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薄膜晶體管及制造方法與應(yīng)用方法與流程

文檔序號:12036470閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及制造方法與應(yīng)用方法,其中薄膜晶體管包括帶懸空絕緣材料薄膜的基底、導(dǎo)電材料源區(qū)、導(dǎo)電材料漏區(qū)以及半導(dǎo)體材料溝道。本發(fā)明通過利用導(dǎo)電材料作為源區(qū)和漏區(qū)材料,省去了對源區(qū)和漏區(qū)的高精度摻雜。將薄膜晶體管放入生物分子、離子或納米顆粒的離子溶液中時,可實(shí)現(xiàn)對待檢測物質(zhì)的電學(xué)特性檢測。本發(fā)明的薄膜晶體管的穩(wěn)定性好、檢測精準(zhǔn)度高,制造工藝較為簡單。

技術(shù)研發(fā)人員:劉旸;葉志;曹臻
受保護(hù)的技術(shù)使用者:浙江大學(xué);杭州雷賽微科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.22
技術(shù)公布日:2017.10.24
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