本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域,尤其涉及一種氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法。
背景技術(shù):
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn),從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料,而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。
現(xiàn)有技術(shù)中,氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法為:在氮化鎵外延層的表面上形成氮化硅層,在氮化硅層上刻蝕出源極接觸孔和漏極接觸孔,源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)沉積金屬,從而形成源極和漏極;再刻蝕氮化硅層以及氮化鎵外延層中的氮化鋁鎵層,形成一個(gè)凹槽,在凹槽中沉積金屬層,從而形成柵極;然后沉積二氧化硅層以及場(chǎng)板金屬層,從而形成氮化鎵半導(dǎo)體器件。
然而現(xiàn)有技術(shù)中,由于電場(chǎng)密度較大,從而會(huì)造成氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及擊穿的問題,進(jìn)而會(huì)損壞氮化鎵半導(dǎo)體器件,降低氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。進(jìn)一步地,人們希望提高電通量、降低表面電場(chǎng)來改善器件性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件,包括:氮化鎵外延層;以及,
設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的介質(zhì)層,所述介質(zhì)層的材質(zhì)為氧化鉿;
設(shè)置于所述介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極,所述源極、漏極和柵極分別貫穿所述介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接;
設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述介質(zhì)層上的絕緣層,所述絕緣層的材質(zhì)為二氧化硅;
還包括設(shè)置于所述絕緣層上的場(chǎng)板金屬層,所述場(chǎng)板金屬層貫穿所述絕緣層與所述源極連接。
還包括有若干個(gè)柵場(chǎng)板,至少一個(gè)所述柵場(chǎng)板設(shè)置于所述絕緣層上,并貫穿所述絕緣層與所述柵極連接。
本發(fā)明還提供這種氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法,提供一氮化鎵外延層,其中,所述氮化鎵外延層包括由下而上依次設(shè)置的硅襯底層、氮化鎵層和氮化鋁鎵層;
在所述氮化鎵外延層表面沉積氧化鉿,形成介質(zhì)層,所述介質(zhì)層材質(zhì)為氧化鉿;
源極接觸孔和漏極接觸孔的獲得:刻蝕所述介質(zhì)層,以形成相互獨(dú)立的源極接觸孔和漏極接觸孔,所述源極接觸孔、所述漏極接觸孔貫穿所述介質(zhì)層到達(dá)所述氮化鋁鎵層;
在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內(nèi)、以及所述介質(zhì)層的表面上,沉積第一金屬,以獲得源極、漏極;
對(duì)所述第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,形成歐姆接觸電極窗口;此時(shí)獲得第一組件;
對(duì)所述第一組件進(jìn)行高溫退火處理,以使得容置在所述源極接觸孔和所述漏極接觸孔內(nèi)的所述第一金屬形成合金并與所述氮化鋁鎵層進(jìn)行反應(yīng);
柵極接觸孔的獲得:通過所述歐姆接觸電極窗口,對(duì)所述介質(zhì)層和所述氮化鋁鎵層進(jìn)行干法刻蝕,形成柵極接觸孔,其中,所述柵極接觸孔的底部與所述氮化鋁鎵層的底部之間具有預(yù)設(shè)距離;
在所述柵極接觸孔、所述柵極接觸孔的外邊緣沉積第二金屬件,以獲得柵極,此時(shí)獲得第二組件;
在所述第二組件的表面沉積一層絕緣層;
在所述絕緣層上進(jìn)行干法刻蝕,以形成開孔,所述開孔與所述源極接觸孔對(duì)應(yīng);在所述開孔以及所述絕緣層上沉積場(chǎng)板金屬層,所述場(chǎng)板金屬層的投影至少覆蓋所述開孔、以及從所述源極接觸孔至所述柵極接觸孔之間的區(qū)域。
在所述絕緣層上進(jìn)行干法刻蝕,以形成第二開孔,所述第二開孔與所述柵極對(duì)應(yīng)連通;在所述第二開孔內(nèi)、以及第二開孔周圍的絕緣層,以及源極、漏極之間所對(duì)應(yīng)的絕緣層區(qū)域,分別沉積金屬alsicu形成若干個(gè)柵場(chǎng)板。
有益效果:
本發(fā)明通過在氮化鎵外延層的表面的介質(zhì)層應(yīng)用了新穎材料,還通過沉積第一金屬在進(jìn)行高溫退火處理,以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層進(jìn)行反應(yīng)之后形成合金,以降低刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層的接觸電阻;
本實(shí)施例結(jié)合了柵場(chǎng)板和high‐k介質(zhì)hfo2,柵場(chǎng)板通過抑制電流崩塌來改善器件擊穿特性;high‐k介質(zhì)更有效地從半導(dǎo)體表面?zhèn)鬏敾蛱崛‰娡?,降低器件表面電?chǎng),以此來改善器件性能。
附圖說明
圖1a為本發(fā)明又一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1b為本發(fā)明又一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1c為本發(fā)明又一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備流程示意圖。
圖2a為本發(fā)明另一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2b為本發(fā)明另一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備流程示意圖。
圖3a為本發(fā)明另一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3b為本發(fā)明另一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的柵極結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3c為本發(fā)明另一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備流程示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參考圖1a所示,本發(fā)明實(shí)施例提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件,其從下至上包括:氮化鎵外延層310、介質(zhì)層320、源極331和漏極332、柵極333、絕緣層340、場(chǎng)板金屬層350。
其中,氮化鎵外延層310由硅(si)襯底312、氮化鎵(gan)層313和氮化鋁鎵(algan)層314構(gòu)成,其中,硅襯底312、氮化鎵層313和氮化鋁鎵層314由下而上依次設(shè)置。
介質(zhì)層320設(shè)置于所述氮化鎵外延層310上;本實(shí)施例的所述介質(zhì)層320材質(zhì)可例如為氧化鉿(hfo2)。該氧化鉿屬于一種高介電常數(shù)(high-k)介質(zhì)。
源極331、漏極332和柵極333設(shè)置于所述介質(zhì)層320上。具體地,源極331、漏極332和柵極333外形像“釘子”般一部分插入至所述介質(zhì)層320中,所述源極331、漏極332和柵極333分別貫穿所述介質(zhì)層320與所述氮化鎵外延層310連接;而一部分突出于所述介質(zhì)層320頂部。所述源極331和/或漏極332由第一金屬組成。其中第一金屬的組分結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例相同。采用第一金屬材質(zhì)形成的源極331、漏極332,能夠在器件高溫退火過程中與所述氮化鎵外延層310中的氮化鎵鋁層314發(fā)生反應(yīng),生成合金,從而使得源極331、漏極332與氮化鋁鎵層的接觸面的接觸良好,可以有效的降低源極331、漏極332與氮化鋁鎵層的接觸電阻;避免出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及軟擊穿的問題。
優(yōu)選地,結(jié)合圖1b所示,本實(shí)施例的柵極333包括并列相連的兩個(gè)部分:較短的為增強(qiáng)型第一柵部333a、較長(zhǎng)的為耗盡型第二柵部333b。所述第一柵部333a與所述氮化鋁鎵層314表面連接,所述第二柵部333b伸入所述氮化鋁鎵層314中。這種長(zhǎng)短兩個(gè)部分構(gòu)成的柵極區(qū)別于現(xiàn)有的柵極,而呈現(xiàn)“異型”。
進(jìn)一步地,所述第一柵部333a的寬度d1優(yōu)選不小于第二柵部333b的寬度d2。當(dāng)然,在其他實(shí)施例中,第一柵部333a和第二柵部333b的左右位置也可以互換。
所述柵極333b可以往下延伸入所述氮化鋁鎵層314中,所述柵極333b底端到所述氮化鋁鎵層314底部的距離h優(yōu)選為整個(gè)所述氮化鋁鎵層314的一半。整個(gè)柵極333由第二金屬組成,所述第二金屬為ni、au合金。
絕緣層340設(shè)置于漏極332、柵極333和一部分源極331上方,以及裸露出來的全部介質(zhì)層320上,所述絕緣層340的材質(zhì)為二氧化硅。其中,絕緣層340在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處沉淀的厚度相同。由于源極331、漏極332、柵極333的存在,從而在源極331與柵極333之間的絕緣層340、在柵極33與漏極332之間的絕緣層340是向下凹陷的,可通過后續(xù)的磨平步驟使之平整。
還可例如包括有場(chǎng)板金屬層350,其設(shè)置于所述絕緣層340上。所述場(chǎng)板金屬層350貫穿所述絕緣層340與所述源極331連接。優(yōu)選地,所述場(chǎng)板金屬層350的材質(zhì)為鋁硅銅金屬層。
本發(fā)明還提供上述氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法。如圖1c所示,具體步驟包括:
步驟301:在硅襯底312上依次沉積氮化鎵層313和氮化鋁鎵層314,形成氮化鎵外延層310。氮化鎵是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射性能等特性、并且在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),從而是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料;其中,大禁帶寬度為3.4電子伏特,高電子飽和速率為2e7厘米每秒,高擊穿電場(chǎng)為1e10~-3e10伏特每厘米。
然后可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相電積方法,在氮化鎵外延層310的表面上沉積一層氧化鉿(hfo2),形成介質(zhì)層120。其中,氧化鉿的厚度例如可為2000埃。
步驟302,對(duì)所述介質(zhì)層320進(jìn)行干法刻蝕,形成相對(duì)設(shè)置的源極接觸孔321和漏極接觸孔322。
為了使得所述源極接觸孔321、漏極接觸孔322清潔少雜質(zhì),還包括除雜步驟。具體的,在對(duì)介質(zhì)層320進(jìn)行干法刻蝕之后,可以先采用“dhf(稀的氫氟酸)+化學(xué)清洗劑sc-1+化學(xué)清洗劑sc-2”的方法,例如,可以先采用稀釋后的氫氟酸溶液處理器件,然后采用過氧化氫與氫氧化氨的堿性混合溶液處理器件,再采用過氧化氫與氯化氫的酸性混合溶液處理器件,進(jìn)而可以去除整個(gè)器件的表面上的雜質(zhì)物。
步驟303,在本實(shí)施例中,在源極接觸孔321和漏極接觸孔322內(nèi)、以及介質(zhì)層120的表面上沉積第一金屬。
具體地,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)、以及介質(zhì)層的表面上,依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層,以形成第一金屬;其中,第一鈦金屬層的厚度可例如為200埃,鋁金屬層的厚度可例如為1200埃,第二鈦金屬層的厚度可例如為200埃,氮化鈦層的厚度可例如為200埃。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,形成歐姆接觸電極窗口319。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,其中光刻的程序包括了涂膠、曝光和顯影,從而可以形成一個(gè)歐姆接觸電極窗口319;透過歐姆接觸電極窗口319,可以看到介質(zhì)層320的部分表面。如此,源極接觸孔121上的第一金屬構(gòu)成了器件的源極331,漏極接觸孔322上的第一金屬構(gòu)成了器件的漏極332。此時(shí),為了能清楚表達(dá)本發(fā)明過程,命名此時(shí)獲得的器件為第一組件。
步驟104,對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行高溫退火處理,以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層,314進(jìn)行反應(yīng)之后形成合金。
在本實(shí)施例中,具體的,在反應(yīng)爐中通入氮?dú)鈿怏w,在840~850℃的環(huán)境下對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行30秒的高溫退火處理,從而刻蝕后的第一金屬會(huì)成為合金,并且相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層314進(jìn)行反應(yīng)之后也可以在其接觸面上也形成合金,從而可以降低第一金屬與氮化鋁鎵層314之間的接觸電阻。即,降低源極331、漏極332與氮化鋁鎵層314之間的接觸電阻。
步驟305,通過歐姆接觸電極窗口,319,對(duì)介質(zhì)層320和氮化鋁鎵層314進(jìn)行干法刻蝕,形成柵極接觸孔323,其中,柵極接觸孔323的底部與氮化鋁鎵層314的底部具有預(yù)設(shè)距離。
在本實(shí)施例中,采用干法刻蝕的方法,通過歐姆接觸電極窗口319,對(duì)介質(zhì)層320以及部分的氮化鋁鎵層314,進(jìn)行干法刻蝕,進(jìn)而在第一器件上形成一個(gè)柵極接觸孔323。
其中,第一次刻蝕時(shí),只在所述介質(zhì)層320部分進(jìn)行,獲得較淺的第一接觸孔323a;第二次干法刻蝕時(shí)在第一次刻蝕所獲得的第一接觸孔323a之中偏向一側(cè)進(jìn)行,并刻蝕貫穿整個(gè)介質(zhì)層320后再深入至部分氮化鋁鎵層314中進(jìn)行,形成更深的第二接觸孔323b;如此獲得整體的柵極接觸孔323。通過控制刻蝕工藝參數(shù)調(diào)節(jié)柵極接觸孔323b的寬度,來控制第一柵部的寬度d1、第二柵部的寬度d2的比例關(guān)系。然后在所述柵極接觸孔323a、柵極接觸孔323b、以及部分介質(zhì)層320沉積ni/au,金屬厚度為0.01~0.04μm/0.08~0.4μm;獲得柵極333。由此可知,兩個(gè)柵極接觸孔之間實(shí)際上相互連通的,第一柵部333a、第二柵部333b的制備也是一體成型的。
優(yōu)選地,第二接觸孔323b完全的穿透了介質(zhì)層320,并穿過部分的氮化鋁鎵層314,使得第二接觸孔323b的底部與氮化鋁鎵層314的底部的距離h優(yōu)選為氮化鋁鎵層314的一半。
在本實(shí)施例中,形成一個(gè)柵極接觸孔323之后,柵極接觸孔323內(nèi)會(huì)存在雜質(zhì)、顆粒以及離子等雜質(zhì)物,從而可以采用鹽酸溶液清洗柵極接觸孔320,將柵極接觸孔320內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。
具體地,本實(shí)施例通過在對(duì)介質(zhì)層320進(jìn)行干法刻蝕之后,采用dhf+sc1+sc2的方法去除器件上的雜質(zhì)物;并形成柵極接觸孔323之后,采用鹽酸溶液將柵極接觸孔323內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。從而可以有效的保證了介質(zhì)層的表面以及柵極接觸孔323內(nèi)的清潔,進(jìn)而保證了氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能。
此時(shí),為了更清楚表達(dá)本發(fā)明內(nèi)容,命名此時(shí)獲得的器件為第二組件。
步驟307,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層絕緣層,340。
在本實(shí)施例中,具體的,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層二氧化硅(sio2),厚度可例如為5000埃,形成二氧化硅層作為一層絕緣層340。其中,二氧化硅在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處厚度相同,由于源極331、漏極332和柵極333的存在,從而在源極331與柵極333之間的絕緣層340、在柵極333與漏極332之間的絕緣層340是向下凹陷的,可利用磨平工藝使之平整。
步驟308,對(duì)源極接觸孔331上方的絕緣層340進(jìn)行干法刻蝕之后,形成開孔341。所述柵極333具有凸出于所述柵極接觸孔323外的凸出部333a,所述開孔341的寬度小于所述凸出部333a的寬度。
步驟309,在開孔341內(nèi)、以及從源極接觸孔331延伸至柵極接觸孔323上方的絕緣層340上沉積場(chǎng)板金屬350,形成場(chǎng)板金屬層350。
在本實(shí)施例中,具體的,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在開孔341內(nèi)、以及從源極接觸孔321的外邊緣的第一金屬直至柵極接觸孔323的外邊緣的第一金屬上方的介質(zhì)層320上沉積場(chǎng)板金屬,厚度可例如為10000埃,從而形成場(chǎng)板金屬層350。場(chǎng)板金屬層350的厚度是均勻的,場(chǎng)板金屬層350在開孔341的位置處、以及源極接觸孔221與柵極接觸孔223之間的位置處的是向下凹陷的,可通過后續(xù)步驟中的磨平工藝使之平整。
有益效果:
本實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件采用混合柵結(jié)構(gòu),包括短的屬于增強(qiáng)型的第一柵部333a和長(zhǎng)的屬于耗盡型的第二柵部333b。在關(guān)態(tài)條件下,第一柵部333a關(guān)斷,而第二柵部333b可以在漏極電壓下鎖住溝道電勢(shì),提供高的阻斷能力;開態(tài)時(shí),增強(qiáng)型溝道和耗盡型溝道提供低的溝道電阻,保證高的導(dǎo)通電流和低的導(dǎo)通電阻。本實(shí)施例獲得的氮化鎵半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于電力電子元件、濾波器、無線電通信元件等技術(shù)領(lǐng)域中,具有良好的應(yīng)用前景。
如圖2a所示,本發(fā)明實(shí)施例提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件,其從下至上包括:氮化鎵外延層410、介質(zhì)層420、源極431和漏極432、柵極433、絕緣層440、場(chǎng)板金屬層450、柵場(chǎng)板460。
其中,氮化鎵外延層410由硅(si)襯底412、氮化鎵(gan)層413和氮化鋁鎵(algan)層414構(gòu)成,其中,硅襯底412、氮化鎵層413和氮化鋁鎵層414由下而上依次設(shè)置。
介質(zhì)層420設(shè)置于所述氮化鎵外延層410上;本實(shí)施例的所述介質(zhì)層420材質(zhì)可例如為氧化鉿(hfo2)。該氧化鉿屬于一種高介電常數(shù)(high-k)介質(zhì)。
源極431、漏極432和柵極433設(shè)置于所述介質(zhì)層420上。具體地,源極431、漏極432和柵極433外形像“釘子”般一部分插入至所述介質(zhì)層420中,所述源極431、漏極432和柵極433分別貫穿所述介質(zhì)層420與所述氮化鎵外延層410連接;而一部分突出于所述介質(zhì)層420頂部。所述源極431和/或漏極432由第一金屬組成,所述第一金屬組分結(jié)構(gòu)如上述實(shí)施例所示。采用第一金屬材質(zhì)形成的源極431、漏極432,能夠在器件高溫退火過程中與所述氮化鎵外延層410中的氮化鎵鋁層414發(fā)生反應(yīng),生成合金,從而使得源極431、漏極432與氮化鋁鎵層的接觸面的接觸良好,可以有效的降低源極431、漏極432與氮化鋁鎵層的接觸電阻;避免出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及軟擊穿的問題。
優(yōu)選地,所述柵極433往下延伸入所述氮化鋁鎵層414中,所述柵極433底端到所述氮化鋁鎵層414底部的距離h優(yōu)選為整個(gè)所述氮化鋁鎵層414的一半。柵極433由第二金屬組成,所述第二金屬為ni、au合金。
優(yōu)選地,包括有若干個(gè)柵場(chǎng)板460,至少一個(gè)所述柵場(chǎng)板460對(duì)應(yīng)于所述柵極433、設(shè)置于所述絕緣層440上,并貫穿所述絕緣層440與所述柵極433頂部連接。其余的柵場(chǎng)板460可設(shè)置于所述絕緣層440上方。
絕緣層440設(shè)置于漏極432、柵極433和一部分源極431上方,以及裸露出來的全部介質(zhì)層420上,所述絕緣層440的材質(zhì)為二氧化硅。其中,絕緣層440在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處沉淀的厚度相同。由于源極431、漏極432、柵極433的存在,從而在源極431與柵極433之間的絕緣層440、在柵極433與漏極432之間的絕緣層440是向下凹陷的,可在后續(xù)步驟中的磨平工藝使之平整。
還可例如包括有場(chǎng)板金屬層450,其設(shè)置于所述絕緣層440上。所述場(chǎng)板金屬層450貫穿所述絕緣層440與所述源極431連接。優(yōu)選地,所述場(chǎng)板金屬層450的材質(zhì)為鋁硅銅金屬層。
本發(fā)明還提供上述氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法。如圖2b所示,具體步驟包括:
步驟401:在硅襯底412上依次沉積氮化鎵層413和氮化鋁鎵層414,形成氮化鎵外延層410。氮化鎵是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射性能等特性、并且在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),從而是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料;其中,大禁帶寬度為3.4電子伏特,高電子飽和速率為2e7厘米每秒,高擊穿電場(chǎng)為1e10~-3e10伏特每厘米。
然后可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相電積方法,在氮化鎵外延層410的表面上沉積一層氧化鉿(hfo2),形成介質(zhì)層420。其中,氧化鉿的厚度例如可為2000埃。
步驟402,對(duì)所述介質(zhì)層420進(jìn)行干法刻蝕,形成相對(duì)設(shè)置的源極接觸孔421和漏極接觸孔122。
為了使得所述源極接觸孔421、漏極接觸孔422清潔少雜質(zhì),還包括除雜步驟。具體的,在對(duì)介質(zhì)層420進(jìn)行干法刻蝕之后,可以先采用“dhf(稀的氫氟酸)+化學(xué)清洗劑sc-1+化學(xué)清洗劑sc-2”的方法,例如,可以先采用稀釋后的氫氟酸溶液處理器件,然后采用過氧化氫與氫氧化氨的堿性混合溶液處理器件,再采用過氧化氫與氯化氫的酸性混合溶液處理器件,進(jìn)而可以去除整個(gè)器件的表面上的雜質(zhì)物。
步驟403,在本實(shí)施例中,在源極接觸孔421和漏極接觸孔422內(nèi)、以及介質(zhì)層420的表面上沉積第一金屬421。
具體地,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在源極接觸孔和漏極接觸孔內(nèi)、以及介質(zhì)層的表面上,依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層,以形成第一金屬;其中,第一鈦金屬層的厚度可例如為200埃,鋁金屬層的厚度可例如為1200埃,第二鈦金屬層的厚度可例如為200埃,氮化鈦層的厚度可例如為200埃。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,形成歐姆接觸電極窗口419。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,其中光刻的程序包括了涂膠、曝光和顯影,從而可以形成一個(gè)歐姆接觸電極窗口419;透過歐姆接觸電極窗口419,可以看到介質(zhì)層420的部分表面。如此,源極接觸孔421上的第一金屬構(gòu)成了器件的源極431,漏極接觸孔422上的第一金屬構(gòu)成了器件的漏極432。此時(shí),為了能清楚表達(dá)本發(fā)明過程,命名此時(shí)獲得的器件為第一組件。
步驟404,對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行高溫退火處理,以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層414進(jìn)行反應(yīng)之后形成合金。
在本實(shí)施例中,具體的,在反應(yīng)爐中通入氮?dú)鈿怏w,在840~850℃的環(huán)境下對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行30秒的高溫退火處理,從而刻蝕后的第一金屬會(huì)成為合金,并且相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層414進(jìn)行反應(yīng)之后也可以在其接觸面上也形成合金,從而可以降低第一金屬與氮化鋁鎵層414之間的接觸電阻。即,降低源極431、漏極432與氮化鋁鎵層414之間的接觸電阻。
步驟405、通過歐姆接觸電極窗口419,對(duì)介質(zhì)層420和氮化鋁鎵層414進(jìn)行干法刻蝕,形成柵極接觸孔423,其中,柵極接觸孔423的底部與氮化鋁鎵層414的底部具有預(yù)設(shè)距離。
在本實(shí)施例中,采用干法刻蝕的方法,通過歐姆接觸電極窗口419,對(duì)介質(zhì)層420以及部分的氮化鋁鎵層414,進(jìn)行干法刻蝕,進(jìn)而在第一器件上形成一個(gè)柵極接觸孔423。其中,柵極接觸孔423完全的穿透了介質(zhì)層420,并穿過部分的氮化鋁鎵層414,使得柵極接觸孔423的底部與氮化鋁鎵層414的底部的距離h優(yōu)選為氮化鋁鎵層414的一半。
在本實(shí)施例中,形成一個(gè)柵極接觸孔423之后,柵極接觸孔423內(nèi)會(huì)存在雜質(zhì)、顆粒以及離子等雜質(zhì)物,從而可以采用鹽酸溶液清洗柵極接觸孔420,將柵極接觸孔420內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。
本實(shí)施例通過在對(duì)介質(zhì)層420進(jìn)行干法刻蝕之后,采用dhf+sc1+sc2的方法去除器件上的雜質(zhì)物;并形成柵極接觸孔423之后,采用鹽酸溶液將柵極接觸孔423內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。從而可以有效的保證了介質(zhì)層的表面以及柵極接觸孔423內(nèi)的清潔,進(jìn)而保證了氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能。
步驟406、在本實(shí)施例中,具體的,采用磁控濺射鍍膜工藝,在柵極接觸孔423和柵極接觸孔423的外邊緣沉積ni/au作為第二金屬,金屬厚度為0.01~0.04μm/0.08~0.4μm;從而構(gòu)成了柵極433。此時(shí),為了更清楚表達(dá)本發(fā)明內(nèi)容,命名此時(shí)獲得的器件為第二組件。
步驟407,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層絕緣層440。
在本實(shí)施例中,具體的,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層二氧化硅(sio2),厚度可例如為5000埃,形成二氧化硅層作為一層絕緣層440。其中,二氧化硅在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處厚度相同,由于源極431、漏極432和柵極433的存在,從而在源極431與柵極433之間的絕緣層440、在柵極433與漏極432之間的絕緣層440是向下凹陷的,可利用磨平工藝使之平整。
步驟408,對(duì)源極接觸孔431上方的絕緣層440進(jìn)行干法刻蝕之后,形成開孔441。所述柵極433具有凸出于所述柵極接觸孔423外的凸出部433a,所述開孔441的寬度小于所述凸出部433a的寬度。
步驟409,在開孔441內(nèi)、以及從源極接觸孔431延伸至柵極接觸孔423上方的絕緣層440上沉積場(chǎng)板金屬450,形成場(chǎng)板金屬層450。
在本實(shí)施例中,具體的,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在開孔441內(nèi)、以及從源極接觸孔421的外邊緣的第一金屬直至柵極接觸孔423的外邊緣的第一金屬上方的介質(zhì)層420上沉積場(chǎng)板金屬,厚度可例如為10000埃,從而形成場(chǎng)板金屬層450。場(chǎng)板金屬層450的厚度是均勻的,場(chǎng)板金屬層450在開孔441的位置處、以及源極接觸孔421與柵極接觸孔423之間的位置處的是向下凹陷的。在后期可以通過磨平操作使之平整。
步驟4010,增加?xùn)艌?chǎng)板460的第二開孔步驟。即采用與步驟408類似的方法在柵極433上方的絕緣層440形成第二開孔442。
步驟4020,采用如步驟409類似的方法,在開孔442內(nèi)、以及開孔442周圍的絕緣層440,以及源極431、漏極432之間所對(duì)應(yīng)的絕緣層440區(qū)域,分別沉積金屬alsicu形成若干個(gè)柵場(chǎng)板460。
有益效果:
本實(shí)施例結(jié)合了柵場(chǎng)板和high-k介質(zhì)hfo2,柵場(chǎng)板通過抑制電流崩塌來改善器件擊穿特性;high-k介質(zhì)更有效地從半導(dǎo)體表面?zhèn)鬏敾蛱崛‰娡?,降低器件表面電?chǎng),以此來改善器件性能。本實(shí)施例獲得的氮化鎵半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于電力電子元件、濾波器、無線電通信元件等技術(shù)領(lǐng)域中,具有良好的應(yīng)用前景。
如圖3a所示,本發(fā)明實(shí)施例提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件,其從下至上包括:氮化鎵外延層810、介質(zhì)層820、源極831和漏極832、柵極833、絕緣層840。
其中,氮化鎵外延層810由硅(si)襯底812、氮化鎵(gan)層813和氮化鋁鎵(algan)層814構(gòu)成,其中,硅襯底812、氮化鎵層813和氮化鋁鎵層814由下而上依次設(shè)置。
介質(zhì)層820設(shè)置于所述氮化鎵外延層810上;本實(shí)施例的所述介質(zhì)層820材質(zhì)可例如為氧化鉿(hfo2)。該氧化鉿屬于一種高介電常數(shù)(high-k)介質(zhì)。
源極831、漏極832和柵極833設(shè)置于所述介質(zhì)層820上。具體地,源極831、漏極832和柵極833外形像“釘子”般一部分插入至所述介質(zhì)層820中,所述源極831、漏極832和柵極833分別貫穿所述介質(zhì)層820與所述氮化鎵外延層810連接;而一部分突出于所述介質(zhì)層820頂部。所述源極831和/或漏極832由第一金屬組成與上述實(shí)施例所示。采用第一金屬材質(zhì)形成的源極831、漏極832,能夠在器件高溫退火過程中與所述氮化鎵外延層810中的氮化鎵鋁層814發(fā)生反應(yīng),生成合金,從而使得源極831、漏極832與氮化鋁鎵層的接觸面的接觸良好,可以有效的降低源極831、漏極832與氮化鋁鎵層的接觸電阻;避免出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及軟擊穿的問題。
優(yōu)選地,結(jié)合圖3b所示,本實(shí)施例的柵極833包括并列相連的兩個(gè)部分:較短的為增強(qiáng)型第一柵部833a、較長(zhǎng)的為耗盡型第二柵部833b。所述第一柵部833a與所述氮化鋁鎵層814表面連接,所述第二柵部833b伸入所述氮化鋁鎵層814中。這種長(zhǎng)短兩個(gè)部分構(gòu)成的柵極區(qū)別于現(xiàn)有的柵極,而呈現(xiàn)“異型”。
進(jìn)一步地,所述第一柵部833a的寬度d1優(yōu)選不小于第二柵部833b的寬度d2。當(dāng)然,在其他實(shí)施例中,第一柵部833a和第二柵部833b的左右位置也可以互換。
所述柵極833b可以往下延伸入所述氮化鋁鎵層314中,所述柵極833b底端到所述氮化鋁鎵層814底部的距離h優(yōu)選為整個(gè)所述氮化鋁鎵層814的一半。整個(gè)柵極833由第二金屬組成,所述第二金屬為ni、au合金。
進(jìn)一步地,包括設(shè)置在所述介質(zhì)層820上的若干個(gè)浮空?qǐng)霭?29,所述浮空?qǐng)霭?29貫穿所述介質(zhì)層820與所述氮化鎵外延層810連接,且所述浮空?qǐng)霭?29獨(dú)立設(shè)置于所述源極831、漏極832之間并呈現(xiàn)環(huán)狀。
每個(gè)浮空?qǐng)霭?29的高度可優(yōu)選為0.25~6微米。
絕緣層840設(shè)置于漏極832、柵極833和一部分源極831上方,以及裸露出來的全部介質(zhì)層820上,所述絕緣層840的材質(zhì)為二氧化硅。其中,絕緣層840在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處沉淀的厚度相同。由于源極831、漏極832、柵極833的存在,從而在源極831與柵極833之間的絕緣層840、在柵極833與漏極832之間的絕緣層840是向下凹陷的,可利用磨平工藝使之平整。
還可例如包括有場(chǎng)板金屬層850,其設(shè)置于所述絕緣層840上。所述場(chǎng)板金屬層850貫穿所述絕緣層840與所述源極831連接。優(yōu)選地,所述場(chǎng)板金屬層850的材質(zhì)為鋁硅銅金屬層。
本實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件采用混合柵結(jié)構(gòu),包括短的屬于增強(qiáng)型的第一柵部和長(zhǎng)的屬于耗盡型的第二柵部。在關(guān)態(tài)條件下,第一柵部關(guān)斷,而第二柵部可以在漏極電壓下鎖住溝道電勢(shì),提供高的阻斷能力;開態(tài)時(shí),增強(qiáng)型溝道和耗盡型溝道提供低的溝道電阻,保證高的導(dǎo)通電流和低的導(dǎo)通電阻。
本發(fā)明還提供上述氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法。如圖3c所示,具體步驟包括:
步驟801:在硅襯底812上依次沉積氮化鎵層813和氮化鋁鎵層814,形成氮化鎵外延層810。氮化鎵是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕和抗輻射性能等特性、并且在高壓、高頻、高溫、大功率和抗輻照環(huán)境條件下具有較強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),從而是研究短波光電子器件和高壓高頻率大功率器件的最佳材料;其中,大禁帶寬度為3.4電子伏特,高電子飽和速率為2e7厘米每秒,高擊穿電場(chǎng)為1e10~-3e10伏特每厘米。
然后可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相電積方法,在氮化鎵外延層810的表面上沉積一層氧化鉿(hfo2),形成介質(zhì)層820。其中,氧化鉿的厚度例如可為2000埃。
步驟802,對(duì)所述介質(zhì)層820進(jìn)行干法刻蝕,形成相對(duì)設(shè)置的源極接觸孔821和漏極接觸孔822、以及多個(gè)浮空?qǐng)霭褰佑|孔825;再在所述極接觸孔821和漏極接觸孔822、以及多個(gè)浮空?qǐng)霭褰佑|孔825內(nèi)沉積第一金屬形成相應(yīng)的電極。
首先,先在介質(zhì)層820上開設(shè)漏極接觸孔822;然后可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在漏極接觸孔內(nèi)以及介質(zhì)層的表面上,依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層,以形成第一金屬;其中,第一鈦金屬層的厚度可例如為200埃,鋁金屬層的厚度可例如為1200埃,第二鈦金屬層的厚度可例如為200埃,氮化鈦層的厚度可例如為200埃。形成漏極。
步驟8031,再在源極接觸孔821以及多個(gè)浮空?qǐng)霭褰佑|孔825介質(zhì)層820的表面上沉積第一金屬。
類似地,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在源極接觸孔以及多個(gè)浮空?qǐng)霭褰佑|孔825、部分介質(zhì)層的表面上,依次沉積第一鈦金屬層、鋁金屬層、第二鈦金屬層和氮化鈦層,以形成第一金屬;其中,第一鈦金屬層的厚度可例如為200埃,鋁金屬層的厚度可例如為1200埃,第二鈦金屬層的厚度可例如為200埃,氮化鈦層的厚度可例如為200埃。由此,獲得源極831和浮空?qǐng)霭?35。
其中,每個(gè)浮空?qǐng)霭?35的長(zhǎng)度可例如為0.25~6微米。
為了使得所述源極接觸孔821、漏極接觸孔822、多個(gè)浮空?qǐng)霭褰佑|孔825清潔少雜質(zhì),還包括除雜步驟。具體的,在對(duì)介質(zhì)層820進(jìn)行干法刻蝕之后,可以先采用“dhf(稀的氫氟酸)+化學(xué)清洗劑sc-1+化學(xué)清洗劑sc-2”的方法,例如,可以先采用稀釋后的氫氟酸溶液處理器件,然后采用過氧化氫與氫氧化氨的堿性混合溶液處理器件,再采用過氧化氫與氯化氫的酸性混合溶液處理器件,進(jìn)而可以去除整個(gè)器件的表面上的雜質(zhì)物。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,形成歐姆接觸電極窗口819。
對(duì)第一金屬進(jìn)行光刻和刻蝕,其中光刻的程序包括了涂膠、曝光和顯影,從而可以形成一個(gè)歐姆接觸電極窗口819;透過歐姆接觸電極窗口819,可以看到介質(zhì)層820的部分表面。如此,源極接觸孔821上的第一金屬構(gòu)成了器件的源極831,漏極接觸孔822上的第一金屬構(gòu)成了器件的漏極832。此時(shí),為了能清楚表達(dá)本發(fā)明過程,命名此時(shí)獲得的器件為第一組件。
步驟804,對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行高溫退火處理,以通過相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層814進(jìn)行反應(yīng)之后形成合金。
在本實(shí)施例中,具體的,在反應(yīng)爐中通入氮?dú)鈿怏w,在840~850℃的環(huán)境下對(duì)整個(gè)第一組件進(jìn)行30秒的高溫退火處理,從而刻蝕后的第一金屬會(huì)成為合金,并且相互接觸的刻蝕后的第一金屬與氮化鋁鎵層814進(jìn)行反應(yīng)之后也可以在其接觸面上也形成合金,從而可以降低第一金屬與氮化鋁鎵層814之間的接觸電阻。即,降低源極831、漏極832與氮化鋁鎵層14之間的接觸電阻。
步驟805,通過歐姆接觸電極窗口819,對(duì)介質(zhì)層820和氮化鋁鎵層814進(jìn)行干法刻蝕,形成柵極接觸孔823,其中,柵極接觸孔823的底部與氮化鋁鎵層814的底部具有預(yù)設(shè)距離。
在本實(shí)施例中,采用干法刻蝕的方法,通過歐姆接觸電極窗口819,對(duì)介質(zhì)層820以及部分的氮化鋁鎵層814,進(jìn)行干法刻蝕,進(jìn)而在第一器件上形成一個(gè)柵極接觸孔823。其中,柵極接觸孔823完全的穿透了介質(zhì)層820,并穿過部分的氮化鋁鎵層814,使得柵極接觸孔823的底部與氮化鋁鎵層814的底部的距離h優(yōu)選為氮化鋁鎵層814的一半。進(jìn)一步地,刻蝕時(shí)使得柵極接觸孔823呈現(xiàn)一上寬下窄的、倒置的梯形。在本實(shí)施例中,形成一個(gè)柵極接觸孔823之后,柵極接觸孔823內(nèi)會(huì)存在雜質(zhì)、顆粒以及離子等雜質(zhì)物,從而可以采用鹽酸溶液清洗柵極接觸孔820,將柵極接觸孔820內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。
本實(shí)施例通過在對(duì)介質(zhì)層820進(jìn)行干法刻蝕之后,采用dhf+sc1+sc2的方法去除器件上的雜質(zhì)物;并形成柵極接觸孔823之后,采用鹽酸溶液將柵極接觸孔823內(nèi)的雜質(zhì)物去除掉。從而可以有效的保證了介質(zhì)層的表面以及柵極接觸孔823內(nèi)的清潔,進(jìn)而保證了氮化鎵半導(dǎo)體器件的性能。
步驟806、在本實(shí)施例中,具體的,采用磁控濺射鍍膜工藝,在柵極接觸孔823和柵極接觸孔823的外邊緣沉積ni/au作為第二金屬,金屬厚度為0.01~0.04μm/0.08~0.4μm;從而構(gòu)成了柵極833。此時(shí),為了更清楚表達(dá)本發(fā)明內(nèi)容,命名此時(shí)獲得的器件為第二組件。
步驟808,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層絕緣層840。
在本實(shí)施例中,具體的,在整個(gè)第二組件的表面沉積一層二氧化硅(sio2),厚度可例如為5000埃,形成二氧化硅層作為一層絕緣層840。其中,二氧化硅在整個(gè)器件的表面進(jìn)行均勻沉積,各處厚度相同,由于源極831、漏極832和柵極833的存在,從而在源極831與柵極833之間的絕緣層840、在柵極833與漏極832之間的絕緣層840是向下凹陷的,可利用磨平工藝使之平整。
步驟808,對(duì)源極接觸孔831上方的絕緣層840進(jìn)行干法刻蝕之后,形成開孔841。所述柵極833具有凸出于所述柵極接觸孔823外的凸出部833a,所述開孔841的寬度小于所述凸出部833a的寬度。
步驟809,在開孔841內(nèi)、以及從源極接觸孔831延伸至柵極接觸孔823上方的絕緣層840上沉積場(chǎng)板金屬850,形成場(chǎng)板金屬層850。
在本實(shí)施例中,具體的,可以采用磁控濺射鍍膜工藝,在開孔841內(nèi)、以及從源極接觸孔821的外邊緣的第一金屬直至柵極接觸孔823的外邊緣的第一金屬上方的介質(zhì)層820上沉積場(chǎng)板金屬,厚度可例如為10000埃,從而形成場(chǎng)板金屬層850。場(chǎng)板金屬層850的厚度是均勻的,場(chǎng)板金屬層850在開孔841的位置處、以及源極接觸孔821與柵極接觸孔823之間的位置處的是向下凹陷的,通過在后續(xù)步驟的磨平工藝可使之平整。
本實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體器件采用混合柵結(jié)構(gòu),包括短的屬于增強(qiáng)型的第一柵部和長(zhǎng)的屬于耗盡型的第二柵部。在關(guān)態(tài)條件下,第一柵部關(guān)斷,而第二柵部可以在漏極電壓下鎖住溝道電勢(shì),提供高的阻斷能力;開態(tài)時(shí),增強(qiáng)型溝道和耗盡型溝道提供低的溝道電阻,保證高的導(dǎo)通電流和低的導(dǎo)通電阻。結(jié)合浮空的金屬環(huán),通過這個(gè)浮空的金屬環(huán),擴(kuò)展了功率器件的耗盡區(qū),減小了主肖特基結(jié)的電場(chǎng)強(qiáng)度,從而改善器件耐壓。本實(shí)施例獲得的氮化鎵半導(dǎo)體器件可應(yīng)用于電力電子元件、濾波器、無線電通信元件等技術(shù)領(lǐng)域中,具有良好的應(yīng)用前景。
最后應(yīng)說明的是:以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對(duì)其限制;盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。