專利名稱：磁控管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控管(magnetron)，特別是涉及一種在高輸出脈沖磁控管中用 于控制該磁控管的作用空間中的磁通密度分布、提高脈沖內(nèi)的頻率穩(wěn)定度的構(gòu)造。
背景技術(shù)：
圖11表示以往的高輸出脈沖磁控管的結(jié)構(gòu)，該磁控管1例如由陽極體3、陰極體 4、密封構(gòu)件(金屬)5a、5b、磁性體6a、6b、磁體(磁極)7a、7b構(gòu)成，其中，該陽極體3為圓 筒狀且具有形成有多個諧振腔的內(nèi)部空間2，該陰極體4配置在內(nèi)部空間2的中央部，該密 封構(gòu)件(金屬)5a、5b為圓板(圓盤)狀，它們用于封閉內(nèi)部空間2的左右開口部且封閉圓 筒狀的陽極體3的兩端開口部，該磁性體6a、6b為圓板狀，其設(shè)在該圓板狀密封構(gòu)件5a、5b 的外側(cè)面中央部，該磁體(磁極)7a、7b以從兩側(cè)夾持上述內(nèi)部空間2的方式配置。在上述磁控管1中，由于陰極體4的電子發(fā)射面4E部分的作用空間50的磁通密度 分布對振蕩狀態(tài)的影響較大，因此該作用空間50的理想的磁通密度分布如下磁通密度在 整個區(qū)域上與Z軸方向(陰極體4的軸線方向)平行且均勻(相對于Z軸對稱)地分布。另外，在以往的磁控管1中，磁通量會在磁體7a、7b間擴散，從而存在Z軸方向以 及徑向(陽極體3以及陰極體4的徑向)上的磁通密度分布的均勻性下降的這一問題。另 外，從輸入部/輸出部的位置、或排氣管的位置等在使用方面具有代表性的空間上的限制 等各種情況考慮，在一對磁體7a、7b的形狀互不相同的情況下，也會使磁通密度分布的均 勻性降低，而且在磁控管開始振蕩后，隨著出現(xiàn)溫度上升等現(xiàn)象，磁體7a、7b的特性、固定 位置發(fā)生改變，從而也會使磁通密度分布的均勻性降低。這樣，在作用空間50的磁通密度 分布的均勻性下降時，產(chǎn)生跳模振蕩(moding)、噪聲、輸出功率下降這樣的不便。因此，以往考慮改變磁體7a、7b的形狀、或在圖11的磁控管1中也在圓板狀構(gòu)件 5a、5b上配置作為集束體的磁性體6a、6b。該磁性體6a、6b的直徑比磁體7a、7b的直徑小， 通過將磁體7a、7b間的外側(cè)的磁力線調(diào)整為朝向Z軸中心，能夠改善磁通量的擴散。另外，作為上述用于改善磁通密度分布的以往技術(shù)，提出了下述專利文獻1 5。 首先，專利文獻1是通過改變磁極的形狀來改善了磁極間的磁通量的擴散情況的例子，專 利文獻1的技術(shù)方案通過在作為磁極的極片(pole piece)上設(shè)置突起，從而改善作用空 間中的特別是陽極葉片內(nèi)端面位置處的Z軸方向磁場強度分布，且抑制產(chǎn)生低頻成分的噪 聲。專利文獻2是通過將作為磁極片的極片加工成凹面等形狀來改善了磁通量的 擴散情況的例子，專利文獻2的技術(shù)方案通過使陽極葉片附近的軸向磁場強度等同于或 大于陰極面附近的軸向磁場強度，從而改善徑向上的磁通密度分布、提高不會產(chǎn)生跳模 (moding)現(xiàn)象的陽極電流的上限值等等，提高了動作穩(wěn)定度。專利文獻3是在一方磁體表面上配置具有向葉片方向突出的環(huán)狀突出部的磁路 矯正磁極片，并在另一方磁體的表面上配置具有向葉片方向突出而貫穿陰極支承體的環(huán)狀 突出部(直徑與磁路矯正磁極片的突出部的直徑不同)的磁極片的例子，專利文獻3的技術(shù)方案通過使作用空間中的徑向上的磁通密度均勻分布，從而防止發(fā)生不良振蕩。專利文獻4是解決了磁體的溫度上升這一問題的例子，專利文獻4的技術(shù)方案通 過在安裝有具有向葉片側(cè)突出的突起部的磁極片的磁控管中使上述磁極片磁飽和，從而抑 制由磁體溫度的上升導致發(fā)生的作用空間中的磁通密度的變動，從而能夠獲得穩(wěn)定的輸
出o最后，專利文獻5是通過在由磁性材料構(gòu)成的集束板的外周部設(shè)置切割豎起部、 且使環(huán)狀磁鐵的外周部與該切割豎起部嵌合、能夠防止集束板與環(huán)狀磁鐵發(fā)生徑向上的位 置偏移、改良了性能的例子。專利文獻1 日本特開昭63-91932號公報專利文獻2 日本特開昭53-38966號公報專利文獻3 日本特開昭51-56172號公報專利文獻4 日本特開昭51-58859號公報專利文獻5 日本特開2002-163993號公報非專利文獻1 :Milton S. Kiver著、末崎等翻譯、“微波入門”、第1版第15次印刷、 株式會社近代科學社、昭和45年12月1日、p. 196 199另一方面，應用在粒子加速裝置中的磁控管要求具有振蕩頻率的穩(wěn)定性以及輸出 功率的穩(wěn)定性，但該要求特性受磁通密度的影響。對振蕩頻率的穩(wěn)定性的詳細要求是磁控管能在較寬范圍的動作點(該各動作點 是通過改變磁通密度的強度、磁控管電流值的組合而產(chǎn)生的)上穩(wěn)定振蕩；在磁控管開始 振蕩時沒有或較少發(fā)生抖動(jitter)；在磁控管的脈沖振蕩過程中磁控管的頻率變動較 ??；以及，即使磁控管的搭載位置發(fā)生了改變，磁控管的頻率變動仍然很小。另外，對輸出功率的穩(wěn)定性的要求是即使磁控管的搭載位置發(fā)生了改變，磁控管 的輸出變動仍然很小。但是，在圖11的以往的磁控管1中，即使配置了磁性體6a、6b，也不能充分改善磁 通量的擴散情況，從而希望進一步提高作用空間50中的磁通密度分布的均勻性。圖12表示圖11的磁控管1中的電子發(fā)射面4E上的Z軸方向的磁通密度分布，如 圖所示，磁通密度在z軸的中心點0處較低，在兩端點A處較高，中心部與兩端部的磁通密
度差較大。另外，在上述專利文獻1 5中，雖然通過在極片、磁性片上設(shè)置突起、突出部而實 現(xiàn)了磁通密度分布的均勻化，但在上述結(jié)構(gòu)中，磁通密度的均勻化存在極限，并且很難細微 地調(diào)整該磁通密度分布。而且，通常磁控管中的內(nèi)部空間狹窄，在配置磁性體時也有空間上 的限制。此外，在高輸出脈沖的磁控管1中，還存在不能穩(wěn)定地建立脈沖振蕩的這一問題。 即、高輸出磁控管的陽極電壓為數(shù)十kV、尖峰功率為MW等級、且主要用作X射線產(chǎn)生裝置等 中的線性加速器的微波源，該種用途的高輸出磁控管除了需要較高的輸出功率，還需要具 有脈沖內(nèi)的較高的頻率穩(wěn)定度。特別是，在建立脈沖振蕩時，即使是偶爾有在極短時間內(nèi)產(chǎn) 生的跳模(moding)，也會出現(xiàn)發(fā)火花(arcing)這一不良現(xiàn)象，即使不至于出現(xiàn)發(fā)火花，但 例如X射線強度的抖動也會對X射線產(chǎn)生裝置的特性產(chǎn)生不良影響。圖13表示圖11的磁控管1中的陽極電壓與陽極電流的脈沖波形，如圖所示，在陽極電壓脈沖波形101中，存在脈沖建立過程中的跳模(-1模式振蕩)部Ka，在陽極電流脈 沖波形201中，存在抖動。另外，為了能利用較大的陽極電流使高輸出脈沖的磁控管1進行動作，高輸出脈 沖的磁控管1必須自陰極體4發(fā)射大量電子，通過增大電子發(fā)射面4E的面積能夠達到該電 子發(fā)射量，但是為了增大電子發(fā)射面4E的面積，反而需要使陰極體4的高度值大于陰極體4 的直徑(增加陰極體4在作用空間軸(Z軸)向上的長度)。在調(diào)高該陰極體4的高度時， 會使磁通密度在作用空間Z軸方向上的分布范圍變得更廣，因此，陰極體4的電子發(fā)射面4E 上的磁通密度差在Z軸方向上變大，從而在建立脈沖時，電子的聚集狀態(tài)在陰極體4的中央 部(Z軸的0點)與兩端部(Z軸的A點)處不同，不能穩(wěn)定地建立振蕩。特別是，若在建立振蕩時跳模振蕩(moding)的發(fā)生頻率增加，則會降低脈沖內(nèi)頻 率的穩(wěn)定度，從而例如在將高輸出脈沖磁控管1用作線性加速器的微波源的情況下，來自 線性加速器的反射功率變大，不僅不能將充分的微波功率供給到該線性加速器中，而且磁 控管本身也因反射功率的影響而使振蕩頻率發(fā)生變化，還存在使動作更不穩(wěn)定的這一不良 情況。如上所述，特別是在能用作線性加速器用的高輸出脈沖磁控管中，雖然要求兼?zhèn)?較高的輸出和較高的頻率穩(wěn)定度，但是為了謀求高輸出化而在設(shè)計上調(diào)高陰極體4的高度 會相應地使脈沖內(nèi)頻率穩(wěn)定度下降，因此需要抑制該頻率穩(wěn)定度下降。但是，由于高輸出脈 沖磁控管在空間上也有限制，所以存在很難獲得滿足要求的較高的脈沖內(nèi)頻率穩(wěn)定度的這 一問題。此外，在線性加速器用的高輸出磁控管中，磁體多為獨立式結(jié)構(gòu)，因此基本上很難 改變磁體(磁極)的形狀、調(diào)整在磁體上安裝的磁極片的磁力。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題點而做成的，其目的在于提供一種能夠簡單且高效地使磁 通密度分布更加均勻以及調(diào)整該磁通密度分布、并且在高輸出用的用途中脈沖內(nèi)頻率的穩(wěn) 定度極高的磁控管。為了達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案1的磁控管包括陰極體；陽極體，其其具 有多個諧振腔，且在該陽極體的內(nèi)部空間的中心軸線上配置有該陰極體；磁鐵，其用于沿與 上述陰極體的中心軸線即Z軸平行的方向產(chǎn)生磁場；第1磁性體，其為圓板狀，配置在上述 陽極體的內(nèi)部空間的開口側(cè)，且該第1磁性體的直徑小于上述磁鐵的直徑，其特征在于，該 磁控管配置有第2磁性體，該第2磁性體是與上述第1磁性體分別獨立地構(gòu)成的環(huán)狀的磁 性體，該第2磁性體與Z軸同心地配置在位于比上述磁鐵的前端部靠上述陰極體的Z軸方 向中心部側(cè)的位置，且位于上述第1磁性體的徑向外側(cè)，該第2磁性體在Z軸方向上的厚度 大于上述第1磁性體在Z軸方向上的厚度。這里，磁鐵除了永磁鐵、電磁鐵等磁鐵之外還包括在極點(pole)部分設(shè)有極片 (磁極片)的磁鐵。技術(shù)方案2的發(fā)明在技術(shù)方案1所述的磁控管的基礎(chǔ)上，其特征在于，該磁控管還 配置有第3磁性體，該第3磁性體是與上述第2磁性體分別獨立地構(gòu)成的環(huán)狀的磁性體，該 第3磁性體與Z軸同心地配置在位于比上述磁鐵的前端部靠上述陰極體的Z軸方向中心部側(cè)的位置，且位于上述第2磁性體的徑向外側(cè)，該第3磁性體在Z軸方向上的厚度大于上述 第2磁性體在Z軸方向上的厚度。采用本發(fā)明，由于在第1磁性體的外周方向的例如陽極體的外周壁的環(huán)狀槽、或 用于保持第1磁性體的密封構(gòu)件上配置有環(huán)狀的第2磁性體，所以能夠使由磁鐵產(chǎn)生的磁 力密度中的向陽極體的外周方向擴散的磁力密度向內(nèi)側(cè)偏移，從而能夠減小陰極體的電子 發(fā)射面(Z軸)上的中央部與兩端部的磁通密度差。另外，通過在該第2磁性體的外側(cè)配置 第3磁性體，能夠使上述效果更加明顯。采用本發(fā)明，能夠使磁通密度分布更加均勻，并且由于與第1磁性體分別獨立地 形成第2磁性體，與第1磁性體以及第2磁性體分別獨立地形成第3磁性體，且能夠依據(jù)需 要將該第2磁性體、第3磁性體配置在陽極體的外壁的槽等中，因此能夠簡單且高效地調(diào)整 磁通密度分布。另外，在本發(fā)明的高輸出用磁控管中，還能獲得脈沖內(nèi)頻率的穩(wěn)定度極高的這一 效果。即、在陰極體的電子發(fā)射面上，由于減小了中央部與兩端部的磁通密度差，因此在建 立振蕩脈沖時，能夠消除陰極體的中心部與兩端部的電子的不良的聚集狀態(tài)之差，從而能 夠降低跳模振蕩(moding)的發(fā)生頻率，通過降低該跳模振蕩的發(fā)生頻率，能夠提高脈沖內(nèi) 頻率的穩(wěn)定度。


圖1是表示本發(fā)明的第1實施例的磁控管(高輸出脈沖磁控管)的結(jié)構(gòu)例的局部 剖視圖。圖2是表示第1實施例的第2磁性體的作用的說明圖。圖3是表示利用第1實施例的磁控管獲得的電子發(fā)射面上(Z軸方向)的磁通密 度分布的曲線圖。圖4是表示利用第1實施例的磁控管獲得的脈沖波形的曲線圖。圖5是表示第2實施例的磁控管的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖6是表示第3實施例的磁控管的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖7是圖6的第2磁性體的安裝部分(密封構(gòu)件的安裝部分)的放大圖。圖8是表示第4實施例的磁控管的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖9是表示圖8的第2磁性體的安裝部分的放大圖。圖10是表示實施例的第2磁性體的另一結(jié)構(gòu)的圖。圖11是表示以往的磁控管的結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。圖12是表示利用以往的磁控管獲得的電子發(fā)射面上(Z軸方向)的磁通密度分布 的曲線圖。圖13是表示利用以往的磁控管獲得的脈沖波形的曲線圖。
具體實施例方式圖1表示作為本發(fā)明的第1實施例的磁控管的結(jié)構(gòu)，第1實施例將本發(fā)明的磁控 管構(gòu)成為X射線產(chǎn)生裝置中的線性加速器用高輸出脈沖磁控管。圖1的磁控管10例如是 孔槽(hole andslot)式結(jié)構(gòu)，具有在內(nèi)部空間2中形成有多個諧振腔的圓筒狀的陽極體3，
6在該陽極體3的內(nèi)部空間2的中心(與該陽極體3同心地)配置有陰極體4，該陽極體3的 內(nèi)部空間2的左右開口部被圓板狀的密封構(gòu)件(金屬)5a、5b密封。利用焊接等方法將該 密封構(gòu)件5a、5b的外周部封閉固定在陽極體3的開口部。另外，在該密封構(gòu)件5a、5b的外側(cè)面中央部上，在與陰極體4、陽極體3 (內(nèi)部空間 2)的中心軸線(縱軸線)即Z軸同軸的位置上設(shè)有圓板狀的(由鐵材等強磁性金屬構(gòu)成 的)第1磁性體6a、6b，且從兩側(cè)夾著陽極體3的內(nèi)部空間2地配置有磁體(磁鐵)7a (例 如N極)、7b (例如S極)。并且，在上述陽極體3的外周壁的左右兩端分別形成有環(huán)狀槽12，在該環(huán)狀槽12 中與第1磁性體6a、6b的Z軸(中心軸線)同心地設(shè)有環(huán)狀的(由鐵材等強磁性金屬構(gòu)成 的)第2磁性體14a、14b。該第2磁性體14a、14b配置在位于比上述磁體7a、7b的前端部 靠近陰極體的Z軸方向中心部側(cè)的位置，且位于第1磁性體6a、6b的徑向外側(cè)。另外，也可 以借助安裝槽等將該第2磁性體14a、14b配置在上述密封構(gòu)件5a、5b上的第1磁性體6a、 6b的外側(cè)。另外，該環(huán)狀的第2磁性體14a、14b在Z軸方向上的厚度(高度)比第1磁性體 6a、6b的厚度厚。雖然需要根據(jù)磁體7a、7b的磁通密度以及磁極間(磁體7a、7b的前端間) 的距離調(diào)整該第2磁性體14a、14b的厚度，但例如在將磁體7a、7b的磁極間距離設(shè)為大約 75mm、將第1磁性體6a、6b的厚度(壁厚)設(shè)為大約0. 7mm的情況下，優(yōu)選將第2磁性體 14a、14b的厚度設(shè)為9mm左右。第1實施例的磁控管由上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成，采用該第1實施例，能夠利用第2磁性體 14a、14b使作用空間50內(nèi)的磁通密度均勻分布。g卩、圖2表示在磁體7a、7b間的空間的外側(cè)的磁力線，在沒有第2磁性體14a、14b 的情況下，第2磁性體14a、14b使在外側(cè)通過的磁力線Bi像磁力線B2那樣地偏移到內(nèi)側(cè)。 結(jié)果，能夠使內(nèi)部空間2及作用空間50內(nèi)的磁通密度均勻分布。即、由于磁通量是欲彼此分開地欲向外側(cè)(徑向)擴散的，因此Z軸方向的磁通密 度的分布如圖12所示在靠近兩側(cè)磁極的地方較密、越靠近中心(點0)越稀疏。這里，通過 利用第2磁性體14a、14b如圖2所示地抑制欲向外側(cè)擴散的磁通量，從而與未設(shè)置第2磁 性體的磁控管相比，能夠抑制磁通密度變稀疏，能夠抑制包括作用空間在內(nèi)的2個磁極間 的整個空間中的磁通量變稀疏。圖3表示利用第1實施例獲得的電子發(fā)射面上的Z軸方向的磁通密度分布，比較 該圖3和以往的圖12可知，電子發(fā)射面4E上的中心部(Z軸0點)與兩端部(Z軸A點) 的磁通密度差變小，實現(xiàn)了均勻分布。例如在以往(圖12)的磁控管中，Z軸0點與A點上 的磁通密度的差大約為90高斯，相對于此，在第1實施例(圖3)中，Z軸0點與A點上的 磁通密度的差大約減小為50高斯。另外，采用第1實施例，由于振蕩的建立特性穩(wěn)定，因此能夠消除振蕩建立過程中 的跳模。圖4是表示磁控管10中的陽極電壓與陽極電流的脈沖波形，比較圖4和以往的圖 13可知，在第1實施例中，如陽極電壓脈沖波形202所示，脈沖建立過程中的跳模(-1模 式振蕩)部(Ka)消失，并且如陽極電流脈沖波形202所示，不存在抖動，所以能夠獲得良好 的脈沖波形。
圖5表示第2實施例的結(jié)構(gòu)，在該第2實施例的磁控管中還配置有環(huán)狀的第3磁 性體。在圖5中，在陽極體3的外周壁的左右分別形成有2個環(huán)狀的槽12a、12b，該2個 環(huán)狀的槽12a、12b與Z軸同軸，槽12a、12b的直徑不同且深度不同，在內(nèi)側(cè)的槽12a中嵌合 配置有第2磁性體14a、14b，在外側(cè)的槽12b中嵌合配置有環(huán)狀的第3磁性體14c、14d。并 且，配置于外側(cè)的直徑較大的第3磁性體14c、14d的厚度(Z軸方向的長度)比第2磁性體 14a、14b的厚度大。另外，上述直徑不同的環(huán)狀磁性體也可以配置3個以上(第4磁性體、 第5磁性體…)，在該情況下，越是配置在外側(cè)的環(huán)狀磁性體厚度越厚。采用上述第2實施例的結(jié)構(gòu)，通過在第2磁性體14a、14b的外側(cè)加設(shè)第3磁性體 14c、14d，能夠更可靠地使磁通密度均勻分布，并且能夠更易于調(diào)整磁通密度的均勻程度。 即、在本發(fā)明中，由于與第1磁性體6a、6b分別獨立地形成第2磁性體14a、14b以及第3磁 性體14c、14d，因此通過適當?shù)剡x擇上述第2以及第3磁性體14a 14d的厚度、數(shù)量、以及 配置位置，能夠獲得可以容易且高效地調(diào)整磁通密度的均勻程度的這一效果。圖6以及圖7表示第3實施例的結(jié)構(gòu)，該第3實施例利用密封構(gòu)件防止第2磁性 體發(fā)生脫落。如圖7的放大圖所示，在第3實施例中，在金屬圓板狀的密封構(gòu)件5a的外周 端的外表面?zhèn)刃纬捎邢蜿枠O體3的環(huán)狀槽12的開口部(入口)伸出的環(huán)狀的突出部 (overhang) 16。該突出部16可以在密封構(gòu)件5a的整個圓周方向上設(shè)置，也可以在圓周方 向的局部設(shè)置幾處。采用上述第3實施例，能夠利用電弧焊接等方法將密封構(gòu)件5a、5b封接在陽極體 3的安裝部(臺階部)上，此時，使密封構(gòu)件5a、5b的突出部16封閉槽12的環(huán)狀開口部的 局部(內(nèi)周側(cè))而使第2磁性體14a、14b成為固定狀態(tài)，由此能夠防止第2磁性體14a、14b 發(fā)生脫落。即、由于環(huán)狀的第2磁性體14a、14b始終受到來自磁體7a、7b的引力而受到被 從槽12中拉出的力，因此容易脫落。在第3實施例中，能夠防止第2磁性體14a、14b受到 來自上述自磁體7a、7b的引力而脫落，從而能夠獲得可靠性高的磁控管。圖8以及圖9表示第4實施例的結(jié)構(gòu)，該第4實施例利用陽極體側(cè)的突出部防止 第2磁性體發(fā)生脫落。如圖9的放大圖所示，在第4實施例中，形成有自陽極體3的環(huán)狀槽12的外周側(cè) 的緣向該槽12的開口部伸出的環(huán)狀的突出部(overhang) 17，該突出部17是通過對環(huán)狀槽 12的外周側(cè)的緣進行鉚接或變形處理、或焊接其他構(gòu)件而形成的，該突出部17可以設(shè)在環(huán) 狀槽12的整個緣上，也可以在圓周方向的局部設(shè)置幾處。另外，該突出部17也可以自環(huán)狀 槽12的內(nèi)周側(cè)的緣向該槽12的開口部伸出地形成。采用上述第4實施例，使設(shè)于環(huán)狀槽12的突出部17密封環(huán)狀槽12的開口部的一 部分(外周側(cè))而使第2磁性體14a、14b成為固定狀態(tài)，由此防止第2磁性體14a、14b發(fā) 生脫落。即、能夠防止第2磁性體14a、14b受到來自磁體7a、7b的引力的作用而逐漸脫落。 另外，該第4實施例也能應用在設(shè)有圖5的第3磁性體14c、14d的情況中。圖10表示上述各實施例所用的第2以及第3磁性體14a 14d的其他例，如圖所 示，在環(huán)狀的第2以及第3磁性體14a 14d中，至少形成有1處切斷部18。優(yōu)選該切斷部 18的寬度為10mm以下，只要該切斷部18的寬度為10mm以下，則環(huán)狀的第2以及第3磁性體14a 14d的實質(zhì)性效果沒有差別。若采用上述第2以及第3磁性體14a 14d的切斷部18，則即使在如第3實施例、 第4實施例那樣預先形成了突出部16、17的情況下，也能一邊撐開切斷部18 —邊容易地將 第2以及第3磁性體14a 14d配置在環(huán)狀槽12內(nèi)。另外，通過對薄板進行彎曲加工，不 用模具等就能制作該切斷部18，因此相比利用放電加工、使用模具沖切厚板的情況，還有利 于節(jié)省成本。另外，在上述各實施例中，使用強磁性金屬的鐵為第1磁性體6a、6b、第2以及第3 磁性體14a 14d，但也可以使用其他各種合金以及化合物來代替使用該鐵。
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權(quán)利要求
一種磁控管，其包括陰極體；陽極體，其具有多個諧振腔，且在該陽極體的內(nèi)部空間的中心軸線上配置有該陰極體；磁鐵，其用于沿與上述陰極體的中心軸線即Z軸平行的方向產(chǎn)生磁場；第1磁性體，其為圓板狀，配置在上述陽極體的內(nèi)部空間的開口側(cè)，且該第1磁性體的直徑小于上述磁鐵的直徑，其特征在于，該磁控管配置有第2磁性體，該第2磁性體是與上述第1磁性體分別獨立地構(gòu)成的環(huán)狀的磁性體，該第2磁性體與Z軸同心地配置在位于比上述磁鐵的前端部靠上述陰極體的Z軸方向中心部側(cè)的位置，且位于上述第1磁性體的徑向外側(cè)，該第2磁性體在Z軸方向上的厚度大于上述第1磁性體在Z軸方向上的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控管，其特征在于，該磁控管還配置有第3磁性體，該第3磁性體是與上述第2磁性體分別獨立地構(gòu)成的 環(huán)狀的磁性體，該第3磁性體與Z軸同心地配置在位于比上述磁鐵的前端部靠上述陰極體 的Z軸方向中心部側(cè)的位置，且位于上述第2磁性體的徑向外側(cè)，該第3磁性體在Z軸方向 上的厚度大于上述第2磁性體在Z軸方向上的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能更加均勻、簡單且高效地調(diào)整磁通密度分布、在高輸出用途中脈沖內(nèi)頻率的穩(wěn)定度極高的磁控管。磁控管(10)包括陰極體(4)；陽極體(3)，其具有多個諧振腔；磁體(7a、7b)，用于與中心軸線即Z軸同軸地形成磁通量；第1磁性體(6a、6b)，其為圓板狀，配置在陽極體的內(nèi)部空間(2)的開口部且直徑比磁體小。該磁控管配置有環(huán)狀的第2磁性體(14a、14b)，其與Z軸同軸地配置在位于比第1磁性體靠Z軸的中心部側(cè)的位置，且位于第1磁性體的徑向外側(cè)，其與第1磁性體獨立，其在Z軸方向上的厚度大于第1磁性體的厚度。利用形成于密封構(gòu)件(5a、5b)等的突出部防止該第2磁性體脫落。
文檔編號H01J25/50GK101882549SQ201010167359
公開日2010年11月10日 申請日期2010年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月8日
發(fā)明者宮本洋之, 梅田昭則 申請人:新日本無線株式會社