本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法。

背景技術：

低溫多晶硅技術(lowtemperaturepoly-silicon，簡稱ltps)以其超薄、超輕、低能耗等優(yōu)勢，在目前市場上成為了中小尺寸顯示行業(yè)的主流。

圖1為現(xiàn)有的ltps技術中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，請參閱圖1，陣列基板包括基板1、設置在該基板1上的柵電極層2，設置在該柵電極層2上的柵絕緣層3和設置在該柵絕緣層3上的有源層4(多晶硅層)。其中，上述柵電極層2用作底柵電極，在實際應用中存在以下問題：由于在柵電極層2中柵電極所在區(qū)域與其他區(qū)域的交界存在段差(圖1中的a位置)，該段差在后續(xù)的對非晶硅層進行ela(excimerlaserannealing，準分子激光退火)工藝中，會導致多晶硅的結(jié)晶性能變差，從而影響結(jié)晶效果。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法，其可以消除段差，從而在對非晶硅層進行ela工藝時，可以避免因段差對多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種柵電極制作方法，其包括以下步驟：

s1，提供一基板，所述基板包括柵電極區(qū)域和非柵電極區(qū)域；

s2，在所述基板上形成柵電極層，所述柵電極層包括對應所述柵電極區(qū)域的導電部分和對應所述非柵電極區(qū)域的透明部分，所述導電部分的厚度與所述透明部分的厚度一致。

優(yōu)選的，所述步驟s2進一步包括：

s21，在所述基板上形成能夠?qū)щ姡冶谎趸纬赏该餮趸锏奶囟ń饘俨牧蠈樱?/p>

s22，在所述特定金屬材料層上形成圖形掩膜層，所述圖形掩膜層覆蓋對應所述柵電極區(qū)域的所述特定金屬材料層；

s23，對對應所述非柵電極區(qū)域的所述特定金屬材料層進行氧化處理，以使對應所述非柵電極區(qū)域的所述特定金屬材料層形成透明氧化物層。

優(yōu)選的，所述特定金屬材料層為鉭金屬層，所述透明氧化物層為透明鉭氧化物層。

優(yōu)選的，所述透明鉭氧化物層包括三氧化二鉭或者五氧化二鉭。

優(yōu)選的，所述步驟s22進一步包括以下步驟：

s221，在整個所述特定金屬材料層上形成掩膜層；

s222，對所述掩膜層進行光刻工藝，以對所述掩膜層圖形化，形成所述圖形掩膜層。

作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板制作方法，其包括以下步驟：

s100，采用本發(fā)明提供的上述柵電極制作方法在基板上形成柵電極層。

優(yōu)選的，在所述步驟s100之后，還包括以下步驟：

s200，在所述柵電極層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層。

優(yōu)選的，所述步驟s200進一步包括以下步驟：

s201，在所述柵電極層上一步形成柵絕緣層和非晶硅層，所述非晶硅層形成在所述柵絕緣層上；

s202，對所述非晶硅層進行準分子激光退火工藝，以使所述非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，所述多晶硅層用作所述有源層?/p>

優(yōu)選的，所述步驟s200進一步包括以下步驟：

s201，在所述柵電極層上形成柵絕緣層；

s202，在所述柵絕緣層上形成非晶硅層；

s203，對所述非晶硅層進行準分子激光退火工藝，以使所述非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，所述多晶硅層用作所述有源層?/p>

作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種柵電極，其包括設置在基板上的柵電極層，所述基板包括柵電極區(qū)域和非柵電極區(qū)域；

所述柵電極層包括對應所述柵電極區(qū)域的導電部分和對應所述非柵電極區(qū)域的透明部分，所述導電部分的厚度與所述透明部分的厚度一致。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法的技術方案中，柵電極層包括對應柵電極區(qū)域的導電部分和對應非柵電極區(qū)域的透明部分，且導電部分的厚度與透明部分的厚度一致，該透明部分消除了非柵電極區(qū)與柵電極區(qū)域中的導電部分的交界存在的段差，從而在對非晶硅層進行ela工藝時，可以避免因段差對多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的ltps技術中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明提供的柵電極制作方法的流程框圖；

圖3為采用本發(fā)明提供的柵電極制作方法獲得的柵電極的結(jié)構(gòu)圖；

圖4a為本發(fā)明提供的柵電極制作方法的第一個過程圖；

圖4b為本發(fā)明提供的柵電極制作方法的第二個過程圖；

圖4c為本發(fā)明提供的柵電極制作方法的第三個過程圖；

圖4d為本發(fā)明提供的柵電極制作方法的第四個過程圖；

圖5為采用本發(fā)明提供的陣列基板制作方法獲得的陣列基板的結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法進行詳細描述。

請一并參閱圖2和圖3，本發(fā)明提供的柵電極制作方法，其包括以下步驟：

s1，提供一基板5，該基板5包括柵電極區(qū)域b和非柵電極區(qū)域c；

s2，在基板5上形成柵電極層6，該柵電極層6包括對應柵電極區(qū)域b的導電部分61和對應非柵電極區(qū)域c的透明部分62，導電部分61的厚度與透明部分62的厚度一致。該透明部分消除了非柵電極區(qū)c與柵電極區(qū)域b中的導電部分61的交界存在的段差，從而在對非晶硅層進行ela工藝時，可以避免因段差對多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

下面對本發(fā)明提供的柵電極制作方法的具體實施方式進行詳細描述。具體地，上述步驟s2進一步包括：

s21，在基板1上形成能夠?qū)щ?，且被氧化形成透明氧化物的特定金屬材料?，如圖4a所示。

s22，在特定金屬材料層7上形成圖形掩膜層81，該圖形掩膜層81覆蓋對應柵電極區(qū)域b的特定金屬材料層7，如圖4c所示。

形成該圖形掩膜層81的具體方式可以為：步驟s22進一步包括以下步驟：

s221，在整個特定金屬材料層7上形成掩膜層8，如圖4b所示；

s222，對該掩膜層8進行光刻工藝，以對掩膜層8圖形化，形成上述圖形掩膜層81。

s23，對對應非柵電極區(qū)域c的特定金屬材料層7進行氧化處理，以使對應非柵電極區(qū)域c的特定金屬材料層7形成透明氧化物層，該透明氧化物層用作上述透明部分62，如圖4d所示。

另外，在上述掩膜層8對對應柵電極區(qū)域b的特定金屬材料層7的遮蓋作用下，對應柵電極區(qū)域b的特定金屬材料層7未被氧化，從而形成上述導電部分61。

上述氧化處理可以采用雙氧水氧化對應非柵電極區(qū)域c的特定金屬材料層7。

優(yōu)選的，上述特定金屬材料層7為鉭金屬層，該鉭金屬層可以被氧化形成透明鉭氧化物層。該透明鉭氧化物層包括三氧化二鉭或者五氧化二鉭等等。

當然，在實際應用中，也可以采用其他任意方式在柵電極區(qū)域b制作鉭金屬層，而在非柵電極區(qū)域c制作透明鉭氧化物層。或者，還可以在柵電極區(qū)域b制作其他能夠?qū)щ娔樱诜菛烹姌O區(qū)域c制作其他透明膜層。

作為另一個技術方案，請參閱圖5，本發(fā)明還提供一種陣列基板制作方法，其包括以下步驟：

s100，采用本發(fā)明提供的上述柵電極制作方法在基板5上形成柵電極層6。

上述柵電極層6包括對應柵電極區(qū)域b的導電部分61和對應非柵電極區(qū)域c的透明部分62，導電部分61的厚度與透明部分62的厚度一致。該透明部分62消除了非柵電極區(qū)c與柵電極區(qū)域b中的導電部分61的交界存在的段差，從而在對非晶硅層進行ela工藝時，可以避免因段差對多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

在上述步驟s100之后，還包括以下步驟：

s200，在柵電極層6上形成柵絕緣層7；在該柵絕緣層7上形成有源層8。

優(yōu)選的，上述步驟s200進一步包括以下步驟：

s201，在柵電極層6上一步形成柵絕緣層7和非晶硅層(a-si)，該非晶硅層形成在柵絕緣層6上。

s202，對上述非晶硅層進行準分子激光退火工藝(ela)，以使非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?p-si)，該多晶硅層用作上述有源層8。

通過在柵電極層6上一步形成柵絕緣層7和非晶硅層，在完成上述非晶硅層進行準分子激光退火工藝之后，可以減少多晶硅層與柵絕緣層7之間的缺陷態(tài)，從而可以提高產(chǎn)品質(zhì)量。在實際應用中，可以使用沉積腔室，并通過設定指定的工藝參數(shù)，來一步形成柵絕緣層7和非晶硅層。該沉積腔室例如可以為pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等離子體增強化學氣相沉積)腔室。

當然，在實際應用中，也可以分兩步形成柵絕緣層7和非晶硅層。具體地，步驟s200進一步包括以下步驟：

s201，在柵電極層6上形成柵絕緣層7；

s202，在柵絕緣層7上形成非晶硅層；

s203，對非晶硅層進行準分子激光退火工藝，以使非晶硅層轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч鑼?，多晶硅層用作有源?。

另外，在實際應用中，上述陣列基板制作方法還可以在有源層8上依次制作層間介電層、源漏電極、絕緣層、公共電極、保護層和像素電極等等。

作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種柵電極，請參閱圖3，該柵電極包括設置在基板5上的柵電極層6?；?包括柵電極區(qū)域b和非柵電極區(qū)域c。柵電極層6包括對應柵電極區(qū)域b的導電部分961和對應非柵電極區(qū)域c的透明部分62，導電部分61的厚度與透明部分62的厚度一致。

本發(fā)明提供的柵電極，其通過使柵電極層6包括對應柵電極區(qū)域b的導電部分961和對應非柵電極區(qū)域c的透明部分62，該透明部分62消除了非柵電極區(qū)與柵電極區(qū)域中的導電部分的交界存在的段差，從而在對非晶硅層進行ela工藝時，可以避免因段差對多晶硅的結(jié)晶性能產(chǎn)生的影響，從而可以獲得良好的結(jié)晶效果。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。