技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種功率半導(dǎo)體器件的RESURF終端結(jié)構(gòu)，包括陰極金屬電極、第一導(dǎo)電類型重摻雜半導(dǎo)體襯底、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜漂移區(qū)、場氧化層、位于場氧化層上表面或者左側(cè)的場板、覆蓋所述場板和場氧化層的硼磷硅玻璃層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體主結(jié)、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜RESURF層、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜區(qū)、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體重摻雜截止環(huán)；本發(fā)明第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜RESURF層與其上方的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜區(qū)相互耗盡，形成空間電荷區(qū)，改變半導(dǎo)體表面電場的分布，該發(fā)明能夠緩解半導(dǎo)體表面的電場集中，使終端的耐壓能盡量達到平行平面結(jié)的擊穿電壓，同時減小終端面積，提高芯片面積效率。

技術(shù)研發(fā)人員：任敏;李佳駒;羅蕾;林育賜;李澤宏;張波
受保護的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.26
技術(shù)公布日：2017.08.29