技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
用于接合需要在接合的晶片之間并且跨越接合邊界轉(zhuǎn)移電和光學(xué)信號(hào)的半導(dǎo)體晶片的方法。用于半導(dǎo)體晶片的接合的方法包含在晶片接合邊界內(nèi)形成電和光學(xué)互連通孔以在接合的晶片之間轉(zhuǎn)移電和光學(xué)信號(hào)。使用許多金屬柱跨越接合表面形成電通孔，每個(gè)金屬柱由跨越接合表面融合的多個(gè)金屬層構(gòu)成。使用許多光波導(dǎo)跨越接合表面形成光通孔，每個(gè)光波導(dǎo)由跨越接合邊界融合的介電材料構(gòu)成并且具有比接合的晶片之間的介電中間接合層的折射率高的折射率。電和光學(xué)通孔跨越接合的晶片之間的接合表面散步以實(shí)現(xiàn)電和光學(xué)信號(hào)兩者在接合的晶片之間的一致轉(zhuǎn)移。

技術(shù)研發(fā)人員：H.S.埃爾-霍羅里;莊奇理;K.亞達(dá)瓦利;范謙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：奧斯坦多科技公司
技術(shù)研發(fā)日：2012.05.04
技術(shù)公布日：2017.07.07