技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種具有低功耗并能以高速操作的半導(dǎo)體器件。該半導(dǎo)體器件包括：存儲元件，包括在溝道形成區(qū)中具有結(jié)晶硅的第一晶體管；用于儲存所述存儲元件的數(shù)據(jù)的電容器；以及是用于控制所述電容器中的電荷的供給、儲存和釋放的開關(guān)元件的第二晶體管。所述第二晶體管設(shè)置在覆蓋所述第一晶體管的絕緣膜上。所述第一和第二晶體管具有公共的源電極或漏電極。

技術(shù)研發(fā)人員：家田義紀(jì);磯部敦生;鹽野入豐;熱海知昭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社半導(dǎo)體能源研究所
技術(shù)研發(fā)日：2012.04.28
技術(shù)公布日：2017.07.25