技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種銅銅鍵合制作通道型標(biāo)準(zhǔn)漏孔的方法，包括以下步驟：利用氧等離子體對清潔后的硅片基底進(jìn)行轟擊處理；在硅片基底表面旋涂一層AZ?5530光刻膠，曝光顯影后，在光刻膠表面形成矩形溝槽結(jié)構(gòu)；利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)光刻膠圖形向硅片基底轉(zhuǎn)移；利用激光加工技術(shù)將硅片基底切割成一矩形，并利用磁控濺射鍍膜在硅片基底上沉積一層銅膜；另取直徑48.75mm的銅板，其上加工出矩形凸臺，并在凸臺表面加工出一個(gè)直徑6mm的通孔，并對銅板表面進(jìn)行預(yù)處理；將硅片基底和銅板放入鍵合機(jī)中，利用銅銅鍵合實(shí)現(xiàn)二者的封接，完成標(biāo)準(zhǔn)漏孔的制作。本發(fā)明制得的標(biāo)準(zhǔn)漏孔尺寸可控，本底漏率低，能夠?qū)崿F(xiàn)寬壓強(qiáng)范圍內(nèi)的氣體分子流傳輸。

技術(shù)研發(fā)人員：王旭迪;寇鈺;魏本猛;尉偉;趙永恒;朱愛青
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥工業(yè)大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.11
技術(shù)公布日：2017.07.25