本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種環(huán)形fet器件。

背景技術(shù)：

管芯的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)對(duì)于器件的性能影響嚴(yán)重，目前常用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)采用條形柵結(jié)構(gòu)，源極和漏極分列柵極的兩邊。這種管芯設(shè)計(jì)，同樣?xùn)艑捪?，面積更大，柵延遲嚴(yán)重，并且由于電場(chǎng)的不均勻分布極易導(dǎo)致器件擊穿。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可以降低柵延遲、提高擊穿電壓的環(huán)形fet器件。

為達(dá)到上述要求，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：提供一種環(huán)形fet器件，從下至上包括襯底、緩沖層及勢(shì)壘層；還包括環(huán)形隔離區(qū)、柵極金屬、源極金屬及漏極金屬，環(huán)形隔離區(qū)形成于勢(shì)壘層表面且延伸至緩沖層內(nèi)部；源極金屬形成于勢(shì)壘層上且底部延伸至緩沖層；柵極金屬包括第一環(huán)繞部和第一延伸部，第一環(huán)繞部為環(huán)繞源極金屬的閉合環(huán)形，第一延伸部從第一環(huán)繞部沿第一直線方向延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)；漏極金屬包括第二環(huán)繞部和第二延伸部，第二環(huán)繞部為環(huán)繞第一環(huán)繞部的非閉合環(huán)形，第二延伸部從第二環(huán)繞部沿第二直線方向延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)；從襯底底部向上開(kāi)設(shè)背孔至源極金屬底面，且源極金屬經(jīng)背孔通過(guò)連接金屬與襯底底面的背面金屬相連。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)將源極做成圓柱形并通過(guò)背孔接地，柵極和漏極均做成環(huán)狀，可縮小管芯面積，降低柵延遲，提高器件工作速度，且更加均勻的電場(chǎng)分布可以給管芯提高更大的擊穿電壓，提高管芯的功率輸出。

附圖說(shuō)明

此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)

本技術(shù)：
的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)表示相同或相似的部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本發(fā)明沿俯視圖a-a方向的剖視圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1的俯視圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的俯視圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，以下描述中省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的某些技術(shù)特征。

實(shí)施例1

如圖1所示，本實(shí)施例提供一種環(huán)形fet器件，從下至上包括襯底2、緩沖層3及勢(shì)壘層6；還包括環(huán)形隔離區(qū)4、柵極金屬7、源極金屬8及漏極金屬5；環(huán)形隔離區(qū)4形成于勢(shì)壘層6表面且延伸至緩沖層3內(nèi)部，如圖2所示，兩條虛線之間的區(qū)域?yàn)榄h(huán)形隔離區(qū)4。源極金屬8形成于勢(shì)壘層6上且底部延伸至緩沖層3，源極金屬8為圓柱形；柵極金屬7包括第一環(huán)繞部71和第一延伸部72，第一環(huán)繞部71為環(huán)繞源極金屬8的閉合圓環(huán)，且第一環(huán)繞部71的截面為t型，第一延伸部72從第一環(huán)繞部71沿第一直線方向延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)4。漏極金屬5包括第二環(huán)繞部51和第二延伸部52，第二環(huán)繞部51為環(huán)繞第一環(huán)繞部71的非閉合環(huán)形，第二延伸部52從第二環(huán)繞部51沿第二直線方向延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)4；第二環(huán)繞部51的內(nèi)邊緣為非閉合圓形，外邊緣為非閉合的矩形。第一延伸部72從第二環(huán)繞部51的開(kāi)口處延伸出去。從襯底2底部向上開(kāi)設(shè)9至源極金屬8底面，且源極金屬8經(jīng)9通過(guò)連接金屬與襯底2底面的背面金屬1相連。

第一直線方向和所述第二直線方向位于同一直線上。

實(shí)施例2

如圖3所示，本實(shí)施例源極金屬8的橫截面為正八邊形，第一環(huán)繞部71為閉合的正八邊環(huán)形，所述第二環(huán)繞部51的內(nèi)邊緣為非閉合的正八邊形，外邊緣為非閉合的正八邊形，其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同。

以上實(shí)施例僅表示本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能理解為對(duì)本發(fā)明范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明保護(hù)范圍。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求為準(zhǔn)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種環(huán)形FET器件，從下至上包括襯底、緩沖層及勢(shì)壘層，源極金屬形成于勢(shì)壘層上且底部延伸至緩沖層；柵極金屬的第一環(huán)繞部為環(huán)繞源極金屬的閉合環(huán)形，第一延伸部從第一環(huán)繞部延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)；漏極金屬的第二環(huán)繞部為環(huán)繞第一環(huán)繞部的非閉合環(huán)形，第二延伸部從第二環(huán)繞部延伸覆蓋至環(huán)形隔離區(qū)；從襯底底部向上開(kāi)設(shè)背孔至源極金屬底面，且源極金屬經(jīng)背孔通過(guò)連接金屬與背面金屬相連。本發(fā)明通過(guò)將源極做成圓柱形并通過(guò)背孔接地，柵極和漏極均做成環(huán)狀，可縮小管芯面積，降低柵延遲，提高器件工作速度，且更加均勻的電場(chǎng)分布可以給管芯提高更大的擊穿電壓，提高管芯的功率輸出。

技術(shù)研發(fā)人員：李春江;翟媛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.27
技術(shù)公布日：2017.09.05