技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法，該柵電極制作方法包括以下步驟：S1，提供一基板，該基板包括柵電極區(qū)域和非柵電極區(qū)域；S2，在基板上形成柵電極層，該柵電極層包括對(duì)應(yīng)柵電極區(qū)域的導(dǎo)電部分和對(duì)應(yīng)非柵電極區(qū)域的透明部分。本發(fā)明提供的柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法的技術(shù)方案，可以消除段差，從而在對(duì)非晶硅層進(jìn)行ELA工藝時(shí)，可以避免因段差對(duì)多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

技術(shù)研發(fā)人員：張斌;劉建宏;詹裕程;孫雪菲;周婷婷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.26
技術(shù)公布日：2017.09.15