技術編號：11252724
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體地，涉及一種柵電極及其制作方法、陣列基板制作方法。背景技術低溫多晶硅技術(LowTemperaturePoly-silicon，簡稱LTPS)以其超薄、超輕、低能耗等優(yōu)勢，在目前市場上成為了中小尺寸顯示行業(yè)的主流。圖1為現有的LTPS技術中陣列基板的結構示意圖，請參閱圖1，陣列基板包括基板1、設置在該基板1上的柵電極層2，設置在該柵電極層2上的柵絕緣層3和設置在該柵絕緣層3上的有源層4(多晶硅層)。其中，上述柵電極層2用作底柵電極，在實際應用中存在以下問題：由于在柵電...
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