本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)可以包括在其中包括的配置為使用電能發(fā)射光的材料。半導(dǎo)體led可以將由接合的半導(dǎo)體的電子和空穴的復(fù)合產(chǎn)生的能量轉(zhuǎn)換成光，并發(fā)射所述光。這樣的led被廣泛地用作照明裝置的光源和用于大型液晶顯示器的背光裝置的光源，并且led的發(fā)展正逐漸地加速。

在一些情形下，led可以被提供為以各種形式封裝的發(fā)光器件從而容易地安裝在應(yīng)用器件中。在這樣的led的封裝工藝中，由于其它組件導(dǎo)致的光損耗或全反射可能導(dǎo)致問題，諸如產(chǎn)品的最終光效率的減小或顏色變化的增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明構(gòu)思的一些方面可以提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件可以通過減少和/或最小化光損失而提高光效率。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件可以包括：半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)芯片、光透射膜、光透射接合層和反射封裝部分。該半導(dǎo)體led芯片可以具有第一表面、在第一表面上的電極、與第一表面相反的第二表面、以及在第一表面和第二表面之間的側(cè)表面。該光透射膜可以在半導(dǎo)體led芯片的第二表面上。該光透射接合層可以在光透射膜和半導(dǎo)體led芯片之間。該光透射接合層可以配置為接合光透射膜至半導(dǎo)體led芯片。該光透射接合層可以包括延伸到半導(dǎo)體led芯片的側(cè)表面以形成傾斜面的側(cè)面傾斜區(qū)域。該反射封裝部分可以圍繞光透射接合層，該反射封裝部分覆蓋半導(dǎo)體led芯片的第一表面以使得所述電極至少部分地從反射封裝部分暴露，反射封裝部分包括反射材料。光透射膜和光透射接合層的至少之一可以包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料配置為將由半導(dǎo)體led芯片發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有與所發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法可以包括：提供光透射膜；在光透射膜上以規(guī)則間距施加處于未固化狀態(tài)的光透射接合樹脂的多個(gè)結(jié)構(gòu)，使得光透射接合樹脂的結(jié)構(gòu)在光透射膜上根據(jù)基本上共同的間距間隔開；在光透射接合樹脂的分離的各個(gè)結(jié)構(gòu)上設(shè)置多個(gè)半導(dǎo)體led芯片，每個(gè)半導(dǎo)體led芯片包括第一表面，在第一表面上定位電極使得對(duì)于設(shè)置在光透射接合樹脂的給定結(jié)構(gòu)上的每個(gè)給定的半導(dǎo)體芯片，所述給定的半導(dǎo)體led芯片的第一表面遠(yuǎn)離光透射膜并且光透射接合樹脂的給定結(jié)構(gòu)的一部分沿著所述給定的半導(dǎo)體led芯片的側(cè)表面延伸；固化光透射接合樹脂的每個(gè)結(jié)構(gòu)的光透射接合樹脂，使得半導(dǎo)體led芯片接合到光透射膜，同時(shí)保持光透射接合樹脂的所述部分在半導(dǎo)體led芯片的側(cè)表面上延伸；以及形成圍繞接合到光透射膜的半導(dǎo)體led芯片的反射封裝部分，反射封裝部分包括反射材料。光透射膜和光透射接合樹脂的至少之一包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料配置為將由一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體led芯片發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有與所發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件可以包括：半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)芯片；在半導(dǎo)體led芯片上的光透射膜；以及在光透射膜和半導(dǎo)體led芯片之間的光透射接合層。光透射膜和光透射接合層的至少之一包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料配置為將由半導(dǎo)體led芯片發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有與所發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體發(fā)光器件可以包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)芯片和在半導(dǎo)體led芯片上的光透射接合層。光透射接合層包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料配置為將由半導(dǎo)體led芯片發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有與所發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同的波長(zhǎng)的光。

附圖說明

本公開的上述和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述而被更清晰地理解，在圖中：

圖1是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；

圖2是圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖；

圖3是圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的局部放大圖；

圖4是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的局部放大圖；

圖5是在圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件中采用的半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)芯片的剖視圖；

圖6是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；

圖7是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖8是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖9是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖10是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖11是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖12是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的至少一部分的剖視圖；

圖13是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；

圖14是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；

圖15是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖；

圖16是在根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件中可使用的半導(dǎo)體led芯片的一示例的剖視圖；

圖17是示意性地示出根據(jù)一些示例實(shí)施方式的背光單元的透視圖；

圖18示出根據(jù)一些示例實(shí)施方式的直下式背光單元；

圖19是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的顯示裝置的分解透視圖；以及

圖20是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的照明裝置的一示例的分解透視圖。

具體實(shí)施方式

在下文，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式。

圖1是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。圖2是圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的平面圖。

參考圖1，根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件30可以包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管(led)芯片20、設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20的表面上的光透射膜32、以及接合半導(dǎo)體led芯片20至光透射膜32的光透射接合層34。

半導(dǎo)體led芯片20可以具有第一表面20a、與第一表面20a相反的第二表面20b、以及設(shè)置在第一表面20a和第二表面20b之間的空間中的至少一個(gè)側(cè)表面20c。第一表面20a可以是在其上可以設(shè)置第一電極29a和第二電極29b的電極形成表面。第二表面20b可以被提供為半導(dǎo)體led芯片20的主光發(fā)射面。

如圖5所示，在一些示例實(shí)施方式中采用的半導(dǎo)體led芯片20可以包括基板21、以及順序地設(shè)置在基板21上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層24、有源層25以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層26。緩沖層22可以設(shè)置在基板21與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層24之間的空間中。

基板21可以是諸如藍(lán)寶石的絕緣基板。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此，除絕緣基板之外，基板21也可以是導(dǎo)電基板或半導(dǎo)體基板。例如，除藍(lán)寶石之外，基板21可以是sic、硅(si)、mgal2o4、mgo、lialo2、ligao2或gan。不平坦的圖案c可以形成在基板21的上表面上。不平坦的圖案c可以增加光提取效率，并且可以提高正生長(zhǎng)的單晶的品質(zhì)。

緩沖層22可以具有inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1)的組分。例如，緩沖層22可以包括gan、aln、algan或ingan。在一些示例實(shí)施方式中，緩沖層22也可以通過組合多個(gè)層或逐漸改變其組分而形成。

第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層24可以是具有n型inxalyga1-x-yn(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)組分的氮化物半導(dǎo)體層，n型雜質(zhì)可以是硅(si)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層24可以包括n型gan。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層26可以是具有p型inxalyga1-x-yn(0≤x<1，0≤y<1，0≤x+y<1)組分的氮化物半導(dǎo)體層，p型雜質(zhì)可以是鎂(mg)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層26可以被實(shí)現(xiàn)為單層結(jié)構(gòu)，但是在一些示例實(shí)施方式中，可以有具有不同組分的多層結(jié)構(gòu)。有源層25可以具有多量子阱(mqw)結(jié)構(gòu)，其中量子阱層和量子勢(shì)壘層交替地層疊在彼此上。例如，量子阱層和量子勢(shì)壘層可以分別包括不同組分的inxalyga1-x-yn(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。在某一示例中，量子阱層可以包括inxga1-xn(0<x≤1)組分，量子勢(shì)壘層可以包括gan或algan。量子阱層和量子勢(shì)壘層的厚度可以分別在從1nm到50nm的范圍。有源層25不限于mqw結(jié)構(gòu)，而是可以具有單量子阱(sqw)結(jié)構(gòu)。

第一電極29a和第二電極29b可以分別設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層24的臺(tái)面蝕刻區(qū)域和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層26上，使得第一電極29a和第二電極29b可以位于相同側(cè)(第一表面)。第一電極29a不限于此，可以包括諸如銀(ag)、鎳(ni)、鋁(al)、鉻(cr)、銠(rh)、鈀(pd)、銥(ir)、釕(ru)、鎂(mg)、鋅(zn)、鉑(pt)或金(au)的材料，并且可以被用作具有單層或兩個(gè)或更多層的結(jié)構(gòu)。如果必要，第二電極29b可以是透明電極，諸如透明的導(dǎo)電氧化物或透明的導(dǎo)電氮化物，或者也可以包括石墨烯。第二電極29b可以包括鋁(al)、金(au)、鉻(cr)、鎳(ni)、鈦(ti)或錫(sn)的至少之一。

光透射接合層34可以至少包括轉(zhuǎn)換由半導(dǎo)體led芯片20發(fā)射的光的波長(zhǎng)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。一些示例實(shí)施方式不僅在光透射接合層34而且在光透射膜32中包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。

具體地，半導(dǎo)體led芯片20可以包括設(shè)置在其上表面上(例如，在第二表面20b上)的光透射膜32。在一些示例實(shí)施方式中采用的光透射膜32可以被提供為包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換膜。在光透射膜32中包括的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以是配置為將由半導(dǎo)體led芯片20發(fā)射的光的一部分轉(zhuǎn)換成具有與所發(fā)射的光的波長(zhǎng)不同的第一波長(zhǎng)的第一光的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1。光透射膜32可以是包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的樹脂層。在一些示例實(shí)施方式中，光透射膜32可以是陶瓷膜，其是由陶瓷磷光體形成(例如至少局部地包含陶瓷磷光體)的燒結(jié)體。例如，光透射膜32可以是包括諸如磷光體或量子點(diǎn)(qd)的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的玻璃層。

光透射膜32可以比半導(dǎo)體led芯片20寬。如圖2中所示，光透射膜32可以具有覆蓋半導(dǎo)體led芯片20的第二表面20b的中心表面區(qū)域以及圍繞中心表面區(qū)域的外部表面區(qū)域，其中外部表面區(qū)域延伸超過第二表面20b。

在一些示例實(shí)施方式中，光透射接合層34可以接合光透射膜32到半導(dǎo)體led芯片20的第二表面20b。除了設(shè)置在光透射膜32與半導(dǎo)體led芯片20之間的空間中的接合區(qū)域34a之外，光透射接合層34還可以具有沿著半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面20c設(shè)置的延伸區(qū)域34b。光透射接合層34可以包括包含第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換接合樹脂。光透射接合樹脂可以包括硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺和苯并環(huán)丁烯的至少之一。第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以是配置為將由半導(dǎo)體led芯片20發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有比第一光的第一波長(zhǎng)短的波長(zhǎng)的第二光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料諸如磷光體或qd。

光透射接合層34的接合區(qū)域34a可以具有厚度t，在該厚度t，光透射膜32可以保持其接合強(qiáng)度。例如，接合區(qū)域34a的厚度t可以取決于光透射接合層34的組分而變化，但是可以至少是15μm。除接合強(qiáng)度之外，接合區(qū)域34a的厚度t也可以根據(jù)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料諸如采用的磷光體的尺寸和量而改變。例如，接合區(qū)域34a的厚度t可以被確定為大于所采用的磷光體的粒度(d50)(例如，5μm至40μm)，并且當(dāng)需要大量磷光體時(shí)，接合區(qū)域34a的厚度t可以增加到甚至大于該粒度。當(dāng)需要大量設(shè)置在接合區(qū)域34a中的磷光體(在接合區(qū)域34a中設(shè)置某些磷光體，諸如紅色磷光體)時(shí)，接合區(qū)域34a的厚度t可以大于或等于50μm。

在一些示例實(shí)施方式中采用的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以根據(jù)轉(zhuǎn)換波長(zhǎng)被分成光透射膜32和光透射接合層34。例如，當(dāng)鄰近半導(dǎo)體led芯片20的光透射接合層34可以包括配置為提供具有相對(duì)長(zhǎng)的波長(zhǎng)的光的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2時(shí)，光透射膜32可以包括配置為提供具有相對(duì)短的波長(zhǎng)的光的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1。

半導(dǎo)體發(fā)光器件30可以發(fā)射白光。在一些示例實(shí)施方式中，半導(dǎo)體led芯片20可以發(fā)射藍(lán)光(例如，具有在大約450nm和大約495nm之間的波長(zhǎng)的光)。例如，半導(dǎo)體led芯片20可以發(fā)射具有從440nm到460nm的主波長(zhǎng)的光。第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1可以是配置為將至少一部分藍(lán)光轉(zhuǎn)換成黃光(例如，具有在大約570nm和大約590nm之間的波長(zhǎng)的光)或綠光(例如，具有在大約495nm和大約570nm之間的波長(zhǎng)的光)的磷光體或qd。第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以是配置為將藍(lán)光的至少一部分轉(zhuǎn)換成黃光或綠光的磷光體或qd。在一些示例實(shí)施方式中，可用的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2將被更詳細(xì)地描述(參考以下的表1)。

在一些示例實(shí)施方式中，在由半導(dǎo)體led芯片20發(fā)射的光可以在其上傳播的路徑中，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以以第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2和第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的順序設(shè)置，并且由第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2轉(zhuǎn)換的具有長(zhǎng)波長(zhǎng)的光因而可以被限制和/或防止吸收到第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1中。在一些示例實(shí)施方式中，由第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1轉(zhuǎn)換的光可以傳播經(jīng)過第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2，因而，具有短波長(zhǎng)的轉(zhuǎn)換后的光可以被吸收到第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2中，同時(shí)所述光的量會(huì)損失。然而，由于光的這樣的再吸收過程將被減少和/或防止，根據(jù)一些示例實(shí)施方式的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2的設(shè)置可以減小光損失。

在一些示例實(shí)施方式中，光透射接合層34可以具有設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20的一個(gè)或更多側(cè)表面20c上的延伸區(qū)域34b。延伸區(qū)域34b可以形成有益于光的提取的傾斜面，使得延伸區(qū)域34b配置為減少半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面的全內(nèi)反射。傾斜面s可以聯(lián)接到反射封裝部分36，使得傾斜面s可以被提供為反射面，因而將半導(dǎo)體發(fā)光器件配置為具有提高的光提取效率。

如圖1和3中所示，延伸區(qū)域34b的寬度可以變得在朝向光透射膜32的方向上變大。延伸區(qū)域34b的表面形狀可以根據(jù)用于光透射接合層34的非固化樹脂的粘性或量而變化(參考圖8和9)。

在一些示例實(shí)施方式中，包含在至少圖1和圖3中示出的示例實(shí)施方式，延伸區(qū)域34b的傾斜面s可以具有凹入的曲面。例如，凹入的曲面可以具有彎月面形狀，并且可以在接合樹脂具有相對(duì)低粘度時(shí)實(shí)現(xiàn)。在另一示例中，如果和/或當(dāng)接合樹脂的粘性相對(duì)較高時(shí)，如圖4所示，光透射接合層34的延伸區(qū)域34b'可以具有凸起的曲面s'。因而，延伸區(qū)域34b的傾斜面可以具有各種形式的曲面。

本發(fā)明構(gòu)思不限于此，并且延伸區(qū)域34b的傾斜面s可以具有相對(duì)于半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面的大約45°或以下的傾斜角。

形成(例如，至少局部地包含)光透射接合層34的光透射樹脂可以配置為通過適當(dāng)選擇的折射率而允許與被期望的半導(dǎo)體發(fā)光器件30有關(guān)的光提取效率的額外增加。例如，光透射樹脂可以是具有從1.38到1.8的折射率的硅樹脂。

如圖1和2所示，圍繞光透射接合層34的反射封裝部分36可以設(shè)置在光透射膜32下面。光透射接合層34和反射封裝部分36之間的界面可以作為反射面起作用，并且反射面可以由傾斜面s限定。反射面可以有效地引導(dǎo)光到光透射膜32(表示為“r”)。反射封裝部分36可以由包含反射粉末的光透射樹脂形成。反射粉末可以是白色陶瓷粉末或白色金屬粉末。例如，白色陶瓷粉末可以包括從由tio2、al2o3、nb2o5和zno組成的組選擇的至少之一。白色金屬粉末可以包括諸如鋁(al)或銀(ag)的材料。

在一些示例實(shí)施方式中采用的光透射接合層34可以提供有益于光提取的延伸區(qū)域34b，并且可以包括諸如磷光體的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。因而，進(jìn)入光透射接合層34的內(nèi)部的光可以再次有效地離開它。

在一些示例實(shí)施方式中，反射封裝部分36可以圍繞光透射接合層34并且可以覆蓋半導(dǎo)體led芯片20的第一表面20a。為了配置為確保電連接，第一電極29a和第二電極29b可以至少局部地暴露、暴露和/或基本上暴露(例如，在制造公差和/或材料容限內(nèi)暴露)而沒有被覆蓋。因而，反射封裝部分36甚至可以引導(dǎo)發(fā)射到半導(dǎo)體發(fā)光器件30的下表面的光以在期望方向上發(fā)出。

在一些示例實(shí)施方式中，可以進(jìn)一步包含設(shè)置在第一電極29a和第二電極29b上的第一導(dǎo)電凸塊15a和第二導(dǎo)電凸塊15b。反射封裝部分36可以與第一導(dǎo)電凸塊15a和第二導(dǎo)電凸塊15b基本上共面(例如，在制造公差和/或材料容限內(nèi)共面)。反射封裝部分36的側(cè)表面可以與光透射膜32的側(cè)表面共面或基本上共面。

圖6是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。

參考圖6，根據(jù)一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件30可以被示為安裝在封裝基板10上。

半導(dǎo)體發(fā)光器件30可以以倒裝芯片方式安裝在封裝基板10上。封裝基板10的第一和第二布線電極12a和12b可以使用第一導(dǎo)電凸塊15a和第二導(dǎo)電凸塊15b連接到半導(dǎo)體led芯片20的第一電極29a和第二電極29b。

在一些示例實(shí)施方式中，沿著半導(dǎo)體led芯片20配置為在其上發(fā)射光的路徑，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以以第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2和第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的順序設(shè)置，使得第一和第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料共同地配置為限制和/或防止由第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2轉(zhuǎn)換的具有長(zhǎng)波長(zhǎng)的光吸收到第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1中。反射封裝部分36可以圍繞光透射接合層34的延伸區(qū)域34b。反射封裝部分36可以覆蓋半導(dǎo)體led芯片20的第一表面20a，使得半導(dǎo)體發(fā)光器件30配置為有效地發(fā)射來自led芯片20的光到光透射膜32。

圖7至12是制造圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的工藝的剖視圖。

如圖7所示，光透射膜32可以設(shè)置在支撐物11上。在一些示例實(shí)施方式中，支撐物11包括基板。光透射膜32可以包括配置為將由半導(dǎo)體led芯片發(fā)射的光的一部分轉(zhuǎn)換成具有不同于所發(fā)射的光的波長(zhǎng)的第一波長(zhǎng)的第一光的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1。例如，第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1可以是黃色或綠色磷光體。

光透射膜32可以以各種形式提供。例如，光透射膜32可以是包括第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的樹脂層。在一些示例實(shí)施方式中，光透射膜32可以是由陶瓷磷光體形成的膜式燒結(jié)體。在某一示例中，光透射膜32可以是包括諸如磷光體或qd的第一波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1的玻璃層。玻璃層可以包括在低溫(例如，400℃或以下)燒制的玻璃。光透射膜34可以具有足夠的面積使得分離的裝置可以具有比半導(dǎo)體led芯片20的面積大的面積。

如圖8所示，包括非固化狀態(tài)的第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2的接合樹脂34'的分離結(jié)構(gòu)(instance)可以應(yīng)用于光透射膜32。如進(jìn)一步示出的，分離結(jié)構(gòu)可以根據(jù)間距95間隔開。在接合樹脂34'的分離結(jié)構(gòu)之間的間距95可以是基本上共同的間距95。

施加工藝可以允許使用半導(dǎo)體led芯片并且允許期望的半導(dǎo)體發(fā)光器件以規(guī)則間距設(shè)置。第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以是配置為將由半導(dǎo)體led芯片20發(fā)射的光轉(zhuǎn)換成具有比第一光的波長(zhǎng)短的波長(zhǎng)的第二光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，諸如磷光體或qd。例如，第二波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以是紅色磷光體。非固化狀態(tài)的接合樹脂34'可以包括從由硅樹脂、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺或苯并環(huán)丁烯組成的組選擇的至少之一。接合樹脂34'可以處于非固化狀態(tài)，并因而可以通過表面張力而以液滴形式提供，如圖8所示。

如圖9所示，多個(gè)半導(dǎo)體led芯片20可以設(shè)置在接合樹脂34'上。如圖9所示，半導(dǎo)體led芯片20可以設(shè)置在接合樹脂34'的分離的各個(gè)結(jié)構(gòu)上。半導(dǎo)體led芯片20可以均具有在其上定位一個(gè)或更多電極29a和29b的表面20a，半導(dǎo)體led芯片20可以設(shè)置在接合樹脂的分離的各個(gè)結(jié)構(gòu)上，使得各個(gè)半導(dǎo)體led芯片20的表面20a遠(yuǎn)離光透射膜32。

在設(shè)置工藝之后，與保持其延伸區(qū)域34b在半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面上延伸的同時(shí)，接合樹脂34'可以被固化以形成光透射接合層34。光透射接合層34可以接合半導(dǎo)體led芯片20的第二表面20b至光透射膜32。在固化工藝之前的沉積工藝中，非固化的接合樹脂34'可以沿著半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面上升，除了用于接合工藝的接合樹脂34'的量之外。根據(jù)該本發(fā)明構(gòu)思的這個(gè)方面，接合樹脂34'的上升程度和表面形狀可以使用接合樹脂34'的粘性和量調(diào)整。接合樹脂34'的粘性可以通過增加觸變劑而被控制。例如，觸變劑可以是二氧化硅顆粒。

結(jié)果，光透射接合層34可以具有設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面上的延伸區(qū)域34b以及設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20與光透射膜32之間的空間中的接合區(qū)域34a。此外，設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20的側(cè)表面上的延伸區(qū)域34b可以具有傾斜面s。傾斜面s可以具有通過非固化狀態(tài)(例如彎月面形狀)的接合樹脂形成的凹面。

如圖10所示，第一導(dǎo)電凸塊15a'和第二導(dǎo)電凸塊15b'可以形成在每個(gè)半導(dǎo)體led芯片20的第一電極29a和第二電極29b上，并且可以施加封裝樹脂36'。

封裝樹脂36'可以由包含反射粉末的光透射樹脂形成。反射粉末可以是白色陶瓷粉末或白色金屬粉末。例如，白色陶瓷粉末可以包括從由tio2、al2o3、nb2o5和zno組成的組選擇的至少之一。白色金屬粉末可以包括諸如鋁(al)或銀(ag)的材料。封裝樹脂36'和光透射接合層34之間的界面可以提供為引導(dǎo)光到光透射膜32的反射面。

封裝樹脂36'可以被施加為具有高度h1，在該高度h1，第一和第二導(dǎo)電凸塊15a'和15b'可以被封裝樹脂36'覆蓋。

隨后，封裝樹脂36'可以被固化，如圖11所示，可以被拋光91從而去除封裝樹脂36的上部分36”以及電極15a和15b的上部分15a'和15b'。拋光91可以至少局部地暴露第一導(dǎo)電凸塊15a和第二導(dǎo)電凸塊15b的每個(gè)的表面。第一導(dǎo)電凸塊15a和第二導(dǎo)電凸塊15b的每個(gè)的至少局部暴露的表面“e”可以被提供作為在后續(xù)安裝工藝中的接合區(qū)域(參考圖6)。如果必要，可以添加接合金屬。在拋光工藝中，封裝樹脂36'可以被提供為具有相對(duì)低的高度h2以形成反射部分36。

隨后，如圖12所示，以這樣的方式獲得的產(chǎn)品可以被切割(“分割”)92以使半導(dǎo)體led芯片20彼此分離，從而形成(“提供”)圖1中示出的分離的半導(dǎo)體發(fā)光器件30。分割92可以包括分割92光透射膜32、支撐物11、光透射接合層34和反射部分36的至少之一以形成分離的半導(dǎo)體發(fā)光器件30。

半導(dǎo)體發(fā)光器件30的被切割的側(cè)表面可以與光透射膜32和反射封裝部分36基本上共面。光透射接合層34可以在側(cè)表面上不暴露。

圖13是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。

圖13中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30a可以被理解為類似于圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30，除了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p的設(shè)置之外。根據(jù)一些示例實(shí)施方式的組件可以參考圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30的相同或類似組件的描述被理解，除非另作說明。

在一些示例實(shí)施方式中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p可以僅設(shè)置在光透射接合層34中而不在光透射膜32'中。半導(dǎo)體led芯片20可以是藍(lán)色或紫外(uv)led芯片。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p可以是黃色磷光體。

圖14是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。

在圖14中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30b可以被理解為類似于圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30，除了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p的設(shè)置和光分散材料d的添加之外。根據(jù)一些示例實(shí)施方式的組件可以參考圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30的相同或類似組件的描述被理解，除非另作說明。

在一些示例實(shí)施方式中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p可以僅設(shè)置在光透射膜32中。半導(dǎo)體led芯片20可以是藍(lán)色或uvled芯片(例如，配置為發(fā)射藍(lán)光或紫外線的led芯片)，并且波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p可以是黃色磷光體。代替波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料，在一些示例實(shí)施方式中采用的光透射接合層34”可以包括光分散材料d。光分散材料d可以包括具有與光透射接合樹脂的折射率不同的折射率的顆粒，并且可以是例如sio2(n＝1.45)、tio2(n＝1.48)和al2o3(n＝2.73)的至少之一。在一些示例實(shí)施方式中，光分散材料d可以與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料一起設(shè)置。例如，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以與光分散材料d一起設(shè)置在光透射接合層34"中。

圖15是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件的剖視圖。

圖15中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30c可以被理解為類似于圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30，除了波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和p1'的設(shè)置以及反射封裝部分36'的形狀之外。根據(jù)一些示例實(shí)施方式的組件可以參考圖1中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件30的相同或類似組件的描述被理解，除非另作說明。

半導(dǎo)體led芯片20可以是藍(lán)色或uvled芯片。在一些示例實(shí)施方式中采用的光透射膜32'可以包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和p1'。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p1和p1'可以分別是綠色和黃色磷光體。在這種情形下，在光透射接合層34中包括的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料p2可以是具有長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅色磷光體。

在一些示例實(shí)施方式中，反射封裝部分36'可以設(shè)置在半導(dǎo)體led芯片20的第二表面20b上使得半導(dǎo)體led芯片20的第一電極29a和第二電極29b可以在第一導(dǎo)電凸塊25a和第二導(dǎo)電凸塊25b的形成之前至少局部地暴露。例如，反射封裝部分36'可以形成在半導(dǎo)體led芯片20的第二表面上，并且可以形成第一和第二導(dǎo)電凸塊25a和25b，然后通過拋光工藝至少局部地暴露第一電極29a和第二電極29b。

在一些示例實(shí)施方式中可使用的半導(dǎo)體led芯片不限于在圖3中示出的結(jié)構(gòu)，并且可以使用具有諸如倒裝芯片接合結(jié)構(gòu)等各種不同結(jié)構(gòu)的芯片。圖16是在圖1和圖13至15中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件中可使用的半導(dǎo)體led芯片的另一示例的剖視圖。

圖16是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施方式的可使用的半導(dǎo)體led芯片的一示例的剖視圖。

參考圖16，半導(dǎo)體led芯片400可以包括形成在基板401上的半導(dǎo)體疊層410。半導(dǎo)體疊層410可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414、有源層415和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層416。

半導(dǎo)體led芯片400可以包括分別連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層416的第一電極422和第二電極424。第一電極422可以包括諸如導(dǎo)電通路的連接電極部分422a以及連接到連接電極部分422a的第一電極墊422b，該連接電極部分422a穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層416和有源層415從而連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414。連接電極部分422a可以被絕緣部分421圍繞，從而與有源層415和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層416電分離。連接電極部分422a可以設(shè)置在半導(dǎo)體疊層410從其被蝕刻的區(qū)域中。連接電極部分422a可以在數(shù)量、形狀、節(jié)距或與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414的接觸面積方面被適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)，從而可以減小接觸電阻。此外，連接電極部分422a可以布置為在半導(dǎo)體疊層410上形成行和列以提高電流流動(dòng)。第二電極424可以包括在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層416上的歐姆接觸層424a和第二電極墊424b。

連接電極部分422a和歐姆接觸層424a可以具有由具有歐姆特性的導(dǎo)電材料形成的單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，連接電極部分422a和歐姆接觸層424a可以使用沉積或?yàn)R射諸如銀(ag)、鋁(al)、鎳(ni)，鉻(cr)或透明導(dǎo)電氧化物(tco)的至少一種材料的工藝形成。

第一電極墊422b和第二電極墊424b可以分別連接到連接電極部分422a和歐姆接觸層424a，以作為半導(dǎo)體led芯片400的外部端子起作用。例如，第一電極墊422b和第二電極墊424b可以包括金(au)、銀(ag)、鋁(al)、鈦(ti)、鎢(w)、銅(cu)、錫(sn)、鎳(ni)、鉑(pt)、鉻(cr)、nisn、tiw、ausn或其低共熔金屬。

第一電極422和第二電極424可以在相同方向上關(guān)于彼此設(shè)置，并且可以以所謂的倒裝芯片形式安裝在引線框架等上。

此外，兩個(gè)第一和第二電極422和424可以通過絕緣部分421彼此電分離。絕緣部分421可以是具有電絕緣特性的任何材料或具有電絕緣特性的任何物體，但是材料具有低的光吸收。例如，可以使用諸如sio2、sioxny或sixny的硅氧化物或硅氮化物。如果必要，可以通過在光透射材料中分散光反射粉末而形成光反射結(jié)構(gòu)。在一些示例實(shí)施方式中，絕緣部分421可以具有其中具有不同折射率的多個(gè)絕緣膜交替地層疊的多層反射結(jié)構(gòu)。例如，該多層反射結(jié)構(gòu)可以是其中具有第一折射率的第一絕緣膜和具有第二折射率的第二絕緣膜交替地層疊的分布布喇格反射器(dbr)。

該多層反射結(jié)構(gòu)可以有具有不同折射率并且重復(fù)地層疊2到100次的絕緣膜。例如，絕緣膜可以重復(fù)地層疊3到70次，并且進(jìn)一步地，層疊4到50次。在所述多層反射結(jié)構(gòu)中包括的每個(gè)絕緣膜可以是氧化物或氮化物，諸如sio2、sin、sioxny、tio2、si3n4、al2o3、tin、aln、zro2、tialn或tisin或其組合。例如，當(dāng)由有源層415產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)被定義為λ，并且n被定義為相應(yīng)層的折射率時(shí)，第一和第二絕緣膜的每個(gè)可以具有λ/4n的厚度，例如大約至大約的厚度。在這種情形下，所述多層反射結(jié)構(gòu)可以通過分別選擇第一和第二絕緣膜的折射率和厚度而被設(shè)計(jì)為對(duì)于由有源層415產(chǎn)生的光的波長(zhǎng)具有高反射率(例如95％或更多)。

第一和第二絕緣膜的折射率可以被確定為大約1.4至大約2.5，并且可以小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414的折射率和基板401的折射率，但是可以大于基板401的折射率，同時(shí)還小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層414的折射率。

如以上闡述的，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施方式，當(dāng)采用兩種或更多種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料時(shí)，對(duì)于具有長(zhǎng)波長(zhǎng)的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以設(shè)置在用于具有短波長(zhǎng)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料前面，以限制和/或防止轉(zhuǎn)換后的短波長(zhǎng)光的損失，因而增加亮度。

此外，半導(dǎo)體led芯片的側(cè)表面配置為傾斜，從而減少由半導(dǎo)體led芯片重復(fù)接收的光的量，因而降低由于全反射引起的光損失。

圖17、18和19示出根據(jù)一些示例實(shí)施方式的背光單元。

圖17是示意性地示出根據(jù)一些示例實(shí)施方式的背光單元的透視圖。

參考圖17，背光單元2000可以包括導(dǎo)光板2040和設(shè)置在導(dǎo)光板2040的兩側(cè)的光源模塊2010。此外，背光單元2000還可以包括設(shè)置在導(dǎo)光板2040下面的反射器2020。根據(jù)示例實(shí)施方式的背光單元2000可以是邊緣型背光單元。

在一些示例實(shí)施方式中，光源模塊2010可以提供在導(dǎo)光板2040的僅一側(cè)，或另外提供到導(dǎo)光板2040的另一側(cè)。光源模塊2010可以包括pcb2001和安裝在pcb2001上的多個(gè)光源2005。這里，所述多個(gè)光源2005可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件30至30c。

圖18示出根據(jù)一些示例實(shí)施方式的直下式背光單元。

參考圖18，背光單元2100可以包括光擴(kuò)散板2140和設(shè)置在光擴(kuò)散板2140下面的光源模塊2110。此外，背光單元2100還可以包括設(shè)置在光擴(kuò)散板2140下面并且容納光源模塊2110的底殼2160。根據(jù)示例實(shí)施方式的背光單元2100可以是直下式背光單元。

光源模塊2110可以包括pcb2101和安裝在pcb2101上的多個(gè)光源2105。這里，所述多個(gè)光源2105可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的不同示例實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光器件30至30c。

圖19是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的顯示裝置的分解透視圖。

參考圖19，顯示裝置3000可以包括背光單元3100、光學(xué)片3200或諸如液晶面板的圖像顯示面板3300。

背光單元3100可以包括底殼3110、反射器3120、導(dǎo)光板3140以及設(shè)置在導(dǎo)光板3140的至少一側(cè)的光源模塊3130。光源模塊3130可以包括pcb3131和光源3132。具體地，光源3132可以是安裝在鄰近發(fā)光面一側(cè)的側(cè)視型光發(fā)射器件。光源3132可以包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個(gè)示例實(shí)施方式的一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件。例如，一個(gè)或更多個(gè)光源3132可以包括一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件30、30a、30b和30c。

光學(xué)片3200可以設(shè)置在導(dǎo)光板3140和圖像顯示面板3300之間，并且可以包括各種類型的片，諸如擴(kuò)散片、棱鏡片或保護(hù)片。

圖像顯示面板3300可以使用從光學(xué)片3200發(fā)出的光顯示圖像。圖像顯示面板3300可以包括陣列基板3320、液晶膜3330和濾色器基板3340。陣列基板3320可以包括布置成矩陣形式的像素電極、用于施加驅(qū)動(dòng)電壓到像素電極的薄膜晶體管、以及用于操作薄膜晶體管的信號(hào)線。濾色器基板3340可以包括透明基板、濾色器和公共電極。濾色器可以包括選擇性地透射從背光單元3100發(fā)出的白光中具有特定波長(zhǎng)的光的過濾器。液晶膜3330可以通過形成在像素電極和公共電極之間的電場(chǎng)重新排列以調(diào)整透光率。具有調(diào)整后的透光率的光可以穿過濾色器基板3340的濾色器以顯示圖像。圖像顯示面板3300還可以包括處理圖像信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路單元。

在根據(jù)一些示例實(shí)施方式的顯示裝置3000中，因?yàn)楣庠?132發(fā)射具有相對(duì)窄fwhm的藍(lán)光、綠光和紅光，所以具有相對(duì)高的色純度的藍(lán)色、綠色和紅色可以在所發(fā)射的光穿過濾色器基板3340之后實(shí)現(xiàn)。

圖20是根據(jù)一些示例實(shí)施方式的照明裝置的一示例的分解透視圖。

參考圖20，照明裝置4300可以包括燈座4210、電源單元4220、散熱單元4230、光源單元4240和光學(xué)單元4330。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)示例實(shí)施方式，光源單元4240可以包括基板4242、安裝在基板4242上的多個(gè)光源模塊4241、以及控制器4243?？刂破?243可以在其中存儲(chǔ)所述多個(gè)光源模塊4241的驅(qū)動(dòng)信息。

照明裝置4300可以包括設(shè)置在光源單元4240上的反射板4310，并且反射板4310允許來自光源單元4240的光朝向側(cè)表面和后部均勻地分散，由此可以減少眩光。

通信模塊4320可以安裝在反射板4310的上部分上，并且本地網(wǎng)絡(luò)通信可以通過通信模塊4320實(shí)現(xiàn)。例如，通信模塊4320可以是使用wi-fi或li-fi的無線通信模塊，并且可以通過智能手機(jī)或無線控制器控制安裝在室內(nèi)或室外的照明裝置的照明，諸如開/關(guān)操作、亮度調(diào)整等。此外，位于室內(nèi)或室外的電子產(chǎn)品系統(tǒng)，諸如tv、冰箱、空調(diào)、門鎖等以及車輛，可以通過使用具有安裝在室內(nèi)或室外的照明裝置的可見光波長(zhǎng)的光而用li-fi通信模塊被控制。

反射板4310和通信模塊4320可以被光學(xué)單元4330覆蓋。

燈座4210可以配置為代替現(xiàn)有的照明裝置。供給到照明裝置4300的電能可以通過燈座4210施加。如所示出的，電源單元4220可以包括彼此分離并彼此聯(lián)接的第一電源單元4221和第二電源單元4222。散熱單元4230可以包括內(nèi)部散熱部分4231和外部散熱部分4232。內(nèi)部散熱單元4231可以直接連接到光源單元4240和/或電源單元4220，通過該內(nèi)部散熱部分4231，熱可以被傳遞到外部散熱部分4232。

光學(xué)單元4330可以包括內(nèi)部光學(xué)單元(未示出)和外部光學(xué)單元(未示出)，并且可以配置為使得從光源單元4240發(fā)出的光可以均勻地分散。

光源單元4240的多個(gè)光源模塊4241可以從電源單元4220接收電能并且然后發(fā)射光到光學(xué)單元4330。光源模塊4241可以包括基板、黑矩陣、以及可以是根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的各個(gè)示例實(shí)施方式的一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件30、30a、30b和30c。

雖然示例實(shí)施方式已經(jīng)在以上被顯示和描述，但是對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，明顯的是，可以在不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍的情況下進(jìn)行變形和變化。

本申請(qǐng)要求享有2016年4月25日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0050215號(hào)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，其公開通過引用被整體合并于此。