本發(fā)明涉及燃料電池領(lǐng)域,尤其是涉及一種燃料電池雙極板及其表面鈦金薄膜的制備方法。
背景技術(shù):
燃料電池(fuelcell)能將儲(chǔ)存在燃料和氧化劑中的化學(xué)能直接轉(zhuǎn)化為電能,其轉(zhuǎn)化效率高、環(huán)境友好、可靠性強(qiáng),被認(rèn)為是21世紀(jì)首選的高效的可持續(xù)發(fā)電技術(shù)。
在各類燃料電池中,可再生燃料電池(regenerativefuelcellsectem,簡稱rfc)是目前比能量最高的儲(chǔ)能系統(tǒng),由水電解(we)池和燃料電池(fc)兩個(gè)主要部分構(gòu)成,它能通過電解池將水電解成氫和氧然后又通過燃料電池產(chǎn)生電能后將氫、氧又生成水,具有循環(huán)利用可再生的特點(diǎn),其功率在10~1000kw范圍,比能量可達(dá)400~1000w·hkg-1,是最輕的二次電池比能量的幾倍。目前可再生燃料電池主要被開發(fā)和應(yīng)用于空間飛行器及太空船的混合能量存儲(chǔ)系統(tǒng)以及便攜式能量系統(tǒng)等。
此外,質(zhì)子交換膜燃料電池(protonexchangemembranefuelcell,簡稱pemfc)也是燃料電池家族中的典型代表,它具有啟動(dòng)快、壽命長、比功率高等優(yōu)點(diǎn),除適用于地面發(fā)電站以外,還特別適合用于可移動(dòng)動(dòng)力源和各種便攜電源,是電動(dòng)車和其它交通工具甚至是武器載運(yùn)的理想電源之一。因此可再生燃料電池和質(zhì)子交換膜燃料電池的發(fā)展對(duì)整個(gè)新能源技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展具有舉足輕重的作用。
雙極板在燃料電池中起著支撐、集流以及分隔氧化劑與還原劑的作用,并且引導(dǎo)氧化劑和還原劑在電池內(nèi)電極表面流動(dòng),是燃料電池的關(guān)鍵組成部分,占電池重量的70%以上,在電池總成本中也占接近一半。理想的雙極板應(yīng)當(dāng)具有很高的導(dǎo)電性、耐腐蝕性、高機(jī)械強(qiáng)度、高阻氣能力、低成本易加工等特點(diǎn)。從一般性能上講,金屬是理想的燃料電池的雙極板材料,但是金屬的主要問題是在燃料電池環(huán)境下易發(fā)生腐蝕,特別是在可再生燃料電池的電解模式下,其工作電壓更高,一般在1.2~1.5v,特別是電解陽極由于處于氧化氣氛而使得其腐蝕環(huán)境更加惡劣,其后果不僅是使雙極板功能失效,而且還會(huì)造成電池整體“毒化”而癱瘓。一些貴金屬(比如金au、銀ag、鉑pt等)具有同時(shí)導(dǎo)電、耐蝕的復(fù)合性能,但直接使用貴金屬會(huì)帶來材料成本的極大提高。
現(xiàn)有用不銹鋼或鈦板原金屬代替稀缺貴金屬作為雙極板方案,具有低成本的優(yōu)勢(shì),但是因存在著一層鈍化膜,雖然對(duì)提高耐蝕性能起到積極作用,但卻大大增加了雙極板的接觸電阻,以至于電池在運(yùn)行過程中發(fā)熱、功率降低和腐蝕加速。另外,也有通過多弧離子鍍技術(shù)從純鈦靶與石墨靶材中制備出碳鉻納米復(fù)合薄膜沉積在雙極板表面,該方案有一定的成本優(yōu)勢(shì),同時(shí)具備導(dǎo)電和耐蝕性能,但是該雙極板表面碳鉻納米復(fù)合薄膜的電阻仍較大15mω·cm2(0.8mpa壓強(qiáng)),且經(jīng)過連續(xù)模擬耐蝕測(cè)試1000h后電阻較初始電阻成倍增長,導(dǎo)電性隨抗蝕性能下降而增加,造成電池運(yùn)行中發(fā)熱、功率下降。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種成本可控、原材料耗量低的、高質(zhì)量的、易于批量生產(chǎn)的燃料電池雙極板及其表面鈦金薄膜的制備方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出如下技術(shù)方案:一種燃料電池雙極板,包括基體和基體表面的改性薄膜層,所述改性薄膜層覆蓋于基體的兩側(cè)面上,且與基體連接,所述改性薄膜層為鈦金納米復(fù)合薄膜層。
優(yōu)選地,所述基體為金屬薄板。
優(yōu)選地,所述金屬薄板為不銹鋼板或是鈦板。
優(yōu)選地,所述基體的厚度為0.05mm-1.0mm。
優(yōu)選地,所述鈦金納米復(fù)合薄膜層的厚度為0.05μm-5μm。
優(yōu)選地,所述鈦金納米復(fù)合薄膜層是鈦或氮化鈦或金或氮納米晶中的任意兩種或三種組合成的多層薄膜。
優(yōu)選地,所述鈦金納米復(fù)合薄膜層是在鈦納米晶基體上分布氮化鈦和金納米晶的復(fù)合薄膜,所述鈦、氮化鈦和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
優(yōu)選地,所述鈦金納米復(fù)合薄膜層是在氮化鈦納米晶基體上分布金納米晶的復(fù)合薄膜,所述氮化鈦和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
優(yōu)選地,所述鈦金納米復(fù)合薄膜層是在氮化鈦納米晶基體上分布氮和金納米晶的復(fù)合薄膜,所述氮化鈦、氮和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
本發(fā)明還提供了一種制備燃料電池雙極板表面鈦金薄膜的方法,所述方法為采用電弧離子鍍技術(shù)在基體表面沉積鈦金納米復(fù)合薄膜層,包括以下步驟:
s1,將清洗烘干后的基體放于pvd設(shè)備真空爐內(nèi),當(dāng)將真空室真空抽到2×10-2pa時(shí),對(duì)真空室加熱,加熱至150℃時(shí)停止加熱;
s2,當(dāng)真空室抽真空至4×10-3pa時(shí)充入工作氣體,調(diào)整工作氣壓到0.3~0.5pa,并加偏壓啟動(dòng)陰極靶電弧開始轟擊所述基體去除表面鈍化層,轟擊持續(xù)時(shí)間為2~10分鐘;其中,所述工作氣體為惰性氣體,流量為50~500sccm,加偏壓的幅值為-300v~-800v,啟動(dòng)的陰極靶電弧為純鈦靶電弧,弧流為50a~120a;
s3,將偏壓設(shè)定為-50v~-300v,調(diào)整工作氣壓到0.2pa~1.0pa,啟動(dòng)純鈦靶中頻電源并調(diào)整其到設(shè)定功率開始進(jìn)行薄膜沉積過程,沉積時(shí)間為20min-150min;
s4,最后經(jīng)過爐冷卻后、放開真空取出已鍍膜的雙極板。
優(yōu)選地,步驟s1中,對(duì)基體進(jìn)行超聲清洗并烘干處理后,安放于pvd設(shè)備真空爐內(nèi),由真空系統(tǒng)將真空室真空抽到2×10-2pa,此時(shí)打開加熱系統(tǒng)對(duì)真空室加熱,溫度上升至150℃時(shí)停止加熱。
優(yōu)選地,所述s2中,采用離子轟擊的方式轟擊基板去除其表面鈍化層,離子轟擊的離子主要來自于純鈦靶電弧蒸發(fā)的弧光放電離子體以及少量惰性氣體的輝光放電離子體。
優(yōu)選地,所述工作氣體為惰性氣體氬。
優(yōu)選地,所述s3中,在薄膜沉積過程中,對(duì)反應(yīng)氣體流量和純鈦靶、金靶功率匹配進(jìn)行調(diào)整,其中,啟動(dòng)純鈦靶后功率定為5kw~15kw,啟動(dòng)金靶后功率設(shè)定為0.5kw~5kw,薄膜沉積過程中所述純鈦靶一直處于開啟狀態(tài),反應(yīng)氣體的流量根據(jù)鈦靶功率范圍調(diào)整在15~300sccm,且其加至設(shè)定最大值后繼續(xù)保持穩(wěn)定,直至成膜結(jié)束,所述反應(yīng)氣體包括氮?dú)狻?/p>
優(yōu)選地,所述s3中薄膜沉積過程包括:
s31,將偏壓設(shè)定為-50~-150v,啟動(dòng)純鈦靶中頻電源并調(diào)整其到設(shè)定功率5~15kw,開始沉積薄膜底層純鈦層;
s32,將偏壓設(shè)定為-50~-200v,通入相應(yīng)的反應(yīng)氣體開始沉積加氣過膜層,反復(fù)調(diào)整偏壓設(shè)定值,持續(xù)30~60分鐘后反應(yīng)氣體量加至設(shè)定最大值;
s33,啟動(dòng)金靶中頻電源,將其功率設(shè)定為0.5~5kw,此時(shí)鈦靶和金靶同時(shí)濺射基體,持續(xù)5~10分鐘后關(guān)閉鈦靶中頻電源,之后金靶中頻電源繼續(xù)10~25分鐘后,依次關(guān)閉其中頻電源、偏壓、工作氣體。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:通過在雙極板基體表面沉積合成鈦金納米復(fù)合薄膜,增加一層納米量級(jí)厚度的改性薄膜,這樣,由基體起到支撐、隔氣等作用;由表面膜層起到耐蝕、導(dǎo)電和疏水等作用改變金屬雙極板的表面性能,使在模擬燃料電池環(huán)境的耐蝕性在0.6v電壓下提高3個(gè)數(shù)量級(jí),在1.36v下提高2個(gè)數(shù)量級(jí),接觸電阻降低到0.5mω·cm2(0.2mpa壓強(qiáng))以下,在長時(shí)間模擬電池環(huán)境耐蝕測(cè)試后,具備良好的抗蝕性、優(yōu)異的導(dǎo)電性,滿足在可再生燃料電池和質(zhì)子交換膜燃料電池中的長時(shí)運(yùn)行要求。
附圖說明
圖1是本發(fā)明燃料電池雙極板的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明燃料電池雙極板表面鈦金薄膜的制備方法的流程示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例薄膜沉積過程的流程示意圖;
圖4是本發(fā)明雙極板表面接觸電阻的波形示意圖;
圖5、圖6和圖7分別是本發(fā)明模擬電池溶液環(huán)境對(duì)鈦金納米薄膜的開路電位、動(dòng)電位和0.6v恒電位的電化學(xué)測(cè)試波形示意圖。
附圖標(biāo)記:
1、基體,2、鈦金納米復(fù)合薄膜層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。
如圖1所示,本發(fā)明實(shí)施例所揭示的一種燃料電池雙極板,包括基體和基體表面的鈦金納米復(fù)合薄膜層,鈦金納米復(fù)合薄膜層覆蓋于基體的兩側(cè)面上,且與基體連接。
具體地,基體作為雙極板基材,起支撐、隔氣等作用。本實(shí)施例中,基體為金屬薄板,可為但不限于是不銹鋼板或是鈦板,金屬薄板的厚度為0.05mm~1.0mm。
鈦金納米復(fù)合薄膜層位于基體表面,對(duì)基體起到耐腐蝕、導(dǎo)電和疏水等作用。本實(shí)施例中,鈦金納米復(fù)合薄膜層的厚度為0.05μm-5μm,且是鈦或氮化鈦或金或氮納米晶中的任意兩種或三種組合成的多層薄膜。
具體地,如鈦金納米復(fù)合薄膜層是在鈦納米晶基體上分布氮化鈦和金納米晶的復(fù)合薄膜,其中,鈦、氮化鈦和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
作為可替換的實(shí)施方案,鈦金納米復(fù)合薄膜層也可是在氮化鈦納米晶基體上分布金納米晶的復(fù)合薄膜,所述氮化鈦和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
作為可替換的另一實(shí)施方案,鈦金納米復(fù)合薄膜層是在氮化鈦納米晶基體上分布氮和金納米晶的復(fù)合薄膜,所述氮化鈦、氮和金納米晶的晶粒大小均為3nm-100nm。
綜上,通過在雙極板基材上增加一層納米量級(jí)厚度的改性薄膜,改變金屬雙極板的表面性能,使在模擬燃料電池環(huán)境的耐蝕性在0.6v電壓下提高3個(gè)數(shù)量級(jí),在1.36v下提高2個(gè)數(shù)量級(jí),接觸電阻降低到0.5mω·cm2(0.2mpa壓強(qiáng))以下,在長時(shí)間模擬電池環(huán)境耐蝕測(cè)試后具備良好的抗蝕性、優(yōu)異的導(dǎo)電性。
如圖2所示,本發(fā)明實(shí)施例所揭示的一種制備燃料電池雙極板表面鈦金薄膜的方法,該方法采用電弧離子鍍技術(shù)在基體表面沉積鈦金納米復(fù)合薄膜層,具體包括以下步驟:
s1,將清洗烘干后的基體放于pvd設(shè)備真空爐內(nèi),當(dāng)將真空室真空抽到2×10-2pa時(shí),對(duì)真空室加熱,加熱至150℃時(shí)停止加熱。
具體地,將基體超聲清洗、烘干處理后,利用夾具固定好放入pvd設(shè)備真空爐內(nèi),在陰極靶位上安裝圓柱純鈦靶和圓柱純金靶;打開抽空系統(tǒng)對(duì)真空爐進(jìn)行抽真空,當(dāng)抽空系統(tǒng)將真空室壓力抽至2×10-2pa時(shí),打開加熱系統(tǒng)對(duì)真空爐進(jìn)行加熱,將真空室溫度加熱至150℃時(shí)關(guān)閉加熱系統(tǒng)。
s2,當(dāng)真空室抽真空至4×10-3pa時(shí)充入工作氣體,調(diào)整工作氣壓到0.3~0.5pa,并加偏壓啟動(dòng)陰極靶電弧開始轟擊所述基體去除表面鈍化層,轟擊持續(xù)時(shí)間為2~10分鐘;其中,所述工作氣體為惰性氣體,流量為50~500sccm,加偏壓的幅值為-300v~-800v,啟動(dòng)的陰極靶電弧為純鈦靶電弧,弧流為50a~120a。
具體地,當(dāng)真空室真空抽到4×10-3pa時(shí),充入工作氣體,調(diào)整工作氣壓到0.3~0.5pa,打開的脈沖偏壓,啟動(dòng)陰極圓柱靶電弧,開始轟擊基板去除表面鈍化層,,轟擊持續(xù)時(shí)間為2~10分鐘。本實(shí)施例中,采用離子轟擊或?yàn)R射的方式進(jìn)行轟擊基板,離子轟擊的離子主要來自于金屬靶電弧蒸發(fā)的弧光放電等離子體以及少量惰性氣體的輝光放電等離子體。工作氣體為惰性氣體,如氬,氬氣流量為50~500sccm,啟動(dòng)的陰極電弧為純鈦金屬靶電弧,弧流為50a~120a,加偏壓的幅值為-300v~-800v。
s3,將偏壓設(shè)定為-50v~-300v,調(diào)整工作氣壓到0.2pa~1.0pa,啟動(dòng)純鈦靶中頻電源并調(diào)整其到設(shè)定功率開始進(jìn)行薄膜沉積過程,沉積時(shí)間為20min-150min。
具體地,在薄膜沉積過程中,對(duì)反應(yīng)氣體流量和純鈦靶、金靶功率匹配進(jìn)行調(diào)整,其中,啟動(dòng)純鈦靶后功率定為5kw~15kw,啟動(dòng)金靶后功率設(shè)定為0.5kw~5kw,薄膜沉積過程中純鈦靶一直處于開啟狀態(tài),反應(yīng)氣體的流量根據(jù)鈦靶功率范圍調(diào)整在15~300sccm,且其加至設(shè)定最大值后繼續(xù)保持穩(wěn)定,直至成膜結(jié)束。本實(shí)施例中,反應(yīng)氣體包括氮?dú)狻?/p>
其中,如圖3所示,薄膜沉積過程具體包括以下步驟:
s31,將偏壓設(shè)定為-50~-150v,啟動(dòng)純鈦靶中頻電源并調(diào)整其到設(shè)定功率5~15kw,開始沉積薄膜底層純鈦層;
s32,將偏壓設(shè)定為-50~-200v,通入相應(yīng)的反應(yīng)氣體開始沉積加氣過膜層,反復(fù)調(diào)整偏壓設(shè)定值,持續(xù)30~60分鐘反應(yīng)氣體加至設(shè)定最大值;
s33,啟動(dòng)金靶中頻電源,將其功率設(shè)定為0.5~5kw,此時(shí)鈦靶和金靶同時(shí)濺射基體,持續(xù)5~10分鐘后關(guān)閉鈦靶中頻電源,之后金靶中頻電源繼續(xù)10~25分鐘后依次關(guān)閉其中頻電源、偏壓、工作氣體(包括惰性氣體和反應(yīng)氣體)。
s4,最后經(jīng)過爐冷卻后、放開真空取出已鍍膜的雙極板。
具體地,爐內(nèi)冷卻抽空10分鐘,充氣打開爐門取出已鍍膜雙極板。
下面通過兩個(gè)具體實(shí)施例,進(jìn)一步描述本發(fā)明制備燃料電池雙極板表面鈦金薄膜的方法流程。
實(shí)施例1
將不銹鋼雙極板經(jīng)前清洗、烘干處理后,利用夾具固定好放入pvd設(shè)備真空爐內(nèi),在陰極靶位上安裝圓柱純鈦靶和圓柱純金靶;當(dāng)抽空系統(tǒng)將真空是壓力抽至2×10-2pa時(shí),打開加熱系統(tǒng)將真空室溫度加熱至150℃時(shí)關(guān)閉加熱系統(tǒng);當(dāng)抽空至4×10-3pa時(shí),充入氬氣壓力至0.30pa,氬氣流量為50sccm,打開-300×40khz×75%的脈沖偏壓,啟動(dòng)陰極圓柱純鈦靶電弧,弧流為120a,利用靶電弧蒸發(fā)的弧光放電等離子體以及少量惰性氣體的輝光放電等離子體轟擊(濺射)基板去除表面鈍化層,持續(xù)10分鐘后將偏壓降到-100×40khz×75%,關(guān)閉圓柱純鈦靶電弧電源,開啟磁控圓柱鈦靶中頻電源,功率設(shè)定5kw,開始沉積薄膜底層純鈦層;將偏壓降到-50×40khz×50%,通入n2開始沉積加氣過膜層,再將偏壓降到-150×40khz×50%,反復(fù)調(diào)整偏壓設(shè)定值,持續(xù)60分鐘后n2量加至設(shè)定末值,打開金靶中頻電源,功率設(shè)定0.5kw,此時(shí)鈦靶和金靶同時(shí)濺射,穩(wěn)定10分鐘后關(guān)閉鈦靶中頻電源,只開金靶中頻電源繼續(xù)25分鐘后依次中頻電源、偏壓、工作氣體,爐內(nèi)冷卻抽空10分鐘,充氣打開爐門取出已鍍膜雙極板。此時(shí),雙極板表面的鉻碳納米薄膜厚度為1.0um,結(jié)合圖5~圖7所示,表面納米硬度≥15gpa(6mn負(fù)載),震動(dòng)摩擦測(cè)試≥2h,接觸電阻≤0.5mω·cm2(0.2mpa壓強(qiáng))具備優(yōu)異導(dǎo)電性,在模擬電池溶液環(huán)境中,高電位加速腐蝕條件下,測(cè)得的腐蝕電流密度0~0.1μm,表現(xiàn)出良好的耐蝕性。
實(shí)施例2
將不銹鋼雙極板經(jīng)前清洗、烘干處理后,利用夾具固定好放入pvd設(shè)備真空爐內(nèi),在陰極靶位上安裝圓柱純鈦靶和圓柱純金靶;當(dāng)抽空系統(tǒng)將真空是壓力抽至2×10-2pa時(shí),打開加熱系統(tǒng)將真空室溫度加熱至150℃時(shí)關(guān)閉加熱系統(tǒng);當(dāng)抽空至4×10-3pa時(shí),充入氬氣壓力至0.40pa,氬氣流量為300sccm,打開-800×40khz×50%的脈沖偏壓,啟動(dòng)陰極圓柱純鈦弧靶,弧流為50a,利用靶電弧蒸發(fā)的弧光放電等離子體以及少量惰性氣體的輝光放電等離子體轟擊(濺射)基板去除表面鈍化層,持續(xù)2分鐘后將偏壓降到-150×40khz×75%,關(guān)閉柱弧靶電源開啟磁控圓柱鈦靶中頻電源,功率設(shè)定13kw,開始沉積薄膜底層純鈦層;將偏壓降到-100×40khz×50%通入n2開始沉積加氣過膜層,再將偏壓降到-200×40khz×50%,反復(fù)調(diào)整偏壓設(shè)定值,持續(xù)30分鐘后n2量加至設(shè)定末值,打開金靶中頻電源,功率設(shè)定5.0kw,此時(shí)鈦靶和金靶同時(shí)濺射,穩(wěn)定10分鐘后關(guān)閉鈦靶中頻電源,只開金靶中頻電源繼續(xù)成膜25分鐘后依次中頻電源、偏壓、工作氣體,爐內(nèi)冷卻抽空10分鐘,充氣打開爐門取出已鍍膜雙極板。此時(shí)雙極板表面的鈦金納米薄膜厚度為1.0um,結(jié)合圖5~圖7所示,表面納米硬度≥15gpa(6mn負(fù)載),震動(dòng)摩擦測(cè)試≥2h,接觸電阻≤0.5mω·cm2(0.2mpa壓強(qiáng))具備優(yōu)異導(dǎo)電性,在模擬電池溶液環(huán)境中,高電位加速腐蝕條件下,測(cè)得的腐蝕電流密度0~0.1μm,表現(xiàn)出良好的耐蝕性。
實(shí)施例3
將不銹鋼雙極板經(jīng)前清洗、烘干處理后,利用夾具固定好放入pvd設(shè)備真空爐內(nèi),在陰極靶位上安裝圓柱純鈦靶和圓柱純金靶;當(dāng)抽空系統(tǒng)將真空是壓力抽至2×10-2pa時(shí),打開加熱系統(tǒng)將真空室溫度加熱至150℃時(shí)關(guān)閉加熱系統(tǒng);當(dāng)抽空至4×10-3pa時(shí),充入氬氣壓力至0.50pa,氬氣流量為500sccm,打開-500×40khz×75%的脈沖偏壓,啟動(dòng)陰極圓柱純鈦靶電弧,弧流為80a,利用靶電弧蒸發(fā)的弧光放電等離子體以及少量惰性氣體的輝光放電等離子體轟擊(濺射)基板去除表面鈍化層,持續(xù)5分鐘后將偏壓降到-50×40khz×75%,關(guān)閉圓柱純鈦靶電弧電源,開啟磁控圓柱鈦靶中頻電源,功率設(shè)定15kw,開始沉積薄膜底層純鈦層;將偏壓保持為-100×40khz×50%,通入n2開始沉積加氣過膜層,再將偏壓加到-200×40khz×50%,反復(fù)調(diào)整偏壓設(shè)定值,持續(xù)40分鐘后n2量加至設(shè)定末值,打開金靶中頻電源,功率設(shè)定2.5kw,此時(shí)鈦靶和金靶同時(shí)濺射,穩(wěn)定8分鐘后關(guān)閉鈦靶中頻電源,只開金靶中頻電源繼續(xù)15分鐘后依次關(guān)閉中頻電源、偏壓、工作氣體,爐內(nèi)冷卻抽空10分鐘,充氣打開爐門取出已鍍膜雙極板。此時(shí),雙極板表面的鈦金納米薄膜厚度為1.0um,結(jié)合圖5~圖7所示,表面納米硬度≥15gpa(6mn負(fù)載),震動(dòng)摩擦測(cè)試≥2h,接觸電阻≤0.5mω·cm2(0.2mpa壓強(qiáng))具備優(yōu)異導(dǎo)電性,在模擬電池溶液環(huán)境中,高電位加速腐蝕條件下,測(cè)得的腐蝕電流密度0~0.1μm,表現(xiàn)出良好的耐蝕性。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上,然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾,因此,本發(fā)明保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容,而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾,并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求所涵蓋。