本發(fā)明涉及熱敏電阻技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種ntc熱敏電阻及其ntc熱敏電阻的芯片加工方法。
背景技術(shù)：
ntc熱敏電阻器是以錳、鈷、鎳和銅等金屬氧化物為主要材料,采用陶瓷工藝制造而成,廣泛應(yīng)用于溫度測量、溫度補償?shù)葓龊?。ntc熱敏電阻用在不同的產(chǎn)品上會有不同的阻值和b值要求?，F(xiàn)在市場上常用的阻值和b值的芯片在現(xiàn)實產(chǎn)品中已經(jīng)固定，但市場經(jīng)常有些特殊的產(chǎn)品，這些特殊的產(chǎn)品所要求的阻值和b值的芯片不容易配置，在配制過程中需要花費大量的的時間進行數(shù)據(jù)實驗，對于有些阻值和b值的芯片根本配制不出來。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點，而提出的一種ntc熱敏電阻及其ntc熱敏電阻的芯片加工方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案：
一種ntc熱敏電阻，其特征在于：包括芯片，芯片包括對應(yīng)設(shè)置的第一基片和第二基片，第一基片和第二基片之間通過導(dǎo)電膠體黏合連接，在第一基片和第二基片上均設(shè)有引線，在芯片外側(cè)設(shè)有封裝層，每個引線的其中一端均設(shè)置在封裝層內(nèi)側(cè)、另一端設(shè)置在封裝層外側(cè)。
優(yōu)選地，所述封裝層采用玻璃燒結(jié)封裝層或有機硅樹脂封裝層。
優(yōu)選地，每個所述引線均通過銀漿焊接在與其相對應(yīng)的第一基片或第二基片上。
優(yōu)選地，所述引線包括導(dǎo)線，導(dǎo)線為銅、鐵和鎳的合金，在導(dǎo)線外側(cè)設(shè)有鍍鎂層。
ntc熱敏電阻的芯片加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、選料：選取外形尺寸與結(jié)構(gòu)均相同的第一基片和第二基片以備使用，第一基片和第二基片阻值相同、b值不同；
步驟二、涂料：在第一基片與第二基片的一側(cè)均均勻涂抹導(dǎo)電膠體；
步驟三、粘接：將第一基片涂抹導(dǎo)電膠體的一側(cè)與第二基片涂抹導(dǎo)電膠體的一側(cè)對齊，使用芯片壓接機壓緊，確保第一基片與第二基片之間的導(dǎo)電膠體內(nèi)無氣泡；
步驟四、烘烤：將步驟三得到的芯片放入烘箱內(nèi)，在580-620℃的溫度下烘烤25-35分鐘后取出。
優(yōu)選地，所述步驟四中烘烤的溫度和時間分別為600℃和30分鐘。
優(yōu)選地，所述步驟四中烘烤的溫度和時間分別為580℃和25分鐘。
本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明適用多種類型ntc基體,附著力強、歐姆接觸良好，且燒結(jié)后雙層穩(wěn)定不易氧化發(fā)黃發(fā)黑，通過選擇不同阻值和b值的芯片生產(chǎn)出所需要的特定電阻值與b值的ntc熱敏電阻,加工方法簡單，適應(yīng)批量生產(chǎn)，能夠快速加工出所需要的電阻值與b值的芯片。
附圖說明
圖1是本發(fā)明所提供的一種ntc熱敏電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
如圖1所示，本發(fā)明提供的一種ntc熱敏電阻，其特征在于：包括芯片，芯片包括對應(yīng)設(shè)置的第一基片1和第二基片2，第一基片1和第二基片2之間通過導(dǎo)電膠體3黏合連接，在第一基片1和第二基片2上均設(shè)有引線5，每個所述引線5均通過銀漿焊接在與其相對應(yīng)的第一基片1或第二基片2上，引線5包括導(dǎo)線，導(dǎo)線為銅、鐵和鎳的合金，在導(dǎo)線外側(cè)設(shè)有鍍鎂層。
在芯片外側(cè)設(shè)有封裝層4，封裝層4采用玻璃燒結(jié)封裝層或有機硅樹脂封裝層。引線5與第一基片1或第二基片2連接的一端均設(shè)置在封裝層4內(nèi)、另一端均設(shè)置在封裝層4外側(cè)。
ntc熱敏電阻的芯片加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一、選料：選取外形尺寸與結(jié)構(gòu)均相同的第一基片1和第二基片2以備使用，第一基片1和第二基片2阻值相同、b值不同，本實施例優(yōu)選第一基片1為10k3380芯片，第二基片2為10k3950芯片。
步驟二、涂料：在第一基片1與第二基片2的一側(cè)均均勻涂抹特種導(dǎo)電膠體3。
步驟三、粘接：將第一基片1涂抹導(dǎo)電膠體3的一側(cè)與第二基片2涂抹導(dǎo)電膠體3的一側(cè)對齊，使用芯片壓接機壓緊，確保第一基片1與第二基片2之間的導(dǎo)電膠體3內(nèi)無氣泡。
步驟四、烘烤：將步驟三得到的芯片放入烘箱內(nèi)，在600℃的溫度下烘烤30分鐘后取出。
通過導(dǎo)電膠體3粘合連接后并烘干的一基片1和第二基片2的b值變?yōu)榈谝换?b值與第二基片2b值之和的一半，即：3380/2+3950/2=3665。