本發(fā)明涉及oled微型顯示器制造領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種oled微型顯示器的陽極鍵合方法，以及使用這種方法的oled微型顯示器。

背景技術(shù)：

oled微型顯示器屬于一種硅基顯示器。由于硅基器件優(yōu)良的電學(xué)特性和極細(xì)微的器件尺寸，可以實(shí)現(xiàn)顯示芯片的高度集成化。一般的oled微型顯示器直接在ic片上制備像素結(jié)構(gòu)和oled單元，再經(jīng)過薄膜封裝、蓋片封裝等形式制備成微型顯示器。其中ic片價(jià)格高昂，而像素和oled單元在制備過程中形成的缺陷會(huì)導(dǎo)致昂貴的ic片報(bào)廢。為避免此類問題，需要設(shè)計(jì)一種改進(jìn)的方法，以提高ic片的利用率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，提供一種可以提高ic片的利用率、降低生產(chǎn)成本的oled微型顯示器的陽極鍵合方法，同時(shí)還提供了一種使用這種方法的oled微型顯示器。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：構(gòu)造一種oled微型顯示器的陽極鍵合方法，包括以下步驟：

s1、在絕緣基板上制備凹槽；

s2、以銅填埋所述凹槽后，制備銅連接柱；

s3、在所述絕緣基板上制備oled器件，得到預(yù)制oled發(fā)光單元；

s4、將所述預(yù)制oled發(fā)光單元上的銅連接柱與ic片的正面鍵合，完成oled微型顯示器的陽極鍵合。

優(yōu)選地，所述步驟s1包括：

s11、在所述絕緣基板上制備與所述凹槽對(duì)應(yīng)的圖形；

s12、在所述絕緣基板上根據(jù)所述圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在所述步驟s12中，采用tsv工藝在所述絕緣基板上根據(jù)所述圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在所述步驟s11中，采用光刻法在所述絕緣基板上制備與所述凹槽對(duì)應(yīng)的光膠圖形；

在所述步驟s12中，采用tsv工藝在所述絕緣基板上根據(jù)所述光膠圖形刻蝕出所述凹槽。

優(yōu)選地，在執(zhí)行所述步驟s2前，還包括以下步驟：將所述絕緣基板上的所述圖形除去。

優(yōu)選地，所述步驟s2包括：

s21、采用電鍍法對(duì)所述凹槽進(jìn)行銅填埋；

s22、對(duì)所述絕緣基板的正面和背面分別進(jìn)行cmp工藝，直至所述絕緣基板的正面和背面露出所述銅連接柱。

優(yōu)選地，所述步驟s3包括：

s31、在所述絕緣基板的正面對(duì)應(yīng)所述銅連接柱制備陽極電極層；

s32、在所述絕緣基板的正面依次制備oled層、陰極電極層和密封層，得到所述預(yù)制oled發(fā)光單元。

優(yōu)選地，所述步驟s4包括：

將所述絕緣基板背面的銅連接柱與所述ic片的正面鍵合，完成oled微型顯示器的陽極鍵合。

優(yōu)選地，在所述步驟s3之后，所述步驟s4之前，還包括：

對(duì)所述預(yù)制oled發(fā)光單元進(jìn)行老化測(cè)試、光學(xué)測(cè)試和電學(xué)測(cè)試后，挑選合格品進(jìn)入所述步驟s4。

本發(fā)明還構(gòu)造了一種oled微型顯示器，包括ic片和預(yù)制oled發(fā)光單元，所述預(yù)制oled發(fā)光單元包括絕緣基板，所述絕緣基板上設(shè)有多個(gè)貫穿所述絕緣基板的銅連接柱；所述絕緣基板的正面依次設(shè)有陽極電極層、oled層、陰極電極層和密封層，所述陽極電極層與所述銅連接柱相對(duì)應(yīng)，所述絕緣基板背面的銅連接柱與所述ic片的正面鍵合。

實(shí)施本發(fā)明，具有以下有益效果：通過預(yù)制oled發(fā)光單元，再將預(yù)制的oled發(fā)光單元與ic片鍵合，從而避免出現(xiàn)因陽極像素和oled單元在制備過程中形成的缺陷導(dǎo)致昂貴的ic片報(bào)廢的問題，提高了ic片的利用率，降低了生產(chǎn)成本。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是本發(fā)明oled微型顯示器的陽極鍵合方法的流程圖；

圖2-圖8是本發(fā)明oled微型顯示器的陽極鍵合方法的各步驟中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了對(duì)本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對(duì)照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

本發(fā)明公開了一種oled微型顯示器的陽極鍵合方法，該方法通過預(yù)制oled發(fā)光單元，再將預(yù)制的oled發(fā)光單元與ic片鍵合，從而避免出現(xiàn)因陽極像素和oled單元在制備過程中形成的缺陷導(dǎo)致昂貴的ic片報(bào)廢的問題，提高了ic片的利用率，降低了生產(chǎn)成本。

參閱圖1-圖8，本發(fā)明的一種oled微型顯示器的陽極鍵合方法包括以下步驟：

s1、在絕緣基板1上制備凹槽3。該步驟s1包括以下步驟：

s11、在絕緣基板1上制備與凹槽3對(duì)應(yīng)的圖形2(如圖2所示)；

s12、在絕緣基板1上根據(jù)圖形2刻蝕出凹槽3(如圖3所示)。優(yōu)選地，在步驟s12中，采用tsv工藝在絕緣基板1上根據(jù)圖形2刻蝕出凹槽3。進(jìn)一步優(yōu)選地，在步驟s11中，可以采用光刻法在絕緣基板1上制備與凹槽3對(duì)應(yīng)的光膠圖形，該光膠圖形由光刻膠形成；在步驟s12中，可以采用tsv工藝在絕緣基板1上根據(jù)光膠圖形刻蝕出凹槽3。本實(shí)施例中，這里所說的步驟s11-s12是指：先采用光刻法使光刻膠在絕緣基板1上形成一定的光膠圖形，然后在絕緣基板1上沒有光刻膠的地方刻蝕出凹槽3(如圖2-圖3)。本發(fā)明中提到的tsv即throughsiliconvia(穿透硅通孔技術(shù))，其具體操作為：使用光刻及等離子刻蝕法在絕緣基板需要開孔的位置刻蝕出凹槽。優(yōu)選地，該凹槽為深寬比大于10：1的凹槽。

具體地，采用光刻法在絕緣基板1上制備與凹槽3對(duì)應(yīng)的光膠圖形包括以下步驟(步驟a-步驟d)：a、在黃光條件下，在絕緣基板1上覆上光刻膠?？梢岳斫獾?，光刻膠對(duì)大部分可見光敏感，對(duì)黃光不敏感，在黃光室進(jìn)行覆光刻膠的操作，可以避免其他可見光照射到光刻膠而發(fā)生曝光反應(yīng)。光刻膠可以是固態(tài)光刻膠或者液態(tài)光膠，若是固態(tài)光刻膠，則可以采用覆膜方式將光刻膠覆到絕緣基板1上，若是膠狀光刻膠，則可以用涂覆的方式將光刻膠涂覆到絕緣基板1上；

b、將覆上光刻膠的絕緣基板1放置在掩膜版上，曝光光刻膠。在覆光刻膠時(shí)，應(yīng)注意使光刻膠厚度均勻，若光刻膠的厚度不均勻，容易致使在曝光過程中，入射光與反射光之間相互干涉，而導(dǎo)致顯影后，在側(cè)壁上產(chǎn)生波浪狀的不平整的現(xiàn)象；

c、使用顯影液將光刻膠上的圖案顯影，去除光刻膠中沒有發(fā)生曝光反應(yīng)的區(qū)域?？梢岳斫獾兀饪棠z在顯影液中溶解，而已發(fā)生曝光反應(yīng)的光刻膠在顯影液中沒有溶解，故可去除沒有發(fā)生曝光反應(yīng)的區(qū)域；

d、采用蝕刻液對(duì)絕緣基板1進(jìn)行蝕刻，去除絕緣基板1中沒有覆蓋有已曝光的光刻膠的區(qū)域，得到凹槽3對(duì)應(yīng)的光膠圖形?？梢岳斫獾?，蝕刻液為可與絕緣基板1反應(yīng)而不與曝光后的光刻膠反應(yīng)的溶液。在蝕刻過程中，蝕刻時(shí)間的控制至關(guān)重要；若蝕刻時(shí)間過短，容易導(dǎo)致需要蝕刻部分未完全蝕刻掉；若蝕刻時(shí)間過長(zhǎng)，容易出現(xiàn)鉆蝕現(xiàn)象。

優(yōu)選地，在步驟s1之后，執(zhí)行步驟s2前，還包括以下步驟：將絕緣基板1上的圖形2除去(如圖4所示)。具體地，當(dāng)圖形2為光膠圖形時(shí)，可以采用去墨液將光膠圖形去除。

s2、以銅4填埋凹槽3后，制備銅連接柱5(如圖5所示)。優(yōu)選地，該步驟s2包括：

s21、采用電鍍法對(duì)凹槽3進(jìn)行銅填埋；

s22、對(duì)絕緣基板1的正面和背面分別進(jìn)行cmp工藝，直至絕緣基板1的正面和背面露出銅連接柱5(如圖6所示)。即：對(duì)絕緣基板1的正面進(jìn)行cmp工藝，直至絕緣基板1的正面露出銅連接柱5端面；對(duì)絕緣基板1的背面進(jìn)行cmp工藝，直至絕緣基板1的背面露出銅連接柱5端面。

本發(fā)明中提到的cmp是指化學(xué)機(jī)械拋光。其中，對(duì)絕緣基板1背面進(jìn)行cmp工藝的操作步驟如下：

(1)、將絕緣基板1的正面貼在拋光機(jī)機(jī)臺(tái)上；

(2)、加入拋光液；

(3)、利用拋光液的化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨作用將絕緣基板1的背面厚度減薄，直至絕緣基板1背面露出銅連接柱端面；

(4)、取下絕緣基板1，清洗絕緣基板1。

對(duì)絕緣基板1的正面進(jìn)行cmp工藝的操作步驟如下：

(1)、將絕緣基板1的背面貼在拋光機(jī)機(jī)臺(tái)上；

(2)、加入拋光液；

(3)、利用拋光液的化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨作用將絕緣基板1的正面厚度減薄，直至其表面的銅層全部磨掉，至剛好到達(dá)銅連接柱5上端面的位置；

(4)、取下絕緣基板1，清洗絕緣基板1。

s3、在絕緣基板1上制備oled器件，得到預(yù)制oled發(fā)光單元(如圖7所示)。優(yōu)選地，步驟s3包括：

s31、在絕緣基板1的正面對(duì)應(yīng)銅連接柱5制備陽極電極層6；

s32、在絕緣基板1的正面依次制備oled層7、陰極電極和密封層8，得到預(yù)制oled發(fā)光單元。

s4、將預(yù)制oled發(fā)光單元上的銅連接柱5與ic片9的正面鍵合，完成oled微型顯示器的陽極鍵合(如圖8所示)。優(yōu)選地，該步驟s4包括：

將絕緣基板1背面的銅連接柱5與ic片9的正面鍵合，完成oled微型顯示器的陽極鍵合。

可以理解的，為了保證產(chǎn)品質(zhì)量，在步驟s3之后，步驟s4之前，還可以包括以下步驟：對(duì)預(yù)制oled發(fā)光單元進(jìn)行老化測(cè)試、光學(xué)測(cè)試和電學(xué)測(cè)試后，挑選合格品進(jìn)入步驟s4。

結(jié)合圖2-圖8，本發(fā)明的一實(shí)施例的具體實(shí)施過程如下：

(1)請(qǐng)參閱圖2，用光刻法在絕緣基板1上制備與凹槽3相應(yīng)的光膠圖形；

(2)請(qǐng)參閱圖3，在絕緣基板1上，用tsv工藝根據(jù)光膠圖形在對(duì)應(yīng)像素電極的位置刻蝕出凹槽3；

(3)請(qǐng)參閱圖4，去除光膠圖形；

(4)請(qǐng)參閱圖5，采用電鍍法，以銅4對(duì)凹槽3進(jìn)行銅填埋；

(5)請(qǐng)參閱圖6，對(duì)絕緣基板1的正面進(jìn)行cmp工藝，并對(duì)絕緣基板1的背面進(jìn)行cmp工藝，直至絕緣基板1的正面和背面露出銅連接柱5；

(6)請(qǐng)參閱圖7，在絕緣基板1的正面對(duì)應(yīng)銅連接柱5的位置制備陽極電極層6，并順次制備oled層7、陰極電極層和密封層8，得到預(yù)制oled發(fā)光單元；

(7)請(qǐng)參閱圖8，將合格的預(yù)制oled發(fā)光單元的背面與ic片9的正面鍵合，即：將絕緣基板1背面的銅連接柱5與ic片9的正面鍵合，從而完成oled微型顯示器的陽極鍵合。

本發(fā)明還公開了一種oled微型顯示器，該oled微型顯示器使用上述的陽極鍵合方法。參閱圖8，本發(fā)明的oled微型顯示器包括ic片9和預(yù)制oled發(fā)光單元。其中，預(yù)制oled發(fā)光單元包括絕緣基板1，絕緣基板1上設(shè)有多個(gè)貫穿絕緣基板1的銅連接柱5；絕緣基板1的正面依次設(shè)有陽極電極層6、、陰極電極層oled層7和密封層8，陽極電極層6與銅連接柱5相對(duì)應(yīng)，絕緣基板1背面的銅連接柱5與ic片9的正面鍵合。

可以理解的，以上實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制；應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，可以對(duì)上述技術(shù)特點(diǎn)進(jìn)行自由組合，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍；因此，凡跟本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的等同變換與修飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。