技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域，提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件包括：氮化鎵外延層；以及，設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的介質(zhì)層；設(shè)置于所述介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極，所述源極、漏極和柵極分別貫穿所述介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接；設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述介質(zhì)層上的絕緣層，所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅。本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體器件不易出現(xiàn)擊穿氮化鋁鎵層的現(xiàn)象，進而避免了出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及擊穿的問題，有效的保護了氮化鎵半導(dǎo)體器件，增強了氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：劉美華;林信南;劉巖軍
受保護的技術(shù)使用者：深圳市晶相技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.23
技術(shù)公布日：2017.11.03