技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開(kāi)了一種微等離子體刻蝕加工裝置，所述微等離子體刻蝕加工裝置包括第一運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)、第二運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)及電噴印噴頭，所述電噴印噴頭連接于所述第一運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)；所述微等離子體刻蝕加工裝置還包括單針式等離子體噴頭及掃描式等離子體噴頭；所述單針式等離子體噴頭及所述掃描式等離子體噴頭之一可拆卸地連接于所述第二運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，所述第二運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)所述單針式等離子體噴頭或者所述掃描式等離子體噴頭進(jìn)行移動(dòng)，進(jìn)而采用直寫(xiě)式或者掩膜式對(duì)石墨烯薄膜進(jìn)行圖形化加工。本發(fā)明還涉及微等離子刻蝕加工方法。上述的微等離子體刻蝕加工裝置可同時(shí)實(shí)現(xiàn)直寫(xiě)式及掩膜式，依工況選擇直寫(xiě)式或者掩膜式，提高了效率及精度。

技術(shù)研發(fā)人員：黃永安;董必?fù)P;葉冬;吳昊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華中科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.10
技術(shù)公布日：2017.09.22