本發(fā)明申請是國際申請?zhí)枮閜ct/jp2015/054940，國際申請日為2015年2月23日，進(jìn)入中國國家階段的申請?zhí)枮?01580000724.9，名稱為“電磁體的制造方法以及電磁體”的發(fā)明專利申請的分案申請。

本發(fā)明涉及利用層疊體形成的電磁體的制造方法及電磁體。

背景技術(shù)：

以往，公開了各種結(jié)構(gòu)的電磁體以用于音圈電動機(jī)等。專利文獻(xiàn)1中記載有包括利用層疊體來形成的電磁體的音圈電動機(jī)。

專利文獻(xiàn)1記載的電磁體包括多層形成有平面螺旋狀的線狀導(dǎo)體的絕緣性基材。形成于層疊方向上相鄰的絕緣性基材的平面螺旋狀的線狀導(dǎo)體中，螺旋的卷繞方向相反。上述卷繞方向相反的一對線狀導(dǎo)體的內(nèi)周端彼此通過貫通絕緣性基材的導(dǎo)體相連接。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利特開昭62-77048號公報

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題

在制造這種結(jié)構(gòu)的電磁體時對絕緣性基材使用熱塑性樹脂的情況下，將產(chǎn)生如下所示的問題。圖12是用于表示利用了由熱塑性樹脂形成的絕緣性基材的層疊型電磁體所具有的問題的剖視圖。圖12(a)表示熱壓接前的狀態(tài)，圖12(b)表示熱壓接后的狀態(tài)。

首先，如圖12(a)所示，在多個絕緣性基材201、202、203的表面形成有卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303。多個絕緣性基材201、202、203、204(201-204)層疊成將線狀導(dǎo)體301、302、303分別夾入到絕緣性基材之間。

此時，將絕緣性基材201、202、203層疊，以使得在沿層疊方向觀察時卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303的位置相重合。這樣，將卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303的位置重合，并利用未圖示的過孔導(dǎo)體來依次連接卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303，從而形成一個線圈。

然而，在這種結(jié)構(gòu)中，在對絕緣性基材201-204進(jìn)行熱壓接以形成層疊體20p的情況下，絕緣性基材201-204由于為熱塑性而流動。

此時，形成有卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303的區(qū)域中的層疊層數(shù)(絕緣性基材的層數(shù)+線狀導(dǎo)體的層數(shù))比由卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303包圍的區(qū)域909中的層疊層數(shù)(絕緣性基材的層數(shù))要多。因此，若在熱壓接時進(jìn)行單軸沖壓，則對形成有卷繞狀的線狀導(dǎo)體301、302、303的區(qū)域施加的壓力比對區(qū)域909施加的壓力要大。此外，線狀導(dǎo)體301、302、303在絕緣性基材溶融的溫度下不會溶融。

因此，線狀導(dǎo)體間的絕緣性基材流動到其它區(qū)域，隨之，各層的線狀導(dǎo)體間的位置關(guān)系發(fā)生變化。特別是，如圖12(b)所示，在區(qū)域909附近的形成有線狀導(dǎo)體的位置，由于層數(shù)之差，絕緣性基材的流動較大。因此，線狀導(dǎo)體301、302、303移動，與形成于其它層的線狀導(dǎo)體301、302、303不必要地接近，根據(jù)情況，其它層的線狀導(dǎo)體彼此可能會短路。此外，即使在熱壓接時進(jìn)行等靜壓的情況下，在區(qū)域909中出現(xiàn)特別大的流動、變形，隨之線狀導(dǎo)體會移動。

因此，本發(fā)明的目的在于提供一種電磁體的制造方法及電磁體，即使在將形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體的熱塑性樹脂的絕緣性基材進(jìn)行層疊而成的結(jié)構(gòu)下，其形狀仍穩(wěn)定且可靠性較高。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明涉及電磁體的制造方法，該電磁體通過將形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體且由熱塑性樹脂形成的多個絕緣性基材進(jìn)行加熱壓接來形成，具有由卷繞形的線狀導(dǎo)體構(gòu)成的線圈，其具有如下特征。本發(fā)明的電磁體的制造方法具有在多個絕緣性基材形成卷繞形的線狀導(dǎo)體的工序。電磁體的制造方法具有對于多個絕緣性基材中的至少一個，在由卷繞形的線狀導(dǎo)體包圍的區(qū)域配置低流動性構(gòu)件的工序，其中，該低流動性構(gòu)件在熱塑性樹脂的加熱壓接時的溫度下流動性比熱塑性樹脂要低。電磁體的制造方法具有將多個絕緣性基材進(jìn)行層疊并進(jìn)行加熱壓接的工序。

在該制造方法中，利用低流動性構(gòu)件來抑制其附近的熱塑性樹脂的流動，因此，可抑制加熱壓接時的熱塑性樹脂的流動導(dǎo)致線狀導(dǎo)體移動。因此，各層的卷繞形的線狀導(dǎo)體的位置關(guān)系在熱壓接前即從層疊狀態(tài)起不易變化。由此，由卷繞形的線狀導(dǎo)體構(gòu)成的線圈的形狀穩(wěn)定，可獲得可靠性較高的電磁體。

此外，在本發(fā)明的電磁體的制造方法中，優(yōu)選為，低流動性構(gòu)件由與卷繞形的線狀導(dǎo)體相同的材質(zhì)形成，將形成卷繞形的線狀導(dǎo)體的工序和配置低流動性構(gòu)件的工序同時進(jìn)行。

在該制造方法中，由于可同時形成低流動性構(gòu)件和線狀導(dǎo)體，因此，可簡化制造工序。此外，電磁體實質(zhì)上由直流信號控制，并非由高頻信號控制，因此，即使在構(gòu)成線圈的卷繞形線狀導(dǎo)體所包圍的區(qū)域內(nèi)設(shè)置作為導(dǎo)體的低流動性構(gòu)件，由電磁體形成的電磁波也基本不會被低流動性構(gòu)件所屏蔽。

此外，本發(fā)明的電磁體的制造方法中，優(yōu)選為，構(gòu)成低流動性構(gòu)件的導(dǎo)體與設(shè)置于同一絕緣性基材的卷繞形的線狀導(dǎo)體一體形成。

在該制造方法中，可簡化制造工序，并還可抑制低流動性構(gòu)件的移動。

此外，本發(fā)明的電磁體的制造方法優(yōu)選為以下方法。構(gòu)成低流動性構(gòu)件的導(dǎo)體設(shè)置于多個絕緣性基材。構(gòu)成設(shè)置于多個絕緣性基材的低流動性構(gòu)件的多個導(dǎo)體通過沿層疊多個絕緣性基材的層疊方向延伸的連接導(dǎo)體互相連接。

在該制造方法中，還可抑制低流動性構(gòu)件的移動。

此外，本發(fā)明的電磁體的制造方法中，優(yōu)選為，與低流動性構(gòu)件相連接的連接導(dǎo)體與和卷繞形的線狀導(dǎo)體一起構(gòu)成線圈的線圈用連接導(dǎo)體同時形成。

在該制造方法中，可進(jìn)一步簡化制造工序。

此外，本發(fā)明涉及電磁體，該電磁體在由形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體的多個熱塑性樹脂的絕緣性基材構(gòu)成的層疊體內(nèi)，形成有由卷繞形的線狀導(dǎo)體構(gòu)成且在層疊方向具有軸的線圈，其具有如下特征。本發(fā)明的電磁體中，沿層疊方向觀察層疊體時，在熱塑性樹脂的加熱壓接時的溫度下流動性比熱塑性樹脂要低的低流動性構(gòu)件配置在由卷繞形的線狀導(dǎo)體包圍的區(qū)域。

在該結(jié)構(gòu)下，利用低流動性構(gòu)件來抑制由熱塑性樹脂形成的絕緣性基材的流動，因此，也可抑制卷繞形的線狀導(dǎo)體的移動。因此，各層的卷繞形的線狀導(dǎo)體的位置關(guān)系在熱壓接前即從層疊狀態(tài)起不易變化。由此，由卷繞形的線狀導(dǎo)體構(gòu)成的線圈的形狀穩(wěn)定。

特別是，電磁體中，卷繞形的線狀導(dǎo)體越是高密度地形成，越是小型且能產(chǎn)生較大轉(zhuǎn)矩，但由于線狀導(dǎo)體彼此接近，因此，容易產(chǎn)生短路。此外，在電磁體中，從線圈的卷繞中心到線狀導(dǎo)體的距離越長，越能獲得更大的轉(zhuǎn)矩，但從線圈的卷繞中心到線狀導(dǎo)體的距離越長，由線狀導(dǎo)體包圍的面積越大，絕緣性基材容易流動。然而，通過利用該結(jié)構(gòu)，即使由線狀導(dǎo)體包圍的面積變大，也可抑制絕緣性基材的流動。即，對于電磁體的結(jié)構(gòu)，本申請的結(jié)構(gòu)更有效地起作用。

此外，本發(fā)明的電磁體的制造方法中，優(yōu)選為，低流動性構(gòu)件由與卷繞形的線狀導(dǎo)體相同的材料形成，與設(shè)置于同一絕緣性基材的卷繞形的線狀導(dǎo)體一體形成。

在該結(jié)構(gòu)中，低流動性構(gòu)件與線狀導(dǎo)體物理連接，因此，能更可靠地抑制因絕緣性基材的流動導(dǎo)致線狀導(dǎo)體及低流動性構(gòu)件的移動。

此外，本發(fā)明的電磁體中，也可為，構(gòu)成低流動性構(gòu)件的導(dǎo)體設(shè)置于多個絕緣性基材，構(gòu)成設(shè)置于多個絕緣性基材的低流動性構(gòu)件的多個導(dǎo)體通過沿層疊多個絕緣性基材的層疊方向延伸的連接導(dǎo)體互相連接。

在該結(jié)構(gòu)中，構(gòu)成形成于各絕緣性基材的低流動性構(gòu)件的多個導(dǎo)體物理連接，因此，能更可靠地抑制因絕緣性基材的流動而導(dǎo)致低流動性構(gòu)件及線狀導(dǎo)體的移動。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，在將形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體的熱塑性樹脂的絕緣性基材進(jìn)行層疊而成的電磁體中，能形成形狀穩(wěn)定且可靠性較高的電磁體。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實施方式1的電磁體的外觀立體圖及分解立體圖。

圖2是本發(fā)明的實施方式1的電磁體的側(cè)面剖視圖。

圖3是表示本發(fā)明的實施方式1的電磁體的制造流程的流程圖。

圖4是表示本發(fā)明的實施方式1的電磁體的其它方式的側(cè)面剖視圖。

圖5是本發(fā)明的實施方式2的電磁體的分解立體圖。

圖6是本發(fā)明的實施方式3的電磁體的分解立體圖。

圖7是表示利用了本發(fā)明的實施方式的電磁體的攝像頭模塊的結(jié)構(gòu)的圖。

圖8是表示本發(fā)明的實施方式的攝像頭模塊中的永磁體和電磁體的配置部位的局部放大圖。

圖9是表示本發(fā)明的實施方式4的電磁體的制造方法的概念的圖及通過該制造方法形成的電磁體的側(cè)面剖視圖。

圖10是表示本發(fā)明的實施方式5的電磁體的制造方法的概念的圖及通過該制造方法形成的電磁體的側(cè)面剖視圖。

圖11是本發(fā)明的實施方式6的電磁體的分解立體圖。

圖12是用于表示現(xiàn)有的利用了由熱塑性樹脂形成的絕緣性基材的層疊型電磁體所具有的問題的剖視圖。

具體實施方式

參照附圖，對本發(fā)明的實施方式1的電磁體及電磁體的制造方法進(jìn)行說明。圖1(a)是本發(fā)明的實施方式1的電磁體的外觀立體圖。圖1(b)是本發(fā)明的實施方式1的電磁體的分解立體圖。圖2是本發(fā)明的實施方式1的電磁體的側(cè)面剖視圖。

如圖1所示，電磁體10包括長方體形狀的層疊體20。層疊體20將多個絕緣性基材201、202、203、204(201-204)進(jìn)行層疊，并進(jìn)行加熱壓接而成。多個絕緣性基材201-204以片材狀的熱塑性樹脂為材料。作為熱塑性樹脂，例如也以液晶聚合物為主要材料。

絕緣性基材201的表面上形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體301及平板狀的低流動性構(gòu)件401。卷繞形的線狀導(dǎo)體301在絕緣性基材201的表面具有沿外周延伸的形狀。線狀導(dǎo)體301由導(dǎo)電性較高的材料形成。例如，線狀導(dǎo)體301由銅形成。線狀導(dǎo)體301的一端通過貫通絕緣性基材202-204的線圈用連接導(dǎo)體501，與形成于絕緣性基材204的表面的外部連接導(dǎo)體31相連接。

低流動性構(gòu)件401形成在由卷繞形的線狀導(dǎo)體301包圍的區(qū)域內(nèi)。低流動性構(gòu)件401由在絕緣性基材201的加熱壓接溫度(例如250℃～350℃)下流動性比絕緣性基材201要低的材料形成。例如，低流動性構(gòu)件401由與線狀導(dǎo)體301相同的銅形成。另外，通過使低流動性構(gòu)件401和線狀導(dǎo)體301為相同材料，能使它們同時形成，可簡化制造工序。

絕緣性基材202的表面上形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體302及平板狀的低流動性構(gòu)件402。卷繞形的線狀導(dǎo)體302在絕緣性基材202的表面具有沿外周延伸的形狀。在沿層疊方向觀察層疊體20時，卷繞形的線狀導(dǎo)體302形成為沿延伸方向與線狀導(dǎo)體301局部重疊。線狀導(dǎo)體302由導(dǎo)電性較高的材料形成。例如，線狀導(dǎo)體302由銅形成。

線狀導(dǎo)體302的一端與線狀導(dǎo)體301的另一端在沿層疊方向觀察時重疊。上述線狀導(dǎo)體302的一端與線狀導(dǎo)體301的另一端通過貫通絕緣性基材202的線圈用連接導(dǎo)體502進(jìn)行連接。

低流動性構(gòu)件402形成在由卷繞形的線狀導(dǎo)體302包圍的區(qū)域內(nèi)。在俯視層疊體20時，低流動性構(gòu)件402形成為與低流動性構(gòu)件401至少有部分重疊。

低流動性構(gòu)件402由在絕緣性基材202的加熱壓接溫度下流動性比絕緣性基材202要低的材料形成。例如，低流動性構(gòu)件402由與線狀導(dǎo)體302、低流動性構(gòu)件401相同的銅形成。另外，通過使低流動性構(gòu)件402和線狀導(dǎo)體302為相同材料，能使它們同時形成，可簡化制造工序。

絕緣性基材203的表面上形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體303、平板狀的低流動性構(gòu)件403及層內(nèi)連接導(dǎo)體313。卷繞形的線狀導(dǎo)體303在絕緣性基材203的表面具有沿外周延伸的形狀。在沿層疊方向觀察層疊體20時，卷繞形的線狀導(dǎo)體303形成為沿延伸方向與線狀導(dǎo)體301、302部分重疊。線狀導(dǎo)體303由導(dǎo)電性較高的材料形成。例如，線狀導(dǎo)體303由銅形成。

線狀導(dǎo)體303的一端與線狀導(dǎo)體302的另一端在沿層疊方向觀察時相重疊。上述線狀導(dǎo)體303的一端與線狀導(dǎo)體302的另一端通過貫通絕緣性基材203的線圈用連接導(dǎo)體503進(jìn)行連接。

低流動性構(gòu)件403形成在由卷繞形的線狀導(dǎo)體303包圍的區(qū)域內(nèi)。在俯視層疊體20時，低流動性構(gòu)件403形成為與低流動性構(gòu)件401、402至少有部分重疊。

低流動性構(gòu)件403由在絕緣性基材203的加熱壓接溫度下流動性比絕緣性基材203要低的材料形成。例如，低流動性構(gòu)件403由與線狀導(dǎo)體303、低流動性構(gòu)件401、402相同的銅形成。

層內(nèi)連接導(dǎo)體313與線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403進(jìn)行物理連接。與低流動性構(gòu)件403同樣，層內(nèi)連接導(dǎo)體313由在絕緣性基材203的加熱壓接溫度下流動性比絕緣性基材203要低的材料形成。另外，該層內(nèi)連接導(dǎo)體313也可以省略。

層內(nèi)連接導(dǎo)體313、線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403優(yōu)選為同一材料，優(yōu)選將它們一體形成。即，優(yōu)選利用一個圖案形成工序來形成上述層內(nèi)連接導(dǎo)體313、線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403。另外，本實施方式的“同時”形成是指這樣在同一工序中一起形成。通過將層內(nèi)連接導(dǎo)體313、線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403一體形成，從而不易受到絕緣性基材203加熱壓接時的流動的影響，可更有效抑制線狀導(dǎo)體303的移動。此外，通過用同一材料來將層內(nèi)連接導(dǎo)體313、線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403一體形成，從而可簡化制造工序。

絕緣性基材204的表面形成有矩形的外部連接導(dǎo)體31、32。外部連接導(dǎo)體31、32由導(dǎo)電性較高的材料形成。例如，外部連接導(dǎo)體31、32由銅形成。

外部連接導(dǎo)體31如上所述通過線圈用連接導(dǎo)體501與線狀導(dǎo)體301的一端連接。外部連接導(dǎo)體32通過貫通絕緣性基材204的線圈用連接導(dǎo)體504與線狀導(dǎo)體303的另一端連接。

根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可形成由線狀導(dǎo)體301、302、303及線圈用連接導(dǎo)體502、503、504構(gòu)成的螺旋狀的線圈。此時，線圈的卷繞軸方向與層疊方向平行。

通過如本實施方式所示那樣利用低流動性構(gòu)件401、402、403，如圖2所示，在對由熱塑性樹脂形成的絕緣性基材201-204進(jìn)行加熱壓接以形成層疊體20時，可抑制線狀導(dǎo)體301、302、303移動。

由此，可形成作為線圈的特性優(yōu)良、可靠性較高的線圈元件。本實施方式的結(jié)構(gòu)中，即使擴(kuò)大由線狀導(dǎo)體包圍的區(qū)域的面積，也能利用低流動性構(gòu)件401、402、403來抑制線狀導(dǎo)體301、302、303的移動。因此，如本實施方式所示，在將線圈元件作為電磁體10的形態(tài)下，可形成轉(zhuǎn)矩較大且可靠性較高的電磁體。

此外，電磁體中，卷繞形的線狀導(dǎo)體越是高密度地形成，越是小型且越能產(chǎn)生較大轉(zhuǎn)矩，但由于線狀導(dǎo)體彼此接近，因此，容易產(chǎn)生短路。然而，通過利用本實施方式的結(jié)構(gòu)及制造方法，可抑制這種短路。

此外，電磁體實質(zhì)上由直流信號控制，并非由高頻信號控制，因此，即使在構(gòu)成線圈的卷繞形線狀導(dǎo)體所包圍的區(qū)域內(nèi)設(shè)置作為導(dǎo)體的低流動性構(gòu)件，由電磁體形成的電磁波也基本不會被低流動性構(gòu)件所屏蔽。

此外，本實施方式中，形成于絕緣性基材203的表面的線狀導(dǎo)體303和低流動性構(gòu)件403由層內(nèi)連接導(dǎo)體313進(jìn)行連接，因此，可進(jìn)一步抑制線狀導(dǎo)體的流動。

具有這種結(jié)構(gòu)的電磁體10可通過如下所示的制造方法來制造。圖3是表示本發(fā)明的實施方式1的電磁體的制造流程的流程圖。

首先，準(zhǔn)備在單面形成有導(dǎo)體(例如銅)且由熱塑性樹脂形成的絕緣性基材。通過對該絕緣性基材進(jìn)行圖案形成處理，從而形成圖1(b)的各絕緣性基材201-204所示的導(dǎo)體圖案。具體而言，在絕緣性基材201形成線狀導(dǎo)體301及低流動性構(gòu)件401。在絕緣性基材202形成線狀導(dǎo)體302及低流動性構(gòu)件402。在絕緣性基材203形成線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403。在絕緣性基材203形成線狀導(dǎo)體303及低流動性構(gòu)件403，并形成層內(nèi)連接導(dǎo)體313(s101)。此時，將線狀導(dǎo)體303、低流動性構(gòu)件403及層內(nèi)連接導(dǎo)體313一體形成。

此外，在第4絕緣性基材204形成外部連接導(dǎo)體31、32。

然后，在絕緣性基材202、203、204的線圈用連接導(dǎo)體501、502、503、504的形成位置形成貫通孔，在該貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電性糊料。

接下來，將分別形成有導(dǎo)體圖案的絕緣性基材201-204進(jìn)行層疊(s102)。此時，如圖1(b)所示，將絕緣性基材201-204進(jìn)行層疊，使得能形成卷繞軸方向與層疊方向平行的螺旋狀的線圈。

接下來，對層疊有絕緣性基材201-204的構(gòu)件進(jìn)行加熱壓接以形成層疊體20(s103)。此時，通過設(shè)置有低流動性構(gòu)件401、402、403，可抑制線狀導(dǎo)體301、302、303的移動，能制造可靠性較高的電磁體。

另外，優(yōu)選為利用可一起形成多個層疊體20的母材狀態(tài)來進(jìn)行該制造工序，在此情況下，在加熱壓接之后，通過切斷母材，來形成多個層疊體20。

通過利用以上那樣的制造方法，能容易且可靠地制造上述可靠性較高的電磁體。此外，通過同時形成各絕緣性基材的表面的線狀導(dǎo)體和低流動性構(gòu)件，能簡化制造工序。此外，通過一體形成絕緣性基材203表面的線狀導(dǎo)體、低流動性構(gòu)件及層內(nèi)連接導(dǎo)體，能進(jìn)一步簡化制造工序。

另外，在本實施方式中，示出了在形成有線狀導(dǎo)體的所有絕緣性基材形成低流動性構(gòu)件的形態(tài)，但也可以為在至少一個絕緣性基材形成低流動性構(gòu)件的形態(tài)。層內(nèi)連接導(dǎo)體也可設(shè)置于各絕緣性基材。

具有這種結(jié)構(gòu)的電磁體也可采用如下所示的結(jié)構(gòu)。圖4是表示本發(fā)明的實施方式1的電磁體的其它方式的側(cè)面剖視圖。

圖4所示的電磁體10’對圖1、圖2所示的電磁體10追加了貫通孔60。因此，僅說明與電磁體10的不同點。

貫通孔60沿層疊方向貫通層疊體20。從層疊方向觀察層疊體20時，貫通孔60設(shè)置在低流動性構(gòu)件401、402、403重疊的區(qū)域。

通過設(shè)置這種貫通孔60，利用插通貫通孔60的螺釘?shù)?，可容易地固定電磁體10’。此外，通過形成有低流動性構(gòu)件401、402、403，從而層疊體20中設(shè)置有貫通孔60的區(qū)域的強(qiáng)度變高，可抑制螺釘止動時的破損。此外，可高強(qiáng)度地固定電磁體10’。此外，由于線狀導(dǎo)體的位置偏移得到抑制，因此，在設(shè)置貫通孔60時，可抑制因線狀導(dǎo)體的位置偏移而導(dǎo)致貫通孔60來到線狀導(dǎo)體的位置。即，可抑制誤切斷線狀導(dǎo)體。

接下來，參照附圖對本發(fā)明的實施方式2所涉及的電磁體進(jìn)行說明。圖5是本發(fā)明的實施方式2的電磁體的分解立體圖。

本實施方式的電磁體10a相對于實施方式1所示的電磁體10，去除了層內(nèi)連接導(dǎo)體313，追加了固定用的層間連接導(dǎo)體70。本實施方式的電磁體10a的基本制造方法也與實施方式1所示的電磁體10相同。因此，僅對與實施方式1所示的電磁體10不同的部分進(jìn)行具體說明。

如圖5所示，電磁體10a包括固定用的層間連接導(dǎo)體70。固定用的層間連接導(dǎo)體70為貫通絕緣性基材202、203及低流動性構(gòu)件402的形狀。固定用的層間連接導(dǎo)體70與低流動性構(gòu)件401、402、403進(jìn)行物理連接。

通過利用這種固定用的層間連接導(dǎo)體70，即使在對絕緣性基材201-204進(jìn)行加熱壓接時，也可固定低流動性構(gòu)件401、402、403。因此，可形成可靠性更高的電磁體10a。

這種層間連接導(dǎo)體70可通過與線圈用連接導(dǎo)體501、502、503、504同樣的制造方法，與這些線圈用連接導(dǎo)體501、502、503、504一起在形成貫通孔及連接導(dǎo)體的同一道工序內(nèi)形成。另外，本實施方式的“同時”形成是指這樣在同一工序中一起形成。這樣，通過將層間連接導(dǎo)體70與線圈用連接導(dǎo)體501、502、503、504在同一工序內(nèi)形成，能利用更簡化的制造工序來制造電磁體10a。

另外，在本實施方式中，示出了利用層間連接導(dǎo)體70來連接所有低流動性構(gòu)件401、402、403的形態(tài)，但也可以為連接至少2個低流動性構(gòu)件的形態(tài)。

接下來，參照附圖對本發(fā)明的實施方式3所涉及的電磁體進(jìn)行說明。圖6是本發(fā)明的實施方式3的電磁體的分解立體圖。

本實施方式的電磁體10b相對于實施方式1所示的電磁體10，去除了層內(nèi)連接導(dǎo)體313及低流動性構(gòu)件401、402、403，追加了低流動性構(gòu)件410及貫通孔422、423。本實施方式的電磁體10b的基本制造方法也與實施方式1所示的電磁體10相同。因此，僅對與實施方式1所示的電磁體10不同的部分進(jìn)行具體說明。

在絕緣性基材201的表面配置有具有加熱壓接后的絕緣性基材202、203的厚度以上的高度的低流動性構(gòu)件410。在絕緣性基材202的與低流動性構(gòu)件410的配置區(qū)域重疊的區(qū)域形成有貫通孔422。在絕緣性基材203的與低流動性構(gòu)件410的配置區(qū)域重疊的區(qū)域形成有貫通孔423。

在這種結(jié)構(gòu)中，在將絕緣性基材201-204進(jìn)行了層疊的情況下，低流動性構(gòu)件410收納在貫通孔422、423內(nèi)。即使在該層疊狀態(tài)下進(jìn)行加熱壓接，也可抑制線狀導(dǎo)體301、302、303的移動。

另外，本實施方式中，也可以利用成為電磁體10b的磁芯的材料來形成低流動性構(gòu)件410。由此，可提高作為電磁體的性能。作為成為磁芯的材料，例如有坡莫合金等金屬、鐵氧體。

此外，對于上述各實施方式所示的低流動性構(gòu)件，若不是與線狀導(dǎo)體一體形成的形態(tài)，則也可利用成為電磁體的磁芯的材料來形成，還可僅利用具有絕緣性、且具有低流動性的所謂虛擬構(gòu)件來形成。

接下來，說明利用本發(fā)明的上述各實施方式的電磁體的電子設(shè)備模塊的一形態(tài)。圖7是表示利用了本發(fā)明的實施方式的電磁體的攝像頭模塊的結(jié)構(gòu)的圖。圖7(a)是攝像頭模塊的俯視圖。圖7(b)是攝像頭模塊的默認(rèn)狀態(tài)下的側(cè)視圖。圖7(c)是攝像頭模塊的驅(qū)動狀態(tài)下的側(cè)視圖。圖8是表示攝像頭模塊中的永磁體和電磁體的配置部位的局部放大圖。

攝像頭模塊800包括多個電磁體10。多個電磁體10形成在基底基板200內(nèi)。

在基底基板200的表面配置有框架80?？蚣?0配置成能相對于基底基板200滑動。

在框架80設(shè)置有未圖示的開孔，在該開孔內(nèi)插入有透鏡托架81。透鏡托架81固定于框架80。透鏡82配置在透鏡托架81的與基底基板200側(cè)相反側(cè)的端部。

在框架80的表面以包圍透鏡托架81的方式配置有多個永磁體83。更具體而言，沿框架80表面的第1方向以夾著透鏡托架81的方式配置有兩個永磁體83。此外，沿框架80表面的與第1方向正交的第2方向以夾著透鏡托架81的方式配置有兩個永磁體83。

多個永磁體83被配置成分別隔著框架80與電磁體10相對。多個永磁體83分別通過引線84與基底基板200連接。

在這種結(jié)構(gòu)中，通過使電流流過規(guī)定的電磁體10，從而施加電磁力，基底基板200相對于框架80滑動。通過該滑動，透鏡82的位置發(fā)生移動。即，可構(gòu)成攝像頭的音圈電機(jī)。

另外，優(yōu)選為，在基底基板200的厚度較厚的情況下，電磁體10形成于框架80側(cè)的表面附近。通過形成于這種位置，可更高效地實現(xiàn)能驅(qū)動音圈電機(jī)的攝像頭模塊800。

通過利用上述電磁體，可實現(xiàn)可靠性較高的攝像頭模塊800。

在上述實施方式中，示出了利用導(dǎo)體作為低流動性構(gòu)件的形態(tài)，但也可利用陶瓷、熱固化性樹脂等來構(gòu)成低流動性構(gòu)件。

在上述各實施方式中示出了在層疊體內(nèi)留有低流動性構(gòu)件的形態(tài)，但對于在層疊體內(nèi)未留有低流動性構(gòu)件的形態(tài)，使用如下所示的制造方法即可。

接下來，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式4的電磁體的制造方法及電磁體進(jìn)行說明。圖9是表示本發(fā)明的實施方式4的電磁體的制造方法的概念的圖及通過該制造方法形成的電磁體的側(cè)面剖視圖。

如圖9(a)所示，在絕緣性基材201的表面形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體301c。在絕緣性基材201的由卷繞形的線狀導(dǎo)體301c包圍的區(qū)域，設(shè)置有貫通孔601。

在絕緣性基材202的表面形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體302c。在絕緣性基材202的由卷繞形的線狀導(dǎo)體302c包圍的區(qū)域，設(shè)置有貫通孔602。

在絕緣性基材203的表面形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體303c。在絕緣性基材203的由卷繞形的線狀導(dǎo)體303c包圍的區(qū)域，設(shè)置有貫通孔603。

如圖9(a)所示，絕緣性基材201、202、203層疊成各自的表面平行。此時，絕緣性基材201、202、203層疊成貫通孔601、602、603的位置一致。

對于這樣層疊后的絕緣性基材201、202、203，從層疊方向的兩側(cè)將按壓模具491、492進(jìn)行按壓。此時，按壓模具491與絕緣性基材201側(cè)抵接，按壓模具492與絕緣性基材203側(cè)抵接。在按壓模具492與絕緣性基材203之間安裝有彈性體493。彈性體492由在絕緣性基材201、202、203的加熱壓接溫度下不溶融的材料形成。

按壓模具491、492由金屬等在絕緣性基材201、202、203的加熱壓接溫度下流動性比絕緣性基材201、202、203要低的材料(低流動性材料)來形成。

按壓模具491具有平板的主體4911、及從主體4911的平板面突出的形狀的凸部4912。主體4911與凸部4912可一體形成，也可分開形成。在主體4911與凸部4912分開的情況下，各自的材料也可以不同，但均為低流動性材料。

按壓模具492為平板。

按壓模具491按壓到層疊后的絕緣性基材201、202、203，使得凸部4912插通貫通孔601、602、603。

通過在該狀態(tài)下進(jìn)行加熱壓接處理，如圖9(b)所示，絕緣性基材201、202、203溶融而彼此相粘接。此時，在貫通孔601、602、603中插入有按壓模具491的凸部4912，因此，絕緣性基材201、202、203的流動被凸部4912阻止。

在該加熱壓接后，移除按壓模具491、492及彈性體493，從而如圖9(c)所示，形成層疊體20c，形成電磁體10c。在層疊體20c的由卷繞形的線狀導(dǎo)體301c、302c、303c包圍的區(qū)域設(shè)置有貫通孔60c。

這樣，即使將對絕緣性基材201、202、203進(jìn)行加熱壓接的按壓模具的一部分作為上述低流動性構(gòu)件，也可抑制加熱壓接時的絕緣性基材的流動。

另外，如本實施方式所示，通過在加熱壓接時使用彈性體493，從而使彈性體493變形，從而緩和凸部4912的高度(厚度)與對絕緣性基材201、202、203進(jìn)行加熱壓接的狀態(tài)下的厚度之差。由此，以均勻的按壓力對絕緣性基材201、202、203的整面進(jìn)行加熱壓接。因此，能更可靠地將層疊體20c成形為所希望的形狀。

接下來，參照附圖，對實施方式5的電磁體的制造方法及電磁體進(jìn)行說明。圖10是表示本發(fā)明的實施方式5的電磁體的制造方法的概念的圖及通過該制造方法形成的電磁體的側(cè)面剖視圖。

本實施方式的電磁體10d相對于實施方式4所示的電磁體10c，層疊體20d的結(jié)構(gòu)不同。此外，隨之制造方法也有部分不同。

如圖10(a)所示，層疊體20d包括絕緣性基材201、202、203、204。絕緣性基材201、202、203與實施方式4的層疊體20c相同。在絕緣性基材204上既未形成線狀導(dǎo)體，也未設(shè)置貫通孔。絕緣性基材204配置在絕緣性基材203的表面。

在這種結(jié)構(gòu)中，按壓模具491的突起部4912的前端面與絕緣性基材204抵接。在此狀態(tài)下，如圖10(b)所示，利用按壓模具491、492夾住層疊后的絕緣性基材201、202、203、204，并進(jìn)行加熱壓接。

在該加熱壓接后，移除按壓模具491、492，從而如圖10(c)所示，形成層疊體20d，形成電磁體10d。在層疊體20d的由卷繞形的線狀導(dǎo)體301d、302d、303d包圍的區(qū)域設(shè)置有凹部61。凹部61僅在層疊體20d的絕緣性基材201側(cè)的外表面開口，在絕緣性基材204側(cè)的外表面未開口。

即使采用這種結(jié)構(gòu)，也能夠得到與實施方式4同樣的作用效果。

此外，在本實施方式的結(jié)構(gòu)中，未設(shè)置線狀導(dǎo)體及貫通孔的絕緣性基材204與實施方式4的彈性體493同樣，有助于在加熱壓接時施加均勻的壓力。因而，在這點上，也可獲得與實施方式4同樣的作用效果。

接下來，參照附圖對本發(fā)明的實施方式6所涉及的電磁體進(jìn)行說明。圖11是本發(fā)明的實施方式6的電磁體的分解立體圖。

本實施方式的電磁體10e可通過實施方式5的制造方法來形成。

本實施方式的電磁體10e包括層疊體20e。層疊體20e將絕緣性基材201、202、203、204進(jìn)行層疊而成。

在絕緣性基材201的背面形成有外部連接導(dǎo)體31、32。在絕緣性基材202的表面以沿絕緣性基材202的外周的形狀形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體302e。在絕緣性基材203的表面以沿絕緣性基材203的外周的形狀形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體303e。在絕緣性基材204的表面以沿絕緣性基材204的外周的形狀形成有卷繞形的線狀導(dǎo)體304e。

線狀導(dǎo)體304e的一端經(jīng)由貫通絕緣性基材201、202、203、204的線圈用連接導(dǎo)體501e與外部連接導(dǎo)體31連接。線狀導(dǎo)體304e的另一端經(jīng)由貫通絕緣性基材204的線圈用連接導(dǎo)體502e與線狀導(dǎo)體303e的一端連接。線狀導(dǎo)體303e的另一端經(jīng)由貫通絕緣性基材203的線圈用連接導(dǎo)體503e與線狀導(dǎo)體302e的一端連接。線狀導(dǎo)體302e的另一端經(jīng)由貫通絕緣性基材201、202的線圈用連接導(dǎo)體504e與外部連接導(dǎo)體32連接。

在層疊體20e的與絕緣性基材201、202相當(dāng)?shù)牟糠?，在由線狀導(dǎo)體302e包圍的區(qū)域設(shè)置有凹部61。

此外，在層疊體20e的與絕緣性基材203的表面相當(dāng)?shù)牟糠中纬捎袑?zhǔn)標(biāo)記300。對準(zhǔn)標(biāo)記300為相對于絕緣性基材具有所希望的對比度的材料即可，例如由與線狀導(dǎo)體303e相同的材料形成。在利用與線狀導(dǎo)體303e相同的材料的情況下，可將對準(zhǔn)標(biāo)記300與線狀導(dǎo)體303e同時形成，因此，能簡化制造工序。

在沿層疊方向觀察層疊體20e時，對準(zhǔn)標(biāo)記300形成于與凹部61重疊的區(qū)域。即，形成于層疊體20e的厚度較薄的區(qū)域。通過將對準(zhǔn)標(biāo)記300配置在這種厚度較薄的區(qū)域，從而在將電磁體10e安裝于其它電路基板等時，可容易識別對準(zhǔn)標(biāo)記300。因此，可容易地進(jìn)行配置電磁體10e時的位置對準(zhǔn)，且不易產(chǎn)生位置偏移。由此，能提高電磁體10e對其它電路基板的安裝精度，能更可靠地進(jìn)行安裝。

標(biāo)號說明

10，10a，10b，10c，10d，10e：電磁體

20，20c，20d，20e，20p：層疊體

31，32：外部連接導(dǎo)體

60，601，602，603：貫通孔

61：凹部

70：層間連接導(dǎo)體

80：框架

81：透鏡托架

82：透鏡

83：永磁體

84：引線

200：基底基板

201，202，203，204：絕緣性基材

300：對準(zhǔn)標(biāo)記

301，302，303，301c，302c，303c，301d，302d，303d，302e，303e，304e：線狀導(dǎo)體

313：層內(nèi)連接導(dǎo)體

401，402，403，410：低流動性構(gòu)件

422，423：貫通孔

491，492：按壓模具

4911：主體

4912：凸部

493：彈性體

501，502，503，504，501e，502e，503e，504e：線圈用連接導(dǎo)體

800：攝像頭模塊

909：卷繞形的線狀導(dǎo)體所包圍的區(qū)域