本發(fā)明屬于光伏技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種實現(xiàn)熱氧化鈍化層電池片制作的方法。
背景技術(shù)：
晶體硅太陽電池的高效轉(zhuǎn)換效率是在高質(zhì)量的襯底硅材料基礎(chǔ)上得到的是晶體太陽能電池成的主要原因。為減低成本，降低電池片厚度成為體硅太陽電池發(fā)展的一個重要趨勢。隨著這一趨勢產(chǎn)生的問題就是電池表面復(fù)合嚴(yán)重化。這就為晶體硅表面鈍化技術(shù)提高挑戰(zhàn)。為了保證晶體硅太陽能表面鈍化技術(shù)的研究是必不可少的，今后晶體硅太陽能表面鈍化技術(shù)仍將是國內(nèi)和國際研究的熱門問題之一。
可以說，當(dāng)今高效晶體硅太陽電池都是利用良好的表面鈍化技術(shù)來降低半導(dǎo)體的表面活性，使表面的復(fù)合速率降低。其主要方式就是飽和半導(dǎo)體表面處的懸掛鍵。降低表面活性，增加表面的清潔程序，避免由于表面層引入雜質(zhì)而形成復(fù)合中心，以此來降低少數(shù)載流子的表面復(fù)合速度。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是針對背景技術(shù)中存在的問題，提出一種實現(xiàn)熱氧化鈍化層電池片制作的方法。技術(shù)方案是將已經(jīng)形成p-n結(jié)的硅片放入高溫爐中，硅片表面在高溫下與氧化劑進(jìn)行氧化反應(yīng)生成一層sio2膜。
優(yōu)選的，所述氧化反應(yīng)是采用閉管熱氧化方法。
具體的，電池片制作的完整流程為：
s1：選取p型晶體硅片，將晶體硅片經(jīng)過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將p型晶體硅片放入氧化爐管中，采用閉管熱氧化方式，實現(xiàn)晶體硅片的正面氧化；
s3：再經(jīng)過常規(guī)絲網(wǎng)印刷和快速燒結(jié)工序，制備獲得太陽能電池片。
優(yōu)選的，步驟s2中：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內(nèi)，反應(yīng)條件：o2：7-8l/m，h2：10-12l/m，時間t：2-5min，溫度t：700-780℃，本實施例生成的氧化層厚度：25-35nm。
優(yōu)選的，步驟s2中：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內(nèi)，反應(yīng)條件：o2：9-10l/m，h2：12-14l/m，時間t：5-10min，溫度t：600-750℃，本實施例生成的氧化層厚度：30-40nm。
本發(fā)明的有益效果：
本發(fā)明在傳統(tǒng)電池工藝增加一道氧化工序，以形成一層致密性較好sio2氧化層，能夠起到一定鈍化的效果，降低表面活性，增加表面的清潔程序，避免由于表面層引入雜質(zhì)而形成復(fù)合中心，以此來降低少數(shù)載流子的表面復(fù)合速度。進(jìn)而提高電池片開壓，提高電池片效率。
本方案中，采用氫氣作為氧化物，氫氧合成生成水汽氧化，氧化速率較快大幅度降低工藝時間，提升產(chǎn)能。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明的保護范圍不限于此：
實施例1：
s1：選取p型晶體硅片(規(guī)格為156.75)，將晶體硅片經(jīng)過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內(nèi)，反應(yīng)條件：o2：7-8l/m，h2：10-12l/m，時間t：2-5min，溫度t：700-780℃；
s3：再經(jīng)過常規(guī)絲網(wǎng)印刷和快速燒結(jié)工序，制備獲得太陽能電池片。
實施例1所制備的太陽能高效電池，其氧化層(sio2膜)厚度為25-35nm。
實施例2：
s1：選取p型晶體硅片(規(guī)格為156.75)，將晶體硅片經(jīng)過常規(guī)制絨、擴散、刻蝕工序；
s2：將刻蝕后的p型晶體硅片放入氧化工序的石英管內(nèi)，反應(yīng)條件：o2：9-10l/m，h2：12-14l/m，時間t：5-10min，溫度t：600-750℃；
s3：再經(jīng)過常規(guī)絲網(wǎng)印刷和快速燒結(jié)工序，制備獲得太陽能電池片。
實施例2所制備的太陽能高效電池，其氧化層(sio2膜)厚度為30-40nm。
相較于現(xiàn)有技術(shù)中采用熱氧化法或等離子體增強化學(xué)相沉淀積(pecvd)來實現(xiàn)晶體硅太陽電池表面鈍化而言，本發(fā)明具有工藝較為簡單優(yōu)勢，投資較小，有利于產(chǎn)業(yè)化推廣。
本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神做舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。