技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了晶體管、半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體模塊，具體提供了一種包括埋設(shè)的單元陣列晶體管的半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的電子器件。所述半導(dǎo)體器件包括襯底中的場區(qū)，并且場區(qū)限定了有源區(qū)。第一源極/漏極區(qū)和第二源極/漏極區(qū)處于有源區(qū)中。柵極溝槽處于第一源極/漏極區(qū)和第二源極/漏極區(qū)之間，并且處于有源區(qū)和場區(qū)中。柵極結(jié)構(gòu)處于柵極溝槽內(nèi)。柵極結(jié)構(gòu)包括柵極電極、柵極電極上的絕緣柵極加蓋圖案、柵極電極與有源區(qū)之間的柵極電介質(zhì)以及絕緣柵極加蓋圖案與有源區(qū)之間的含金屬絕緣材料層。

技術(shù)研發(fā)人員：許基宰;山田悟;林濬熙;張成豪
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.29
技術(shù)公布日：2017.10.17