技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于S含量梯度變化的類硫硒化鎘納米帶的波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器及其構(gòu)建方法，屬于低維半導(dǎo)體材料光電應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所設(shè)計(jì)的選擇性光探測(cè)器由n個(gè)電極和類硫硒化鎘納米帶構(gòu)成；所述n大于等于3；所述類硫硒化鎘納米帶的化學(xué)式為CdSxSe1?x；所述類硫硒化鎘納米帶上，S的含量呈梯度變化；所述x小于1。波長(zhǎng)選擇性光探測(cè)器構(gòu)建方法為將梯度納米帶分散到SiO2基底上,經(jīng)過光刻，熱蒸發(fā)60/20nm?Cr/Au,去膠后得到納米帶器件。本發(fā)明通過選擇單根納米帶不同位置的電極可以得到對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)范圍的光探測(cè)。該探測(cè)器可以應(yīng)用于納米級(jí)光電集成電路。

技術(shù)研發(fā)人員：王笑;朱小莉;藍(lán)文安;潘安練;劉建哲;徐良
受保護(hù)的技術(shù)使用者：黃山博藍(lán)特光電技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.11
技術(shù)公布日：2017.11.03