本發(fā)明涉及微波真空電子技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)和毫米波磁控管。

背景技術(shù)：

磁控管是軍事和民用領(lǐng)域應(yīng)用最廣泛的真空微波管，均有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、脈沖功率大、壽命長(zhǎng)、成本高、體積小的優(yōu)點(diǎn)，既可應(yīng)用于導(dǎo)彈、通信、信標(biāo)、警戒雷達(dá)等軍用領(lǐng)域，又可在醫(yī)療、通信、氣象、化工、工業(yè)加熱、汽車(chē)點(diǎn)火等民用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

然而，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用熱陰極作為磁控管的電子源，采用這種陰極工作的磁控管具有以下技術(shù)問(wèn)題：其一，工作前必須采用熱子對(duì)陰極進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱時(shí)間最少1分鐘，有時(shí)甚至高達(dá)5分鐘；其二，為了對(duì)磁控管熱陰極進(jìn)行預(yù)熱，磁控管電源必須加入燈絲電源部分，而且一般燈絲變壓器浮置于陰極負(fù)高壓之上，電源的復(fù)雜度提高，可靠性下降；其三，熱陰極工作溫度一般在850℃以上，工作溫度高，陰極發(fā)射物質(zhì)蒸散現(xiàn)象嚴(yán)重，壽命偏低。

現(xiàn)有技術(shù)中，碳納米管冷陰極采用平面發(fā)射結(jié)構(gòu)，一般用于一次發(fā)射場(chǎng)合，耐轟擊能力差，不能提供二次電子發(fā)射，不適宜于應(yīng)用在磁控管中。而現(xiàn)有技術(shù)中提供二次發(fā)射的陰極結(jié)構(gòu)為復(fù)合式冷陰極，其二次發(fā)射體為鎢海綿體或鎳海綿體，這種多孔疏松結(jié)構(gòu)在制作過(guò)程中容易吸氣，而且在工作過(guò)程中在一次電子的轟擊下也容易析出氣體，一般需要采用熱絲對(duì)陰極進(jìn)行高溫除氣，增加了結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性。

因此，需要提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，無(wú)需設(shè)置熱絲的磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)和毫米波磁控管。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種采用毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)的磁控管。

為達(dá)到上述第一個(gè)目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，包括底金屬桿、套設(shè)于底金屬桿一端的上屏蔽帽與下屏蔽帽、以及設(shè)置于上屏蔽帽和下屏蔽帽之間的冷陰極發(fā)射體，該冷陰極發(fā)射體包括交替的一次發(fā)射體和二次發(fā)射體，一次發(fā)射體位于該冷陰極發(fā)射體的兩端。本發(fā)明交替設(shè)置的二次發(fā)射體為合金結(jié)構(gòu)，冷陰極結(jié)構(gòu)無(wú)需設(shè)置熱絲，簡(jiǎn)化了陰極結(jié)構(gòu)；無(wú)需為熱絲提供外部電壓，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化的電子槍結(jié)構(gòu)；無(wú)需對(duì)電子槍進(jìn)行排氣，因而簡(jiǎn)化了磁控管電子槍和磁控管的制備工藝。

優(yōu)選地，所述一次發(fā)射體為鉭環(huán)，二次發(fā)射體為鈀鋇環(huán)。本發(fā)明的原理是利用場(chǎng)致發(fā)射為磁控管提供一次電子，一次電子在磁場(chǎng)的作用下轟擊二次發(fā)射體，實(shí)現(xiàn)電子倍增，從而正常工作。本發(fā)明的場(chǎng)致發(fā)射材料采用厚度為微米量級(jí)的高溫難熔材料鉭，通過(guò)電腐蝕和碾壓形成鉭環(huán)。本發(fā)明的二次發(fā)射體則采用二次發(fā)射系數(shù)較大的鈀鋇合金材料，該合金材料中含有陰極活性物質(zhì)鋇。在高電壓的作用下，鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)的結(jié)合實(shí)現(xiàn)了磁控管的冷啟動(dòng)。這種磁控管工作前無(wú)需預(yù)熱，可瞬間啟動(dòng)，電源簡(jiǎn)單，可靠性高，陰極溫度低，蒸散速度慢，工作壽命長(zhǎng)。

優(yōu)選地，所述鈀鋇環(huán)中，鈀鋇合金中鋇的比例為0.5～3.5％，鋇含量太少會(huì)影響二次發(fā)射性能和工作壽命，鋇含量太高會(huì)降低鈀鋇合金的工作溫度，導(dǎo)致高溫蒸發(fā)嚴(yán)重，壽命降低。

優(yōu)選地，所述底金屬桿具有用于限定所述下屏蔽帽的凸起，所述上屏蔽帽與所述底金屬桿固定連接。

優(yōu)選地，所述上屏蔽帽和下屏蔽帽分別采用點(diǎn)焊、電阻焊或激光焊接的方式固定在底金屬桿上；更優(yōu)選地，所述上屏蔽帽和下屏蔽帽分別采用激光焊接的方式固定在底金屬桿上。本發(fā)明屏蔽帽用于防止電子逃逸到陰極軸向端部空間，形成無(wú)用電流，降低工作效率。本發(fā)明通過(guò)將上屏蔽帽與金屬桿焊接固定，實(shí)現(xiàn)冷陰極發(fā)射體的各個(gè)發(fā)射體結(jié)構(gòu)緊密接觸。這種定位和固定方式，無(wú)需將冷陰極各發(fā)射體之間進(jìn)行焊接，也無(wú)需將冷陰極發(fā)射體與上、下屏蔽帽和底金屬桿進(jìn)行焊接，保證了一次發(fā)射體和二次發(fā)射體的電子發(fā)射性能。本發(fā)明中點(diǎn)焊、電阻焊或激光焊接均可將屏蔽帽固定，但是采用激光焊接的方式比其他焊接方式難度更小，焊接更精確。

優(yōu)選地，所述一次發(fā)射體的厚度為0.01～0.1mm，所述二次發(fā)射體的厚度為0.6～1.5mm。本發(fā)明中的一次發(fā)射體提供尖端，保證一次電子發(fā)射效率，而二次發(fā)射體在一次電子的轟擊下，依靠二次發(fā)射為磁控管工作提供陰極電流，最終實(shí)現(xiàn)磁控管的可靠冷啟動(dòng)，因此將一次發(fā)射體和二次發(fā)射體的厚度限定為所述范圍。

優(yōu)選地，所述一次發(fā)射體的直徑大于二次發(fā)射體的直徑。本發(fā)明中一次發(fā)射體作為一次電子提供源，對(duì)二次發(fā)射體進(jìn)行轟擊，因此其直徑大于二次發(fā)射體的直徑。

優(yōu)選地，所述一次發(fā)射體的直徑為5.0～5.1mm，所述二次發(fā)射體的直徑為4.9～5.0mm。

優(yōu)選地，所述底金屬桿為直徑為2.0～2.8mm、高為15～20mm的圓柱體。

優(yōu)選地，所述底金屬桿的材料為熔點(diǎn)大于2000℃的金屬；更優(yōu)選地，所述金屬為金屬鉬。

優(yōu)選地，所述上、下屏蔽帽的材料為金屬鉿。

優(yōu)選地，所述上、下屏蔽帽的直徑為5.4～5.8mm，厚度為0.2～0.3mm。

為達(dá)到上述第二目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種包括所述冷陰極結(jié)構(gòu)的毫米波磁控管，其中冷陰極發(fā)射體的總厚度為0.62～6.5mm。進(jìn)一步地，在本發(fā)明的某些具體實(shí)施方式中，例如，所述冷陰極發(fā)射體的總厚度為0.62～3.03mm、0.62～2.45mm、0.62～1.7mm、0.62～1.55mm、0.62～1.5mm、0.62～1.21mm；優(yōu)選地，所述冷陰極發(fā)射體的總厚度為總厚度為1.21～3.03mm、1.5～2.45mm、1.5～1.7mm、1.55～1.7mm。本發(fā)明得到的冷陰極磁控管的起振時(shí)間小于5s，工作500小時(shí)后磁控管輸出功率大于20kw，磁控管效率大于20％。

優(yōu)選地，所述冷陰極結(jié)構(gòu)包括交替設(shè)置的x個(gè)鉭環(huán)，y個(gè)鈀鋇環(huán)，其中x為整數(shù)2～5，y為整數(shù)1～4；更優(yōu)選地，x為3，y為2。本發(fā)明中鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)的數(shù)目越多，得到的陰極體的可靠性越強(qiáng)，但是數(shù)目過(guò)多會(huì)增加工藝制備的難度，綜合考慮陰極體的可靠性和裝載難度，鉭環(huán)為3個(gè)和鈀鋇環(huán)為2個(gè)為最優(yōu)選方案。

本發(fā)明的冷陰極磁控管是對(duì)傳統(tǒng)熱陰極磁控管的一種技術(shù)改進(jìn)，與熱陰極磁控管相比，這種類(lèi)型磁控管具以下一系列特點(diǎn)：由于沒(méi)有燈絲加熱，也沒(méi)有懸浮在高壓上的燈絲供電組件，磁控管電源得到簡(jiǎn)化，可靠性得到提高；由于沒(méi)有燈絲加熱，它節(jié)省了燈絲功率，降低了發(fā)射機(jī)功耗，提高了發(fā)射機(jī)效率；由于不需要燈絲，發(fā)射機(jī)可以省去高電位燈絲變壓器等電路，可節(jié)省50多個(gè)元件，發(fā)射機(jī)體積重量可下降15％左右；由于采用冷發(fā)射材料，可瞬間啟動(dòng)，啟動(dòng)時(shí)間約為3-5s，啟動(dòng)時(shí)間是傳統(tǒng)熱陰極的1/10，適合航空飛行器使用，可大大提高現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)的戰(zhàn)機(jī)把握能力；由于冷陰極發(fā)射體工作溫度為300-700℃，工作溫度低，耐電子回轟和離子轟擊能力強(qiáng)，工作壽命可達(dá)5000-10000小時(shí)；由于冷陰極材料工作真空度要求較低，存儲(chǔ)和維護(hù)簡(jiǎn)單，維護(hù)周期可較熱陰極磁控管可延長(zhǎng)一倍。

冷陰極技術(shù)是軍事需求下磁控管的又一發(fā)展方向，本發(fā)明中的冷陰極磁控管無(wú)需燈絲加熱，靠陰極尖端的場(chǎng)致發(fā)射提供一次電子，然后轟擊陰極，產(chǎn)生二次電子，從而正常工作。冷陰極技術(shù)的應(yīng)用縮短了發(fā)射機(jī)準(zhǔn)備時(shí)間，提高了武器裝備在現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)中戰(zhàn)機(jī)把握能力。

采用本發(fā)明的冷陰極結(jié)構(gòu)制得的冷陰極磁控管無(wú)需燈絲加熱，可瞬間啟動(dòng)，無(wú)明顯啟動(dòng)遲滯時(shí)間，啟動(dòng)后電參數(shù)特性與熱陰極磁控管一致。啟動(dòng)時(shí)，鉭環(huán)在高電場(chǎng)的作用下由場(chǎng)致發(fā)射向陰陽(yáng)極互作用空間發(fā)射一次電子，一次電子在徑向電壓和軸向磁場(chǎng)的共同作用下轟擊鈀鋇環(huán)，產(chǎn)生二次倍增，為磁控管提供陰極發(fā)射電流。

本發(fā)明采用鉭環(huán)作為一次電子源，采用鈀鋇環(huán)作為二次發(fā)射體，鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)交替設(shè)置，二者之間的相互配合及協(xié)同作用，令電子倍增，可在高電壓的作用下實(shí)現(xiàn)磁控管的冷啟動(dòng)。采用本發(fā)明的冷陰極結(jié)構(gòu)制得的磁控管具有啟動(dòng)時(shí)間短、發(fā)射流大且發(fā)射穩(wěn)定、效率高、啟動(dòng)后電參數(shù)特性與熱陰極磁控管一致等特點(diǎn)。

另外，如無(wú)特殊說(shuō)明，本發(fā)明所記載的任何范圍包括端值以及端值之間的任何數(shù)值以及端值或者端值之間的任意數(shù)值所構(gòu)成的任意子范圍。

本發(fā)明的有益效果如下：

1)本發(fā)明采用的鉭環(huán)為高溫難熔材料，這種材料逸出功適中，耐電子和離子的轟擊能力較強(qiáng)；

2)本發(fā)明采用的鈀鋇環(huán)為鈀鋇合金材料，其二次發(fā)射系數(shù)較大，且合金材料中的鋇為陰極活性物質(zhì)，因此可以為磁控管提供充足的電子；

3)本發(fā)明通過(guò)對(duì)一次發(fā)射體和二次發(fā)射體的交替設(shè)置，實(shí)現(xiàn)了一次電子和二次倍增現(xiàn)象的可靠互動(dòng)，保證磁控管的可靠啟動(dòng)；

4)采用本發(fā)明的冷陰極結(jié)構(gòu)制得的磁控管無(wú)需燈絲加熱，可瞬間啟動(dòng)，無(wú)明顯啟動(dòng)遲滯時(shí)間，啟動(dòng)后電參數(shù)特性與熱陰極磁控管一致。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

圖1示出本發(fā)明實(shí)施例1中的毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖2示出本發(fā)明實(shí)施例1中的毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖3示出本發(fā)明實(shí)施例1中的毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)的剖視圖。

圖4示出本發(fā)明實(shí)施例2中的冷陰極磁控管的輸出射頻脈沖圖，其中，a-輸入電壓的脈沖波形，b-輸出射頻的脈沖波形。

圖5示出本發(fā)明實(shí)施例2中的冷陰極磁控管的輸出功率變化曲線(xiàn)

圖6示出本發(fā)明實(shí)施例2中的冷陰極磁控管的工作效率變化曲線(xiàn)。

圖1～3中，1-鉭環(huán)、2-鈀鋇環(huán)、3-下屏蔽帽、4-上屏蔽帽、5-底金屬桿。

具體實(shí)施方式

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的說(shuō)明。附圖中相似的部件以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說(shuō)明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上；術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“前端”、“后端”、“頭部”、“尾部”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

實(shí)施例1

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，如圖1～3所示，包括底金屬桿5、套設(shè)于底金屬桿一端的上屏蔽帽4和下屏蔽帽3、以及設(shè)置于上屏蔽帽和下屏蔽帽之間的冷陰極發(fā)射體。

冷陰極發(fā)射體包括三個(gè)鉭環(huán)1和兩個(gè)鈀鋇環(huán)2，鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)交替設(shè)置；冷陰極發(fā)射體通過(guò)頂端鉭環(huán)的上端面和底端鉭環(huán)的下端面分別與上屏蔽帽4及下屏蔽帽3緊固連接。

冷陰極發(fā)射體、上屏蔽帽和下屏蔽帽均采用激光焊接的方式固定在底金屬桿4上。

底金屬桿為直徑為2.8mm、高為20mm的圓柱體。鉭環(huán)1的直徑為5.1mm，厚度為0.05mm；鈀鋇環(huán)的直徑4.9mm，厚度為0.7mm；冷陰極發(fā)射體的總厚度為1.55mm。

采用本發(fā)明冷陰極結(jié)構(gòu)的磁控管工作前無(wú)需預(yù)熱，可瞬間啟動(dòng)，電源簡(jiǎn)單，可靠性高，陰極溫度低，蒸散速度慢，工作壽命長(zhǎng)。

實(shí)施例2

采用實(shí)施例1的冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管。

對(duì)該磁控管進(jìn)行測(cè)試，磁控管起振特性正常，無(wú)明顯起振遲滯現(xiàn)象，起振時(shí)間小于5s，磁控管工作穩(wěn)定，當(dāng)加入高壓(電壓波形如圖4中a)后，射頻包絡(luò)如圖4中b所示，這種包絡(luò)與熱陰極磁控管的正常包絡(luò)一致，脈沖寬度達(dá)到正常脈寬400ns，其他電參數(shù)指標(biāo)也正常。

為了驗(yàn)證這種冷陰極的起振特性，進(jìn)行了冷陰極磁控管壽命試驗(yàn)，磁控管冷啟動(dòng)200次，正常工作500小時(shí)后，磁控管冷啟動(dòng)正常，所有電參數(shù)符合指標(biāo)要求。圖5是壽命試驗(yàn)時(shí)輸出功率變化曲線(xiàn)，從圖中可以看出，工作500小時(shí)后磁控管輸出功率仍然大于20kw。圖6是壽命試驗(yàn)中工作效率曲線(xiàn)，從圖中可以看出，工作500小時(shí)后，磁控管效率沒(méi)有明顯變化，仍然大于20％。

實(shí)施例3

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，不同之處僅在于，底金屬桿為直徑為2.0mm、高為15mm的圓柱體。鉭環(huán)的直徑為5.0mm，厚度為0.01mm。鈀鋇環(huán)的直徑為5.0mm，厚度為1.5mm。冷陰極發(fā)射體的總厚度為3.03mm。

采用該冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管。對(duì)該磁控管進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果符合要求。

實(shí)施例4

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，不同之處僅在于，底金屬桿為直徑為2.3mm、高為18mm的圓柱體。鉭環(huán)的直徑為5.05mm，厚度為0.1mm。鈀鋇環(huán)的直徑為4.95mm，厚度為0.6mm。冷陰極發(fā)射體的總厚度為1.5mm。

采用該冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管。對(duì)該磁控管進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果符合要求。

實(shí)施例5

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，不同之處僅在于，

所述冷陰極發(fā)射體包括兩個(gè)鉭環(huán)和一個(gè)鈀鋇環(huán)。

底金屬桿為直徑為2.1mm、高為15mm的圓柱體。鉭環(huán)的直徑為5.05mm，厚度為0.1mm。鈀鋇環(huán)的直徑為4.95mm，厚度為0.6mm。冷陰極發(fā)射體的總厚度為1.21mm。

采用該冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管。對(duì)該磁控管進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果顯示該陰極結(jié)構(gòu)磁控管可以實(shí)現(xiàn)冷啟動(dòng)，但是啟動(dòng)穩(wěn)定時(shí)間為5-9s，測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)打火后不能冷啟動(dòng)現(xiàn)象，整體上冷啟動(dòng)可靠性低于實(shí)施例1-4。

實(shí)施例6

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，不同之處僅在于，

所述冷陰極發(fā)射體包括五個(gè)鉭環(huán)和四個(gè)鈀鋇環(huán)。

底金屬桿為直徑為2.1mm、高為15mm的圓柱體。鉭環(huán)的直徑為5.05mm，厚度為0.01mm。鈀鋇環(huán)的直徑為4.95mm，厚度為0.6mm。冷陰極發(fā)射體的總厚度為2.45mm。

采用該冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管。對(duì)該磁控管進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果顯示磁控管冷啟動(dòng)正常，可靠性較高，但是這種結(jié)構(gòu)陰極裝配過(guò)程對(duì)中難度大，不適宜用于發(fā)射體總高度偏低的結(jié)構(gòu)中。

對(duì)比例1

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，區(qū)別在于：將鉭環(huán)去除。

采用上述冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管，并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明，磁控管無(wú)法工作，說(shuō)明缺少鉭環(huán)導(dǎo)致冷啟動(dòng)失敗。

對(duì)比例2

一種毫米波磁控管用冷陰極結(jié)構(gòu)，同實(shí)施例1，區(qū)別在于：將鈀鋇環(huán)去除。

采用上述冷陰極結(jié)構(gòu)替換熱陰極磁控管中熱陰極部件，得到新的冷陰極磁控管，并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明，磁控管無(wú)法工作，說(shuō)明缺少鈀鋇環(huán)導(dǎo)致冷啟動(dòng)失敗。

從對(duì)比例1和2可知，本發(fā)明的冷陰極結(jié)構(gòu)中鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)是相互配合的結(jié)構(gòu)，二者缺一不可，缺少其中任一一個(gè)組件，都會(huì)導(dǎo)致磁控管無(wú)法工作，冷啟動(dòng)失敗。

結(jié)論：本發(fā)明采用鉭環(huán)作為一次電子源，采用鈀鋇環(huán)作為二次發(fā)射體，鉭環(huán)和鈀鋇環(huán)交替設(shè)置，二者之間的相互配合及協(xié)同作用，令電子倍增，在高電壓的作用下實(shí)現(xiàn)磁控管的冷啟動(dòng)。缺少一次電子源，無(wú)法提供一次電子，冷啟動(dòng)失敗，缺少二次發(fā)射體無(wú)法發(fā)生二次倍增，冷啟動(dòng)失敗。采用本發(fā)明的冷陰極結(jié)構(gòu)制得的磁控管具有啟動(dòng)時(shí)間短、發(fā)射流大且發(fā)射穩(wěn)定、效率高、啟動(dòng)后電參數(shù)特性與熱陰極磁控管一致等特點(diǎn)。

顯然，本發(fā)明的上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的限定，對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)，這里無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā)明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之列。