聯(lián)形成的MOS組，該MOS管的寄生電容和該發(fā)射天 線的線圈在發(fā)射脈沖結(jié)束后諧振產(chǎn)生遠(yuǎn)離標(biāo)簽和系統(tǒng)工作頻率的高頻殘余電壓；
開(kāi)關(guān)控制模塊，同時(shí)連接并控制該兩個(gè)MOS管，在該控制電路的控制信 號(hào)下，開(kāi)通或關(guān)斷該兩個(gè)MOS管接收到的發(fā)射信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列以形成指 定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射脈沖.
上述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其中，該兩個(gè)MOS管的源極 接地，柵極作為該MOS組的控制極，該兩個(gè)MOS管的漏極其中之一作為電子開(kāi) 關(guān)的輸入端,其中另一作為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。
上述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其中，該開(kāi)關(guān)控制模塊是光耦， 該光耦設(shè)有信號(hào)控制輸入端和控制輸出腳，該MOS組的控制極連接該光耦的控制 輸出腳，外部信號(hào)透過(guò)該信號(hào)控制輸入端，通過(guò)控制該光耦開(kāi)通和截止打開(kāi)或關(guān)閉 該MOS組。
上述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其中，該光耦包括 發(fā)光二極管， 一端作為該信號(hào)控制輸入端；
三極管，其發(fā)射極接地，集電極作為該光耦的控制輸出腳，基極連接一電源， 該集電極通過(guò)一 電阻與該電源連接。
上述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其中，該發(fā)射天線是8字天線 或O字天線。
本實(shí)用新型對(duì)比現(xiàn)有技術(shù)，有如下的有益效果
1. 本實(shí)用新型通過(guò)將兩個(gè)MOS管器件串聯(lián)組成，可以承受高壓，適應(yīng)EAS天線上 所需要的數(shù)千伏電壓的情況，可以作為高壓交流雙向開(kāi)關(guān)使用。
2. 同時(shí)，M0S管關(guān)斷電阻比可控硅大很多，這樣發(fā)射脈沖關(guān)斷后，殘余的噪聲在 較大的關(guān)斷電阻上體現(xiàn)出尾巴幅度小、衰減快，所以接收窗口可以更早打開(kāi)， 從而接收到更大的58KHz標(biāo)簽部分信號(hào)(接收窗口開(kāi)得越早，58KHz標(biāo)簽信號(hào)
衰減的程度就越小，信號(hào)幅度也越大)，系統(tǒng)的靈敏度和檢測(cè)距離都有提高。
3.此外，本實(shí)用新型利用M0S管的寄生電容和天線諧振產(chǎn)生一個(gè)遠(yuǎn)離58KHz (EAS 系統(tǒng)中標(biāo)簽部分的工作頻率)的高頻殘余電壓諧振頻率(lMHz 2MHz)，然后 自然衰減。由于MOS組開(kāi)關(guān)單元?dú)堄嗨p的尾巴信號(hào)的頻率不被在系統(tǒng)工作頻 率58KHz上，從而減小了發(fā)射脈沖關(guān)斷后接收窗口收到的58KHz同頻的標(biāo)簽信 號(hào)的噪聲干擾，可以在后續(xù)的接收電路中很容易的被濾波電路過(guò)濾掉，系統(tǒng)的 靈敏度和檢測(cè)距離都大大得以提高。


圖1是EAS聲磁系統(tǒng)在理想狀態(tài)下的原理示意圖。
圖2是傳統(tǒng)的EAS聲磁系統(tǒng)的原理示意圖。
圖3是本實(shí)用新型的MOS組開(kāi)關(guān)單元的實(shí)施例的電路圖。
圖4是本實(shí)用新型的包含M0S組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路的框圖。
圖5是本實(shí)用新型的MOS組開(kāi)關(guān)單元關(guān)斷后的殘余電壓衰減情況示意圖。
圖6是本實(shí)用新型的信號(hào)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。 圖3示出了本實(shí)用新型的M0S組開(kāi)關(guān)單元的實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參見(jiàn)圖 3，在單個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元中，M0S管Q8、 Q9串聯(lián)形成M0S組，它們的源極相 連后接地GND，柵極連接在一起以作為MOS組的控制極，MOS管Q8的漏極作為 電子開(kāi)關(guān)的輸入端，MOS管Q9的漏極作為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。這兩個(gè)MOS管 Q8、 Q9的串聯(lián)，使其可以承受高電壓，該MOS組可作為高壓交流雙向開(kāi)關(guān)來(lái)使 用。M0S管Q8的漏極(亦即電子開(kāi)關(guān)的輸入端)接收信號(hào)(例如發(fā)射天線的發(fā) 射信號(hào))，開(kāi)關(guān)控制模塊(未圖示)同時(shí)連接并控制這兩個(gè)M0S管Q8、 Q9，通 過(guò)對(duì)該天線發(fā)射信號(hào)的開(kāi)通和關(guān)斷以產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列，形成指定脈沖長(zhǎng)度的 高能量發(fā)射脈沖，并且形成一個(gè)時(shí)間序列。在本實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)控制模塊可以 是光耦U131，光耦U131由發(fā)光二極管10和三極管20構(gòu)成，發(fā)光二極管10的 一端用作光耦U131的信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa。三極管20的發(fā)射極和MOS管的
源極相連，即接地GND，三極管20的集電極作為光耦U131的控制輸出腳5， 三極管20的基極連接一電源(14V)，集電極通過(guò)電阻R262連接該電源。MOS 管Q8、 Q9的柵極(即MOS組的控制極)連接到三極管20的集電極(即光耦U131 的控制引腳5)。
光耦U131在信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa輸入高電平時(shí)，發(fā)光二極管IO發(fā)光， 左邊的三極管20打開(kāi)，三極管的發(fā)射極引腳4和集電極引腳5導(dǎo)通，使得MOS 管的柵極和源極都是地電平GND，這樣MOS管的柵極和源極之間的電壓Vgs = 0V，因此M0S管Q8、 Q9關(guān)閉。
相反，光耦U131在信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa輸入低電平時(shí)，三極管20截 止，集電極引腳5被14V的電源拉高，由于M0S管Q8、 Q9的源極仍是地電平 GND，使得MOS管Q8、 Q9的柵極和源極之間存在電壓差Vgs=14V，從而打開(kāi) M0S管Q8、 Q9。
M0S管Q8、 Q9以這樣的方式串聯(lián)連接，可以使得交流過(guò)零信號(hào)通過(guò)MOS組 開(kāi)關(guān)，而傳統(tǒng)的MOS管單個(gè)作為開(kāi)關(guān)管只能通過(guò)單邊信號(hào)，即正信號(hào)或者負(fù)信 號(hào)。
應(yīng)理解，上述的光耦U131僅是開(kāi)關(guān)控制模塊的一個(gè)示例，只要是起到同 樣作用的器件或電路，均可作為開(kāi)關(guān)控制模塊。
圖4示出了采用上述實(shí)施例的M0S組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路。請(qǐng)參見(jiàn)圖 4，在天線發(fā)射電路中，功放電路30輸出發(fā)射天線信號(hào)，分別由第一個(gè)MOS組 開(kāi)關(guān)單元50、第二個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元51所接收?？刂齐娐?0產(chǎn)生兩個(gè)控制信 號(hào)，分別輸入至兩個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元50、 51的信號(hào)控制端。這兩個(gè)MOS組開(kāi) 關(guān)單元50、 51的輸出端各自連接發(fā)射天線線圈和諧振電容，其中與MOS組開(kāi) 關(guān)單元50相連的天線線圈60和諧振電容70是O字天線，與MOS組開(kāi)關(guān)單元 51相連的天線線圈61和諧振電容71是8字天線。
控制信號(hào)①用于對(duì)O字天線進(jìn)行控制，控制信號(hào)②用于對(duì)8字天線進(jìn)行控 制，如圖6所示。圖6所示的信號(hào)從上至下依次是0字發(fā)射天線控制信號(hào)、O 字發(fā)射天線信號(hào)、8字發(fā)射天線控制信號(hào)、8字發(fā)射天線信號(hào)。從圖4和圖6 中可以看出，通過(guò)控制信號(hào)①、②控制這兩個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元50、 51來(lái)控制 相應(yīng)的O字天線或8字天線，輪流切換來(lái)推動(dòng)8字天線和O字天線交替工作，這樣只需要一個(gè)發(fā)射電路就可以控制2個(gè)或以上的發(fā)射天線在各自的時(shí)間段工 作。這里的0字天線和8字天線協(xié)同共用一個(gè)功放電路30進(jìn)行交替切換工作。
應(yīng)理解，本實(shí)施例僅以2個(gè)M0S組開(kāi)關(guān)單元作為示例，如有更多的MOS組 開(kāi)關(guān)單元和發(fā)射天線，則以此類推，在此不再贅述。
MOS組開(kāi)關(guān)單元的內(nèi)部結(jié)構(gòu)請(qǐng)參見(jiàn)圖3，在單個(gè)MOS組幵關(guān)單元中，MOS管 Q8、 Q9串聯(lián)形成MOS組，它們的源極相連后接地GND，柵極連接在一起以作為 M0S組的控制極，M0S管Q8的漏極作為電子開(kāi)關(guān)的輸入端，M0S管Q9的漏極作 為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。這兩個(gè)M0S管Q8、 Q9的串聯(lián)，使其可以承受高電壓， 該MOS組可作為高壓交流雙向開(kāi)關(guān)來(lái)使用。MOS管Q8的漏極接收發(fā)射天線的發(fā) 射信號(hào)，開(kāi)關(guān)控制模塊(未圖示)同時(shí)連接并控制這兩個(gè)M0S管Q8、 Q9，通過(guò) 對(duì)該信號(hào)的幵通和關(guān)斷以產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列，形成指定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射 脈沖，并且形成一個(gè)時(shí)間序列。在本實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)控制模塊是光耦U131，光 耦U131由發(fā)光二極管10和三極管20構(gòu)成，發(fā)光二極管10的一端用作光耦U131 的信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa。三極管20的發(fā)射極和MOS管的源極相連，即接地 GND，三極管20的集電極作為光耦U131的控制輸出腳5，三極管20的基極連 接一電源(14V)，集電極通過(guò)電阻R262連接該電源。MOS管Q8、 Q9的柵極(即 MOS組的控制極)連接到三極管20的集電極(即光耦U131的控制引腳5)。
光耦U131在信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa輸入高電平時(shí)，發(fā)光二極管10發(fā)光， 左邊的三極管20打開(kāi)，三極管的發(fā)射極引腳4和集電極引腳5導(dǎo)通，使得MOS 管的柵極和源極都是地電平GND，這樣MOS管的柵極和源極之間的電壓Vgs = 0V，因此M0S管Q8、 Q9關(guān)閉。
相反，光耦U131在信號(hào)控制輸入端Ctr-Oa輸入低電平時(shí)，三極管20截 止，集電極引腳5被14V的電源拉高，由于M0S管Q8、 Q9的源極仍是地電平 GND，使得MOS管Q8、 Q9的柵極和源極之間存在電壓差Vgs=14V，從而打開(kāi) M0S管Q8、 Q9。
M0S管Q8、 Q9以這樣的方式串聯(lián)連接，可以使得交流過(guò)零信號(hào)通過(guò)MOS組 開(kāi)關(guān)，而傳統(tǒng)的MOS管單個(gè)作為開(kāi)關(guān)管只能通過(guò)單邊信號(hào)，即正信號(hào)或者負(fù)信 號(hào)。
此外，MOS管Q8、 Q9的寄生電容和天線諧振產(chǎn)生一個(gè)遠(yuǎn)離58KHz (EAS系統(tǒng)
中標(biāo)簽部分的工作頻率)的高頻殘余電壓諧振頻率(lMHz 2MHz)，然后自然衰減 (如圖5所示)。由于M0S組開(kāi)關(guān)單元Q8、 Q9殘余衰減的尾巴信號(hào)的頻率不被在 系統(tǒng)工作頻率58KHz上，從而減小了發(fā)射脈沖關(guān)斷后接收窗口收到的58KHz同頻的 標(biāo)簽信號(hào)的噪聲干擾，可以在后續(xù)的接收電路中很容易的被濾波電路過(guò)濾掉，系統(tǒng) 的靈敏度和檢測(cè)距離都大大得以提高。
上述實(shí)施例是提供給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)實(shí)現(xiàn)或使用本實(shí)用新型的，本 領(lǐng)域普通技術(shù)人員可在不脫離本實(shí)用新型的發(fā)明思想的情況下，對(duì)上述實(shí)施例 做出種種修改或變化，因而本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不被上述實(shí)施例所限，而 應(yīng)該是符合權(quán)利要求書(shū)提到的創(chuàng)新性特征的最大范圍。
權(quán)利要求1、一種MOS組開(kāi)關(guān)單元，其特征在于，包括由兩個(gè)MOS管串聯(lián)形成的MOS組，開(kāi)關(guān)控制模塊，同時(shí)連接并控制該兩個(gè)MOS管，開(kāi)通或關(guān)斷該兩個(gè)MOS管接收到的發(fā)射信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列以形成指定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射脈沖。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其特征在于，該兩個(gè)MOS管 的源極接地，柵極作為該MOS組的控制極，該兩個(gè)MOS管的漏極的其中之一作 為電子開(kāi)關(guān)的輸入端,其中另一作為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其特征在于，該開(kāi)關(guān)控制模塊 是光耦，該光耦設(shè)有信號(hào)控制輸入端和控制輸出腳，該MOS組的控制極連接該光 耦的控制輸出腳，外部信號(hào)透過(guò)該信號(hào)控制輸入端，通過(guò)控制該光耦開(kāi)通和截止從 而打開(kāi)或關(guān)閉該MOS組。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的MOS組開(kāi)關(guān)單元，其特征在于，該光 耦包括發(fā)光二極管， 一端作為該信號(hào)控制輸入端；三極管，其發(fā)射極接地，集電極作為該光耦的控制輸出腳，基極連接一電源， 該集電極通過(guò)一電阻與該電源連接。
5、 一種包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其特征在于，包括 至少一個(gè)發(fā)射天線；功放電路，輸出一發(fā)射信號(hào)； 控制電路，輸出至少一個(gè)控制信號(hào)；至少一個(gè)MOS組開(kāi)關(guān)單元，連接該功放電路到該開(kāi)關(guān)單元對(duì)應(yīng)的一個(gè)或者多 個(gè)發(fā)射天線，開(kāi)通和關(guān)斷該功放電路的發(fā)射信號(hào)，該MOS組開(kāi)關(guān)單元進(jìn)一步包括: 由兩個(gè)MOS管串聯(lián)形成的MOS組，該MOS管的寄生電容和該發(fā)射天線的線圈在發(fā)射脈沖結(jié)束后諧振產(chǎn)生遠(yuǎn)離標(biāo)簽和系統(tǒng)工作頻率的高頻殘余電壓；開(kāi)關(guān)控制模塊，同時(shí)連接并控制該兩個(gè)MOS管，在該控制電路的控制信 號(hào)下，開(kāi)通或關(guān)斷該兩個(gè)MOS管接收到的發(fā)射信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列以形成指 定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射脈沖.
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其特征在 于，該兩個(gè)MOS管的源極接地，柵極作為該MOS組的控制極，該兩個(gè)MOS管的 漏極其中之一作為電子開(kāi)關(guān)的輸入端,其中另一作為電子開(kāi)關(guān)的輸出端。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其特征在 于，該開(kāi)關(guān)控制模塊是光耦，該光耦設(shè)有信號(hào)控制輸入端和控制輸出腳，該MOS 組的控制極連接該光耦的控制輸出腳，外部信號(hào)透過(guò)該信號(hào)控制輸入端，通過(guò)控制 該光耦開(kāi)通和截止打開(kāi)或關(guān)閉該MOS組。
8、 根據(jù)權(quán)利要求5 7中任一項(xiàng)所述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路， 其特征在于，該光耦包括發(fā)光二極管， 一端作為該信號(hào)控制輸入端；三極管，其發(fā)射極接地，集電極作為該光耦的控制輸出腳，基極連接一電源， 該集電極通過(guò)一電阻與該電源連接。
9、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，其特征在 于，該發(fā)射天線是8字天線或0字天線。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種MOS組開(kāi)關(guān)單元，可作為高壓交流雙向開(kāi)關(guān)使用，還公開(kāi)了包含MOS組開(kāi)關(guān)單元的天線發(fā)射電路，擁有更大的關(guān)斷電阻，能隔離天線的殘余信號(hào)并然天線的殘余信號(hào)衰減的更快，能讓接收窗口電路更早的打開(kāi)而不受到天線殘余衰減信號(hào)的影響。其技術(shù)方案為MOS組開(kāi)關(guān)單元包括由兩個(gè)MOS管串聯(lián)形成的MOS組，開(kāi)關(guān)控制模塊，同時(shí)連接并控制該兩個(gè)MOS管，開(kāi)通或關(guān)斷該兩個(gè)MOS管接收到的發(fā)射信號(hào)，產(chǎn)生一個(gè)脈沖序列以形成指定脈沖長(zhǎng)度的高能量發(fā)射脈沖。本實(shí)用新型應(yīng)用于天線發(fā)射電路。
文檔編號(hào)H04B1/40GK201178408SQ20072007462
公開(kāi)日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月13日
發(fā)明者楊曉暉, 鄧春賢 申請(qǐng)人:上海維恩佳得數(shù)碼科技有限公司