技術(shù)特征:
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域,提供一種氮化鎵半導(dǎo)體器件包括:氮化鎵外延層;以及,設(shè)置于所述氮化鎵外延層上的氧化鉿介質(zhì)層;設(shè)置于所述介質(zhì)層上的源極、漏極和柵極,所述源極、漏極和柵極分別貫穿所述介質(zhì)層與所述氮化鎵外延層連接;設(shè)置于所述源極、漏極和柵極以及所述介質(zhì)層上的絕緣層,以及設(shè)置于所述絕緣層上的場(chǎng)板金屬層。本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體器件不易出現(xiàn)擊穿氮化鋁鎵層的現(xiàn)象,進(jìn)而避免了出現(xiàn)氮化鎵半導(dǎo)體器件的漏電以及擊穿的問(wèn)題,有效的保護(hù)了氮化鎵半導(dǎo)體器件,增強(qiáng)了氮化鎵半導(dǎo)體器件的可靠性。
技術(shù)研發(fā)人員:劉美華;林信南;劉巖軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市晶相技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.06.23
技術(shù)公布日:2017.11.03