本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種顯示基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件(oled)由于具有自發(fā)光、高亮度、高對(duì)比度、低工作電壓、可柔性顯示等特點(diǎn)，被稱為最有應(yīng)用前景的顯示器件。

柔性oled顯示基板在制備時(shí)，一般是先在顯示母板的基底上先形成緩沖層(buffer層)，再形成多個(gè)oled、oled驅(qū)動(dòng)電路以及層間絕緣層等?；追譃槎鄠€(gè)顯示區(qū)和將顯示區(qū)隔開的間隔區(qū)，沿間隔區(qū)切割顯示母板，可將顯示母板切割為多個(gè)包括顯示區(qū)和部分間隔區(qū)(即邊緣區(qū))的柔性oled顯示基板。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用激光切割的方式對(duì)顯示母板進(jìn)行切割。由于激光切割本身存在一定的燒蝕距離，而緩沖層通常由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，因此，在激光切割時(shí)很容易造成oled顯示基板邊緣區(qū)處的緩沖層發(fā)生斷裂(crack)，進(jìn)而使水汽、氧氣等滲透進(jìn)入，造成oled顯示基板邊緣信賴性存在問(wèn)題，影響其壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提供一種可以避免因緩沖層斷裂影響顯示基板壽命的顯示基板。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示基板，包括襯底基板和設(shè)于所述襯底基板上的緩沖層，所述襯底基板分為顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的邊緣區(qū)；

所述緩沖層設(shè)于所述襯底基板的顯示區(qū)和部分所述邊緣區(qū)，所述邊緣區(qū)中無(wú)緩沖層的位置為凹槽；

所述襯底基板上還設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)，所述阻擋結(jié)構(gòu)至少位于所述凹槽中。

優(yōu)選的，所述凹槽構(gòu)成至少一個(gè)環(huán)繞所述顯示區(qū)的環(huán)形。

優(yōu)選的，所述阻擋結(jié)構(gòu)包括位于凹槽位置的主體部以及從主體部延伸至邊緣區(qū)中的緩沖層上的延伸部。

優(yōu)選的，所述阻擋結(jié)構(gòu)與所述顯示基板的側(cè)邊的距離大于或等于100微米。

優(yōu)選的，顯示基板還包括：

設(shè)于所述顯示區(qū)的源漏層，所述源漏層設(shè)于所述緩沖層上方；

所述阻擋結(jié)構(gòu)與所述源漏層同層設(shè)置。

優(yōu)選的，顯示基板還包括：

層間絕緣層，所述層間絕緣層設(shè)于所述緩沖層和所述阻擋結(jié)構(gòu)上方。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的另一技術(shù)方案是一種顯示基板的制備方法，包括：

在顯示母板的基底上方形成緩沖層，所述基底分為多個(gè)顯示區(qū)域和用于將所述顯示區(qū)域隔開的間隔區(qū)；

將部分所述間隔區(qū)中的緩沖層除去，形成凹槽；

至少在所述凹槽位置形成阻擋結(jié)構(gòu)；

將完成上述步驟的顯示母板切割為多個(gè)顯示基板，其中切割得到的每個(gè)所述顯示基板包括顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的邊緣區(qū)，所述邊緣區(qū)為部分所述間隔區(qū)，且所述邊緣區(qū)中設(shè)有所述凹槽和阻擋結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述阻擋結(jié)構(gòu)包括位于凹槽位置的主體部以及從主體部延伸至邊緣區(qū)中的緩沖層上的延伸部。

優(yōu)選的，所述基底上還包括設(shè)于所述顯示區(qū)的源漏層，所述源漏層設(shè)于所述緩沖層上方；

所述阻擋結(jié)構(gòu)與源漏層是在同一次構(gòu)圖工藝中形成的。

優(yōu)選的，所述在所述凹槽位置形成阻擋結(jié)構(gòu)之后還包括：

在所述緩沖層和所述阻擋結(jié)構(gòu)上方形成層間絕緣層。

本發(fā)明的顯示基板包括襯底基板和緩沖層，襯底基板分為顯示區(qū)和邊緣區(qū)，緩沖層覆蓋襯底基板的顯示區(qū)和部分邊緣區(qū)，而邊緣區(qū)域中沒(méi)有緩沖層的區(qū)域(即凹槽位置)則設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)，由于該阻擋結(jié)構(gòu)的存在，可使在制備該顯示基板時(shí)，避免激光燒蝕造成顯示區(qū)的緩沖層斷裂，從而避免對(duì)顯示基板產(chǎn)生影響。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的實(shí)施例1的顯示基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明的實(shí)施例1的顯示基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明的實(shí)施例1的顯示基板的部分截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4和5為使用本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中形成緩沖層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為使用本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中形成溝槽的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為使用本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中形成阻擋結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖8為使用本發(fā)明的實(shí)施例2的顯示基板的制備方法中形成緩沖層的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

如圖1值3所示，本實(shí)施例提供一種顯示基板1，該顯示基板1優(yōu)選為用于有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示裝置的陣列基板。

如圖1和2所示，該顯示基板1板包括襯底基板2和設(shè)于襯底基板2上的緩沖層3，襯底基板2分為顯示區(qū)1-1和位于顯示區(qū)1-1外圍的邊緣區(qū)1-2；緩沖層3設(shè)于襯底基板2的顯示區(qū)1-1和部分邊緣區(qū)1-2，邊緣區(qū)1-2中無(wú)緩沖層3的位置為凹槽；襯底基板2上還設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)4，阻擋結(jié)構(gòu)4至少位于凹槽中。

具體的，如圖1至3所示，襯底基板2上分為顯示區(qū)1-1和邊緣區(qū)1-2，顯示區(qū)1-1中設(shè)有薄膜晶體管(tft，圖中未示出)、oled器件6等元器件，邊緣區(qū)1-2環(huán)繞于顯示區(qū)1-1的外圍，其中無(wú)直接用于顯示的結(jié)構(gòu)。緩沖層3覆蓋襯底基板2的大部分區(qū)域(包括全部顯示區(qū)1-1和部分邊緣區(qū)1-2)，其用于使其上的其它結(jié)構(gòu)與襯底基板2更緊密的結(jié)合，而邊緣區(qū)1-2域中沒(méi)有緩沖層3的區(qū)域(即凹槽位置)則設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)4，利用該阻擋結(jié)構(gòu)4可將緩沖層3分為靠近顯示區(qū)1-1和遠(yuǎn)離顯示區(qū)1-1的部分，從而，在制備該顯示基板1時(shí)，即使激光燒蝕造成遠(yuǎn)離顯示區(qū)1-1的部分緩沖層3產(chǎn)生斷裂，也不會(huì)影響到靠近顯示區(qū)1-1的部分緩沖層3，從而避免對(duì)顯示基板1產(chǎn)生影響。

優(yōu)選的，襯底基板2為柔性襯底基板，其可由柔性材料形成，例如金屬薄膜、超薄玻璃等。

優(yōu)選的，阻擋結(jié)構(gòu)4與顯示基板1的側(cè)邊的距離大于或等于100微米。

其中，顯示基板1的側(cè)邊指顯示基板1最外側(cè)的各側(cè)邊。顯示基板1是由顯示母板經(jīng)激光切割而成的，激光燒蝕的距離約為80微米，本實(shí)施例中，為了避免阻擋結(jié)構(gòu)4被激光燒蝕破壞，優(yōu)選將阻擋結(jié)構(gòu)4與顯示基板1的側(cè)邊的距離設(shè)置大于或等于100微米，當(dāng)然，具體的距離值可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置，在此不再贅述。

優(yōu)選的，凹槽構(gòu)成至少一個(gè)環(huán)繞顯示區(qū)1-1的環(huán)形。

如圖1所示，凹槽呈環(huán)繞顯示區(qū)1-1的環(huán)形，也就是說(shuō)，阻擋結(jié)構(gòu)4呈環(huán)繞顯示區(qū)1-1的環(huán)形結(jié)構(gòu)，將顯示區(qū)1-1的緩沖層3完全與顯示基板1最外側(cè)的緩沖層3分隔開來(lái)，從而有效避免在顯示基板1制備過(guò)程中激光燒蝕對(duì)顯示區(qū)1-1的緩沖層3造成影響。進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖3所示，凹槽構(gòu)成兩個(gè)環(huán)繞顯示區(qū)1-1的同心環(huán)形，從而能夠進(jìn)一步保護(hù)顯示區(qū)1-1的緩沖層3。

優(yōu)選的，顯示基板1還包括：層間絕緣層5，層間絕緣層5設(shè)于緩沖層3和阻擋結(jié)構(gòu)4上方。

層間絕緣層5可用于不同顯示結(jié)構(gòu)間的絕緣(例如源漏層與電極)，如圖2所示，其覆蓋顯示基板1的全部區(qū)域，且在邊緣區(qū)1-2中，層間絕緣層5(ild層)與緩沖層3或者阻擋結(jié)構(gòu)4直接接觸。

優(yōu)選的，阻擋結(jié)構(gòu)4包括位于凹槽位置的主體部4-1以及從主體部4-1延伸至邊緣區(qū)1-2中的緩沖層3上的延伸部4-2。

由于水汽、氧氣等可能會(huì)從緩沖層3與層間絕緣層5之間的層間間隙中滲入，影響顯示區(qū)1-1中的oled器件6的性能和壽命。故本實(shí)施例中，優(yōu)選的，如圖2所示，阻擋結(jié)構(gòu)4包括主體部4-1和延伸部4-2，延伸部4-2覆蓋部分緩沖層3，即阻擋結(jié)構(gòu)4突出于緩沖層3表面，從而，相對(duì)于厚度與緩沖層3持平的阻擋結(jié)構(gòu)4，上述阻擋結(jié)構(gòu)4能夠變相增大層間絕緣層5與位于其下方的結(jié)構(gòu)的接觸面積(即與緩沖層3和阻擋結(jié)構(gòu)4的接觸面積之和)，也就是說(shuō)，上述阻擋結(jié)構(gòu)4能夠延長(zhǎng)并改變水汽、氧氣等滲入顯示基板1的路徑，從而進(jìn)一步有效減少水汽、氧氣等進(jìn)入顯示區(qū)1-1，進(jìn)而提高顯示基板1的邊緣封裝特性以及顯示基板1的壽命。

優(yōu)選的，阻擋結(jié)構(gòu)4由金屬材料形成，可以將有效阻擋水汽、氧氣等滲入顯示基板1。

優(yōu)選的，顯示基板1還包括：設(shè)于顯示區(qū)1-1的源漏層，源漏層設(shè)于緩沖層3上方；阻擋結(jié)構(gòu)4與源漏層同層設(shè)置。

顯示區(qū)1-1的緩沖層3上方設(shè)有tft結(jié)構(gòu)(圖中未示出)，阻擋結(jié)構(gòu)4優(yōu)選與其中的源漏層(即源、漏電極)同層設(shè)置，這樣，可在制備源漏層的同時(shí)形成阻擋結(jié)構(gòu)4，從而不用再單獨(dú)增加制備阻擋結(jié)構(gòu)4的步驟，簡(jiǎn)化制備工藝。源漏層通常由金屬材料形成，例如鈦、鋁等。對(duì)應(yīng)源漏層的形成材料，本實(shí)施例中，阻擋結(jié)構(gòu)4可以由鈦、鋁等金屬構(gòu)成一層或者多層結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，如圖3所示，顯示區(qū)1-1中，層間絕緣層5的上方設(shè)有oled器件6、阻水圍堰7、第一無(wú)機(jī)阻水層8、第一有機(jī)緩沖層9、第二無(wú)機(jī)阻水層10等結(jié)構(gòu)。其中，oled器件6與阻水圍堰7設(shè)于層間絕緣層5上，且阻水圍堰7相對(duì)oled器件6更靠近邊緣區(qū)1-2，第一無(wú)機(jī)阻水層8設(shè)于oled器件6和阻水圍堰7上，覆蓋全部顯示區(qū)1-1，第一有機(jī)緩沖層9對(duì)應(yīng)oled器件6設(shè)于第一無(wú)機(jī)阻水層8上，第二無(wú)機(jī)阻水層10設(shè)于第一有機(jī)緩沖層9上，覆蓋全部顯示區(qū)1-1。

本實(shí)施例提供了一種顯示基板1，包括襯底基板2和緩沖層3，襯底基板2分為顯示區(qū)1-1和邊緣區(qū)1-2，緩沖層3覆蓋襯底基板2的顯示區(qū)1-1和部分邊緣區(qū)1-2，而邊緣區(qū)1-2域中沒(méi)有緩沖層3的區(qū)域(即凹槽位置)則設(shè)有阻擋結(jié)構(gòu)4，由于該阻擋結(jié)構(gòu)4的存在，可使在制備該顯示基板1時(shí)，避免激光燒蝕造成顯示區(qū)1-1的緩沖層3斷裂，從而避免對(duì)顯示基板1產(chǎn)生影響。

實(shí)施例2：

如圖1至8所示，本實(shí)施例提供一種顯示基板1的制備方法，用于制備實(shí)施例1中的顯示基板1。

該制備方法包括：

s1、在顯示母板的基底20上方形成緩沖層30，基底20分為多個(gè)顯示區(qū)1-1域和用于將顯示區(qū)1-1域隔開的間隔區(qū)1-3。

如圖4所示，通過(guò)在顯示母板上設(shè)置間隔區(qū)1-3，將顯示母板劃分為多個(gè)顯示區(qū)1-1，各顯示區(qū)1-1彼此獨(dú)立。

在基底20上形成由緩沖層30，覆蓋顯示母板基底20的全部區(qū)域，形成如圖5所示的結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，基底20為柔性基底，其可由柔性材料形成，例如金屬薄膜、超薄玻璃等。

s2、將部分間隔區(qū)1-3中的緩沖層30除去，形成凹槽11。

也就是說(shuō)，在形成緩沖層30以后，通過(guò)一定工藝將部分間隔區(qū)1-3中的緩沖層30除去，使對(duì)應(yīng)位置的基底20暴露，形成凹槽11，得到如圖6所示的結(jié)構(gòu)。

具體的，可以通過(guò)刻蝕工藝將緩沖層30除去，以形成凹槽11。凹槽11的寬度可根據(jù)實(shí)際情況設(shè)置，在此不做限制。

優(yōu)選的，凹槽11為環(huán)繞各顯示區(qū)1-1的環(huán)形凹槽11，且環(huán)繞相鄰顯示區(qū)1-1的環(huán)形凹槽11之間存在一定間隔。

s3、至少在凹槽11位置形成阻擋結(jié)構(gòu)4。

也就是說(shuō)，通過(guò)一定構(gòu)圖工藝在凹槽11位置，或者在凹槽11及其以外的位置形成阻擋結(jié)構(gòu)4，得到如圖7所示的結(jié)構(gòu)。

其中，“構(gòu)圖工藝”是指通過(guò)將完整材料層中的一部分除去，從而使該層剩余部分形成所需結(jié)構(gòu)的技術(shù)，其通常包括形成材料層、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等步驟中的一步或多步。

優(yōu)選的，阻擋結(jié)構(gòu)4包括位于凹槽11位置的主體部4-1以及從主體部4-1延伸至邊緣區(qū)1-2中的緩沖層30上的延伸部4-2。

具體的，可以通過(guò)控制構(gòu)圖工藝中的部分步驟(例如控制刻蝕劑用量、刻蝕時(shí)間等)控制阻擋結(jié)構(gòu)4的最終形狀。

優(yōu)選的，基底20上還包括設(shè)于顯示區(qū)1-1的源漏層，源漏層設(shè)于緩沖層30上方；阻擋結(jié)構(gòu)4與源漏層是在同一次構(gòu)圖工藝中形成的。

將阻擋結(jié)構(gòu)4與源漏層由同一次構(gòu)圖工藝形成，可以簡(jiǎn)化制作工藝，節(jié)約制造成本，提高生產(chǎn)效率。

s4、在緩沖層30和阻擋結(jié)構(gòu)4上方形成層間絕緣層5。

也就是說(shuō)，在形成阻擋結(jié)構(gòu)4以后，繼續(xù)形成層間絕緣層5，得到如圖8所示的結(jié)構(gòu)。

可以理解的是，在形成層間絕緣層5以后，還可在顯示去繼續(xù)形成oled器件6、第一無(wú)機(jī)阻水層8、第一有機(jī)緩沖層3093、第二無(wú)機(jī)阻水層107等結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。

s5、將顯示母板切割為多個(gè)顯示基板1，其中切割得到的每個(gè)顯示基板1包括顯示區(qū)1-1和位于顯示區(qū)1-1外圍的邊緣區(qū)1-2，邊緣區(qū)1-2為部分間隔區(qū)1-3，且邊緣區(qū)1-2中設(shè)有凹槽11和阻擋結(jié)構(gòu)4。

也就是說(shuō)，將完成上述步驟的顯示母板切割為多個(gè)如圖1至3所示的顯示基板1。

具體的，沿顯示母板的間隔區(qū)1-3進(jìn)行切割，使切割得到的每個(gè)顯示基板1都包括顯示區(qū)1-1和部分間隔區(qū)1-3，且部分間隔區(qū)1-3中包含凹槽11和阻擋結(jié)構(gòu)4，而該部分間隔區(qū)1-3位于顯示區(qū)1-1外，構(gòu)成顯示基板1的邊緣區(qū)1-2。

優(yōu)選的，通過(guò)激光切割方式對(duì)顯示母板進(jìn)行切割。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。