本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法。

背景技術(shù)：

采用氮化鎵材料制造的發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡(jiǎn)稱led)，具有禁帶寬度大、耐高溫和大功率容量等優(yōu)良特性，發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋可見(jiàn)光和紫外線，在新興的光電產(chǎn)業(yè)中具有廣大的前景。

外延片是發(fā)光二極管制造的初級(jí)成品，現(xiàn)有的外延片主要包括n型氮化鎵層、多量子阱(英文：multiplequantumwell，簡(jiǎn)稱：mqw)層和p型氮化鎵層。其中，多量子阱層包括多個(gè)銦鎵氮層和多個(gè)氮化鎵層，多個(gè)銦鎵氮層和多個(gè)氮化鎵層交替層疊設(shè)置。當(dāng)向n型氮化鎵層和p型氮化鎵層施加電壓時(shí)，n型氮化鎵層中的電子和p型氮化鎵層中的空穴注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光。

p型氮化鎵層中的p型摻雜劑通常采用鎂，但鎂在p型氮化鎵層中的固溶度低，鎂替換空穴所需的激活能又高，鎂在p型氮化鎵層中替換出的空穴有限，導(dǎo)致p型氮化鎵層注入多量子阱層的空穴數(shù)量遠(yuǎn)小于n型氮化鎵層注入多量子阱層的電子數(shù)量，大大限制了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)p型氮化鎵層注入多量子阱層的空穴數(shù)量少，大大限制發(fā)光二極管的發(fā)光效率的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片及其制造方法。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和p型氮化鎵層，所述多量子阱層包括依次層疊在所述n型氮化鎵層上的多個(gè)第一子層，每個(gè)所述第一子層包括量子阱層和設(shè)置在所述量子阱層上的量子壘層，所述量子阱層為銦鎵氮層，所述電子阻擋層包括依次層疊在所述多量子阱層上的多個(gè)第二子層，每個(gè)所述第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，所述高溫阻擋層為鋁鎵氮層，所述能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，所述能帶調(diào)制層中銦組分的含量低于所述量子阱層中銦組分的含量，所述低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述高溫阻擋層中鋁組分的含量相等，或者所述電子阻擋層中的多個(gè)所述高溫阻擋層中鋁組分的含量沿所述外延片的層疊方向逐層減小。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述高溫阻擋層的厚度相等，或者所述電子阻擋層中的多個(gè)所述高溫阻擋層的厚度沿所述外延片的層疊方向逐層減小。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述能帶調(diào)制層中銦組分的含量相等，或者所述電子阻擋層中的多個(gè)所述能帶調(diào)制層中銦組分的含量沿所述外延片的層疊方向逐層增大。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述能帶調(diào)制層的厚度相等，或者所述電子阻擋層中的多個(gè)所述能帶調(diào)制層的厚度沿所述外延片的層疊方向逐層減小。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述低溫提供層的厚度沿所述外延片的層疊方向逐層增大。

可選地，所述電子阻擋層中的多個(gè)所述低溫提供層中p型摻雜劑的濃度相等。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和p型氮化鎵層；

其中，所述多量子阱層包括依次層疊在所述n型氮化鎵層上的多個(gè)第一子層，每個(gè)所述第一子層包括量子阱層和設(shè)置在所述量子阱層上的量子壘層，所述量子阱層為銦鎵氮層；所述電子阻擋層包括依次層疊在所述多量子阱層上的多個(gè)第二子層，每個(gè)所述第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，所述高溫阻擋層為鋁鎵氮層，所述能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，所述能帶調(diào)制層中銦組分的含量低于所述量子阱層中銦組分的含量，所述低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層。

可選地，在同一個(gè)所述第二子層中，所述高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度比所述低溫提供層的生長(zhǎng)溫度高，且所述高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度與所述低溫提供層的生長(zhǎng)溫度之差大于或等于50℃，所述能帶調(diào)制層的生長(zhǎng)溫度在所述高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度和所述低溫提供層的生長(zhǎng)溫度之間。

可選地，在制作每個(gè)所述能帶調(diào)制層時(shí)，保持生長(zhǎng)溫度不變；或者，在制作每個(gè)所述能帶調(diào)制層時(shí)，控制生長(zhǎng)溫度逐漸降低。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是：

本發(fā)明提供的電子阻擋層包括多個(gè)第二子層，每個(gè)第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，其中，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，鋁鎵氮和銦鎵氮為異質(zhì)材料，能帶調(diào)制層層疊在高溫阻擋層上，高溫阻擋層和能帶調(diào)制層之間存在晶格失配，晶格失配導(dǎo)致的界面應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生很高的壓電極化場(chǎng)，壓電極化場(chǎng)可以降低p型摻雜劑的激活能。由于能帶調(diào)制層上層疊的低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層，因此低溫提供層中p型摻雜劑的激活能降低，p型摻雜劑替換出的空穴增多，更多的空穴注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光，發(fā)光二極管的發(fā)光效率得到提升。而且能帶調(diào)制層中銦組分是表面活性劑，可以提高低溫提供層中p型摻雜劑的固溶度，從而進(jìn)一步增加注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光的空穴數(shù)量，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。另外，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，具有較高的勢(shì)壘，可以阻擋電子越過(guò)電子阻擋層注入p型氮化鎵層與空穴非輻射復(fù)合，避免p型氮化鎵層中注入多量子阱層的空穴由于非輻射復(fù)合而減少。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例一提供的多量子阱層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例一提供的電子阻擋層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例二提供的電子阻擋層的能帶示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例三提供的電子阻擋層的能帶示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例四提供的電子阻擋層的能帶示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例五提供的電子阻擋層的能帶示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例六提供的一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，參見(jiàn)圖1，該外延片包括襯底1以及依次層疊在襯底1上的緩沖層2、未摻雜氮化鎵層3、n型氮化鎵層4、多量子阱層5、電子阻擋層6和p型氮化鎵層7。

在本實(shí)施例中，參見(jiàn)圖2，多量子阱層5包括依次層疊在n型氮化鎵層4上的多個(gè)第一子層，每個(gè)第一子層包括量子阱層51和設(shè)置在量子阱層51上的量子壘層52，量子阱層為銦鎵氮層。參見(jiàn)圖3，電子阻擋層6包括依次層疊在多量子阱層5上的多個(gè)第二子層，每個(gè)第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層61、能帶調(diào)制層62和低溫提供層63，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，能帶調(diào)制層中銦組分的含量低于量子阱層中銦組分的含量，低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層。

本發(fā)明提供的電子阻擋層包括多個(gè)第二子層，每個(gè)第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，其中，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，鋁鎵氮和銦鎵氮為異質(zhì)材料，能帶調(diào)制層層疊在高溫阻擋層上，高溫阻擋層和能帶調(diào)制層之間存在晶格失配，晶格失配導(dǎo)致的界面應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生很高的壓電極化場(chǎng)，壓電極化場(chǎng)可以降低p型摻雜劑的激活能。由于能帶調(diào)制層上層疊的低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層，因此低溫提供層中p型摻雜劑的激活能降低，p型摻雜劑替換出的空穴增多，更多的空穴注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光，發(fā)光二極管的發(fā)光效率得到提升。而且能帶調(diào)制層中銦組分是表面活性劑，可以提高低溫提供層中p型摻雜劑的固溶度，從而進(jìn)一步增加注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光的空穴數(shù)量，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。另外，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，具有較高的勢(shì)壘，可以阻擋電子越過(guò)電子阻擋層注入p型氮化鎵層與空穴非輻射復(fù)合，避免p型氮化鎵層中注入多量子阱層的空穴由于非輻射復(fù)合而減少。

在實(shí)際應(yīng)用中，低溫提供層中可以摻雜銦或者鋁。

需要說(shuō)明的是，多個(gè)第二子層依次層疊形成超晶格結(jié)構(gòu)，可以有效緩解第二子層各層之間由于材料異質(zhì)產(chǎn)生的應(yīng)力和缺陷。

具體地，量子壘層可以為氮化鎵層，也可以為鋁鎵氮層。

可選地，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層中鋁組分的含量可以相等，也可以沿外延片的層疊方向逐層減小。若電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層中鋁組分的含量相等，則制作高溫阻擋層的工藝簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)方便。若電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層中鋁組分的含量沿外延片的層疊方向逐層減小，則為p型氮化鎵層中的空穴提供一個(gè)能級(jí)逐漸增高的電子阻擋層，減小勢(shì)壘高度對(duì)空穴的阻擋作用，有利于空穴越過(guò)電子阻擋層注入多量子阱層進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層中鋁組分的含量也可以沿外延片的層疊方向逐層增大。

可選地，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層的厚度可以相等，也可以沿外延片的層疊方向逐層減小。若電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層的厚度相等，則制作高溫阻擋層的工藝簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)方便；若電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層的厚度沿外延片的層疊方向逐層減小，，可以減小對(duì)空穴的阻擋作用，有利于空穴越過(guò)電子阻擋層注入多量子阱層進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層的厚度也可以沿外延片的層疊方向逐層增大。

具體地，各個(gè)高溫阻擋層的厚度可以為1～100nm。若高溫阻擋層的厚度小于1nm，則會(huì)由于過(guò)薄不能起到阻擋電子溢流至p型層的作用；若高溫阻擋層的厚度大于100nm，則會(huì)對(duì)空穴的阻擋作用過(guò)大，導(dǎo)致進(jìn)入到多量子阱層的空穴數(shù)量減少，降低發(fā)光效率。

可選地，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層中銦組分的含量可以相等，也可以沿外延片的層疊方向逐層增大。若電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層中銦組分的含量相等，則制作能帶調(diào)制層的工藝簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)放方便；若電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層中銦組分的含量沿外延片的層疊方向逐層增大，則靠近p型氮化鎵層的能帶調(diào)制層中銦組分的含量較高，有利于利用銦作為表面活性劑，提高p型摻雜劑的固溶度，從而增加注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光的空穴數(shù)量，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層中銦組分的含量也可以沿外延片的層疊方向逐層減小。

可選地，各個(gè)能帶調(diào)制層的厚度可以相等，也可以沿外延片的層疊方向逐層減小。若各個(gè)能帶調(diào)制層的厚度相等，則制作能帶調(diào)制層的工藝簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)放方便；若各個(gè)能帶調(diào)制層的厚度沿外延片的層疊方向逐層減小，則靠近多量子阱層的能帶調(diào)制層的厚度較大，作用比較明顯。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層的厚度也可以沿外延片的層疊方向逐層增大。

具體地，各個(gè)能帶調(diào)制層的厚度可以為1～100nm。若能帶調(diào)制層的厚度小于1nm，則無(wú)法達(dá)到能帶調(diào)制層提高空穴的濃度的作用；若能帶調(diào)制層的厚度大于100nm，則會(huì)造成材料的浪費(fèi)和應(yīng)力過(guò)大。

可選地，電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層的厚度可以沿外延片的層疊方向逐層增大，以便于與p型氮化鎵層形成良好的匹配。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層的厚度也可以相等，或者沿外延片的層疊方向逐層減小。

具體地，各個(gè)低溫提供層的厚度可以為1～100nm。若低溫提供層的厚度小于1nm，則導(dǎo)致能夠提供的空穴太少，達(dá)不到提高空穴濃度的作用；若低溫提供層的厚度大于100nm，則導(dǎo)致能帶調(diào)制層和電子阻擋層無(wú)法達(dá)到理想效果。

可選地，電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層中p型摻雜劑的濃度可以相等，。

在實(shí)際應(yīng)用中，電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層中p型摻雜劑的濃度也可以不等，如沿外延片的層疊方向逐層增多或者逐層減小。

可選地，第二子層的層數(shù)可以為5～8層。若第二子層的層數(shù)小于5層，則達(dá)不到有效提高空穴的濃度的作用；若第二子層的層數(shù)大于8層，則會(huì)造成材料的浪費(fèi)。

具體地，襯底可以為藍(lán)寶石襯底。緩沖層可以為氮化鎵層，也可以為氮化鋁層。

實(shí)施例二

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例一提供的外延片的一種具體實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)施例中，如圖4所示，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61中鋁組分的含量沿外延片的層疊方向逐層減小，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61的厚度沿外延片的層疊方向從20nm逐層減小至2nm。電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62中銦組分的含量沿外延片的層疊方向逐層增大，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62的厚度相等，能帶調(diào)制層62的厚度為2～20nm。電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層63的厚度從2nm逐層增大至20nm。

實(shí)施例三

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例一提供的外延片的另一種具體實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)施例中，如圖5所示，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61中鋁組分的含量沿外延片的層疊方向逐層減小，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61的厚度相等，高溫阻擋層61的厚度為5～10nm。電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62中銦組分的含量相等，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62的厚度沿外延片的層疊方向從20nm逐層減小至2nm。電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層63的厚度從2nm逐層增大至20nm。

實(shí)施例四

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例一提供的外延片的又一種具體實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)施例中，如圖6所示，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61中鋁組分的含量相等，電子阻擋層中的多個(gè)高溫阻擋層61的厚度相等，高溫阻擋層61的厚度為80nm。電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62中銦組分的含量沿外延片的層疊方向逐層增大，電子阻擋層中的多個(gè)能帶調(diào)制層62的厚度沿外延片的層疊方向從100nm逐層減小至80nm。電子阻擋層中的多個(gè)低溫提供層63的厚度從60nm逐層增大至80nm。

實(shí)施例五

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例一提供的外延片的又一種具體實(shí)現(xiàn)。

在本實(shí)施例中，如圖7所示，各個(gè)高溫阻擋層61中鋁組分的含量沿外延片的層疊方向逐層減小，各個(gè)高溫阻擋層61的厚度沿外延片的層疊方向從100nm逐層減小80nm。各個(gè)能帶調(diào)制層62中銦組分的含量相等，各個(gè)能帶調(diào)制層的厚度相等，能帶調(diào)制層62的厚度為80nm。各個(gè)低溫提供層63的厚度從60nm逐層增大至80nm。

實(shí)施例六

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，適用于制造實(shí)施例一至實(shí)施例五中任一實(shí)施例提供的外延片，參見(jiàn)圖8，該制造方法包括：

步驟201：提供一襯底。

步驟202：在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、未摻雜氮化鎵層、n型氮化鎵層、多量子阱層、電子阻擋層和p型氮化鎵層。

在本實(shí)施例中，多量子阱層包括依次層疊在n型氮化鎵層上的多個(gè)第一子層，每個(gè)第一子層包括量子阱層和設(shè)置在量子阱層上的量子壘層，量子阱層為銦鎵氮層。電子阻擋層包括依次層疊在多量子阱層上的多個(gè)第二子層，每個(gè)第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，能帶調(diào)制層中銦組分的含量低于量子阱層中銦組分的含量，低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層。

本發(fā)明提供的電子阻擋層包括多個(gè)第二子層，每個(gè)第二子層包括依次層疊的高溫阻擋層、能帶調(diào)制層和低溫提供層，其中，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，能帶調(diào)制層為銦鎵氮層，鋁鎵氮和銦鎵氮為異質(zhì)材料，能帶調(diào)制層層疊在高溫阻擋層上，高溫阻擋層和能帶調(diào)制層之間存在晶格失配，晶格失配導(dǎo)致的界面應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生很高的壓電極化場(chǎng)，壓電極化場(chǎng)可以降低p型摻雜劑的激活能。由于能帶調(diào)制層上層疊的低溫提供層為p型摻雜的氮化鎵層，因此低溫提供層中p型摻雜劑的激活能降低，p型摻雜劑替換出的空穴增多，更多的空穴注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光，發(fā)光二極管的發(fā)光效率得到提升。而且能帶調(diào)制層中銦組分是表面活性劑，可以提高低溫提供層中p型摻雜劑的固溶度，從而進(jìn)一步增加注入多量子阱層復(fù)合發(fā)光的空穴數(shù)量，提升發(fā)光二極管的發(fā)光效率。另外，高溫阻擋層為鋁鎵氮層，具有較高的勢(shì)壘，可以阻擋電子越過(guò)電子阻擋層注入p型氮化鎵層與空穴非輻射復(fù)合，避免p型氮化鎵層中注入多量子阱層的空穴由于非輻射復(fù)合而減少。

可選地，在同一個(gè)第二子層中，高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度比低溫提供層的生長(zhǎng)溫度高，且高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度與低溫提供層的生長(zhǎng)溫度之差大于或等于50℃，能帶調(diào)制層的生長(zhǎng)溫度在高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度和低溫提供層的生長(zhǎng)溫度之間。

高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度比低溫提供層的生長(zhǎng)溫度高至少50℃，低溫提供層的生長(zhǎng)溫度較低，有利于低溫提供層中p型摻雜劑的摻入，提高空穴的濃度，同時(shí)高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度較高，可以對(duì)相鄰的低溫提供層進(jìn)行高溫退火，活化p型摻雜劑，進(jìn)一步提高空穴的濃度。而且高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度較高，有利于提高高溫阻擋層中鋁原子在高溫阻擋層表面的遷移率，得到晶體質(zhì)量更好的高溫阻擋層。

優(yōu)選地，在制作每個(gè)能帶調(diào)制層時(shí)，保持生長(zhǎng)溫度不變；或者，在制作每個(gè)能帶調(diào)制層時(shí)，控制生長(zhǎng)溫度逐漸降低。若保持生長(zhǎng)溫度不變，則制作能帶調(diào)制層的工藝簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)方便；若控制生長(zhǎng)溫度逐漸降低，則各層生長(zhǎng)的溫度逐漸過(guò)渡，匹配較好，生長(zhǎng)質(zhì)量較高。

更優(yōu)選地，控制生長(zhǎng)溫度從高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度逐漸降低至低溫提供層的生長(zhǎng)溫度。

具體地，高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度可以為800～1100℃。若高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度小于800℃，則高溫阻擋層的生長(zhǎng)質(zhì)量較差；若高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度高于1100℃，則會(huì)對(duì)能帶調(diào)制層造成破壞，造成能帶調(diào)制層中的銦析出。

具體地，低溫提供層的生長(zhǎng)溫度可以為700～1000℃。若低溫提供層的生長(zhǎng)溫度小于700℃，則低溫提供層的生長(zhǎng)質(zhì)量較差；若低溫提供層的生長(zhǎng)溫度高于1000℃，則會(huì)造成能帶調(diào)制層中的銦析出，無(wú)法實(shí)現(xiàn)空穴濃度的提高，而且不利于p型摻雜劑的并入。

實(shí)施例七

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例六提供的制造方法的一種具體實(shí)現(xiàn)，特別適用于制造實(shí)施例二提供的外延片。

在本實(shí)施例中，高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度為920℃，低溫提供層的生長(zhǎng)溫度為850℃，能帶調(diào)制層的生長(zhǎng)溫度從920℃逐漸降低至850℃。

實(shí)施例八

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管的外延片的制造方法，本實(shí)施例提供的外延片是實(shí)施例六提供的制造方法的一種具體實(shí)現(xiàn)，特別適用于制造實(shí)施例三提供的外延片。

在本實(shí)施例中，高溫阻擋層的生長(zhǎng)溫度為920℃，低溫提供層的生長(zhǎng)溫度為850℃，能帶調(diào)制層的生長(zhǎng)溫度為880℃。

上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。