本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種垂直tfet及其制造方法。

背景技術(shù)：

為了提高集成度，小尺寸是半導(dǎo)體器件的主要發(fā)展方向之一。然而常規(guī)mos器件已經(jīng)接近微縮的極限。目前推動器件進一步微縮主要從以下兩方面入手：一是，改善器件的結(jié)構(gòu)，如納米線、隧穿晶體管結(jié)構(gòu)(tfet)等；二是，改變溝道材料，如鍺、三五族或采用二維材料，其中，二維材料由于沒有懸掛鍵可以制備較好的界面以及較薄的厚度，能極好的控制短溝道效應(yīng)而逐漸受到人們的重視。

但是，目前二維材料器件的集成密度較差，不利于大規(guī)模應(yīng)用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明通過提供一種垂直tfet及其制造方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中二維材料器件的集成密度較差，不利于大規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)問題。

一方面，為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實施例提供了如下技術(shù)方案：

一種垂直tfet的制造方法，、包括：

形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層；

在所述絕緣介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第一柵極側(cè)墻，并沉積第一柵介質(zhì)層；

在所述第一柵介質(zhì)層上沉積二維材料層形成溝道區(qū)；

在所述二維材料層上沉積第二柵介質(zhì)層，并在所述第二柵介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第二柵極側(cè)墻；

刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。

可選的，所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：沉積絕緣介質(zhì)層；光刻所述絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)。

可選的，所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：依次沉積第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層；以所述第一絕緣介質(zhì)層作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔離介質(zhì)與所述第二隔離介質(zhì)為不同材料。

可選的，所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：依次沉積第一絕緣介質(zhì)層、薄層材料和第二絕緣介質(zhì)層；以所述薄層材料作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)，其中，所述第一絕緣介質(zhì)與所述第二絕緣介質(zhì)為不同材料或相同材料。

可選的，所述絕緣介質(zhì)為sin、si3n4、sio2或sico。

可選的，所述在所述第一柵介質(zhì)層上沉積二維材料層形成溝道區(qū)，包括：依次在所述第一柵介質(zhì)層上沉積第一二維材料層和第二二維材料層形成溝道區(qū)。

可選的，所述第一二維材料層和所述第二二維材料層的摻雜類型不同，其中，所述第一二維材料層與所述源極接觸；所述所述第二二維材料層與所述漏極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；或者所述第一二維材料層與所述漏極接觸；所述所述第二二維材料層與所述源極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同。

可選的，所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)被刻蝕為不同摻雜類型的單層二維材料層。

可選的，所述刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極，包括：刻蝕所述臺階結(jié)構(gòu)上位于所述臺階側(cè)壁兩側(cè)的第二柵介質(zhì)層；采用lift-off工藝，在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。

另一方面，提供一種垂直tfet，包括：

臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層；

位于所述絕緣介質(zhì)層的臺階側(cè)壁的第一柵極和第二柵極，所述第一柵極包括第一柵極側(cè)墻和第一柵介質(zhì)層，所述第二柵極包括第二柵極側(cè)墻和第二柵介質(zhì)層；

位于所述第一柵極介質(zhì)層和所述第二柵極介質(zhì)層之間的二維材料層，作為所述垂直tfet的溝道區(qū)；

分別位于所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)的源極和漏極，所述源極和所述漏極與所述溝道區(qū)連接的。

可選的，所述絕緣介質(zhì)層為單一材料的介質(zhì)層。

可選的，所述絕緣介質(zhì)層包括：第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層；所述第一絕緣介質(zhì)層為所述臺階結(jié)構(gòu)的底層，所述第二絕緣介質(zhì)層為所述臺階側(cè)壁和臺階頂層；其中，所述第一隔離介質(zhì)和所述第二隔離介質(zhì)為不同材料。

可選的，所述隔離介質(zhì)包括：第一絕緣介質(zhì)層、薄層材料和第二絕緣介質(zhì)層；所述第一絕緣介質(zhì)層和所述薄層材料為所述臺階結(jié)構(gòu)的底層，所述第二絕緣介質(zhì)層為所述臺階側(cè)壁和臺階頂層；其中，所述第一絕緣介質(zhì)與所述第二絕緣介質(zhì)為不同材料或相同材料。

可選的，所述絕緣介質(zhì)為sin、si3n4、sio2或sico。

可選的，所述二維材料層包括：第一二維材料層和第二二維材料層，其中，所述第一二維材料層和所述第二二維材料層為不同材料。

可選的，所述第一二維材料層和所述第二二維材料層的摻雜類型不同，其中，所述第一二維材料層與所述源極接觸；所述所述第二二維材料層與所述漏極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；或者所述第一二維材料層與所述漏極接觸；所述所述第二二維材料層與所述源極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同。

可選的，所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)被刻蝕為不同摻雜類型的單層二維材料層。

可選的，所述源極和所述漏極均為采用lift-off工藝形成的源極和漏極。

本申請實施例中提供的一個或多個技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：

本申請實施例提供的垂直tfet及其制造方法，設(shè)置絕緣介質(zhì)層為臺階結(jié)構(gòu)，并在臺階處設(shè)置柵和二維材料溝道，使得二維材料制備的溝道的溝道方向為豎直方向，也即溝道長度由臺階結(jié)構(gòu)的高度決定。在相同柵極寬度的前提下，可以制備不同柵長的器件，不會因為柵長要求導(dǎo)致器件整體增長，能大大提高tfet器件的集成密度。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請實施例中垂直tfet的制造方法的流程圖；

圖2為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖一；

圖3為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖二；

圖4為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖三；

圖5為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖四；

圖6為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖五；

圖7為本申請實施例中制造垂直tfet的工藝流程圖六；

具體實施方式

本申請實施例通過提供一種垂直tfet及其制造方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中二維材料器件的集成密度較差，不利于大規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)問題。實現(xiàn)了大大提高tfet器件的集成密度的技術(shù)效果。

為解決上述技術(shù)問題，本申請實施例提供技術(shù)方案的總體思路如下：

本申請?zhí)峁┮环N垂直tfet的制造方法，包括：

形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層；

在所述絕緣介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第一柵極側(cè)墻，并沉積第一柵介質(zhì)層；

在所述第一柵介質(zhì)層上沉積二維材料層形成溝道區(qū)；

在所述二維材料層上沉積第二柵介質(zhì)層，并在所述第二柵介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第二柵極側(cè)墻；

刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。

此外為了實現(xiàn)器件的良好性能，還可設(shè)置二維材料層包括第一二維材料層和第二二維材料層，所述第一二維材料層與所述第二二維材料層的摻雜類型不相同，位于上方的第二二維材料層的摻雜類型與漏極的摻雜類型相同，以更好實現(xiàn)tfet的功能。

本申請實施例提供的垂直tfet及其制造方法，設(shè)置絕緣介質(zhì)層為臺階結(jié)構(gòu)，并在臺階處設(shè)置柵和二維材料溝道，使得二維材料制備的溝道的溝道方向為豎直方向，也即溝道長度由臺階結(jié)構(gòu)的高度決定。在相同柵極寬度的前提下，可以制備不同柵長的器件，不會因為柵長要求導(dǎo)致器件整體增長，能大大提高tfet器件的集成密度。

為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合具體的實施方式對上述技術(shù)方案進行詳細說明，應(yīng)當理解本發(fā)明實施例以及實施例中的具體特征是對本申請技術(shù)方案的詳細的說明，而不是對本申請技術(shù)方案的限定，在不沖突的情況下，本申請實施例以及實施例中的技術(shù)特征可以相互組合。

實施例一

在本實施例中，提供了一種垂直tfet的制造方法，如圖1所示，所述方法包括：

步驟s101，形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層；

步驟s102，在所述絕緣介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第一柵極側(cè)墻，并沉積第一柵介質(zhì)層；

步驟s103，在所述第一柵介質(zhì)層上沉積二維材料層形成溝道區(qū)；

步驟s104，在所述二維材料層上沉積第二柵介質(zhì)層，并在所述第二柵介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第二柵極側(cè)墻；

步驟s105，刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。

在本申請實施例中，所述絕緣介質(zhì)層可以為sin、si3n4、sio2或sico等，在此不作限制。

在本申請實施例中，所述二維材料是指電子僅可在兩個維度的非納米尺度上自由運動的材料，如納米薄膜、超晶格、量子阱、石墨烯、氮化硼或二硫化鉬等。

下面，結(jié)合圖1-7來詳細介紹本申請?zhí)峁┓椒ǖ脑敿毑襟E，其中，圖2-圖7依次為制造tfet的過程中由先至后的工藝步驟圖：

首先，執(zhí)行步驟s101，如圖2所示，形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層。

在具體實施過程中，所述絕緣介質(zhì)層1的厚度大約為260nm-300nm。所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階高度h由需要制備的tfet器件的溝道長度決定。當然，在具體實施過程中，各層厚度不限于上述范圍，可以成比例增加或減少。

在本申請實施例中，制備所述臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層1的方法，至少包括以下三種：

第一種，由單一絕緣介質(zhì)制備。

即所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：

沉積絕緣介質(zhì)層；

光刻所述絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)。

具體來講，如圖2所示，即通過先沉積某種單一絕緣材料，再對沉積的材料進行光刻并刻蝕形成臺階結(jié)構(gòu)，在具體實施過程中，可以選擇干法或濕法刻蝕，在此不作限制。

第二種，由兩種絕緣介質(zhì)制備。

即所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：

依次沉積第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層；

以所述第一絕緣介質(zhì)層作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔離介質(zhì)與所述第二隔離介質(zhì)為不同材料。

具體來講，即可以先沉積某種絕緣材料，再沉積另外一種絕緣材料，然后對后沉積的絕緣材料進行光刻和刻蝕形成臺階。該方法的好處是可以以兩種絕緣材料的界面作為刻蝕停止層，從而增加刻蝕的臺階結(jié)構(gòu)的陡直程度。

第三種，增加薄層材料。

即所述形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層，包括：

依次沉積第一絕緣介質(zhì)層、薄層材料和第二絕緣介質(zhì)層；

以所述薄層材料作為刻蝕停止層，光刻所述第二絕緣介質(zhì)層形成臺階結(jié)構(gòu)，其中，所述第一絕緣介質(zhì)與所述第二絕緣介質(zhì)為不同材料或相同材料。

具體來講，可以先沉積某種絕緣材料，再沉積一層薄層材料作為刻蝕停止層，然后再沉積絕緣材料。通過對后沉積的絕緣材料的光刻和刻蝕形成臺階結(jié)構(gòu)。該方法由于以薄層材料作為刻蝕停止層，也能增加刻蝕的臺階結(jié)構(gòu)的陡直程度。所述薄層材料的材質(zhì)不限，能作為刻蝕停止層的即可。

當然，在具體實施過程中，形成臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層的方法，不限于以上三種，根據(jù)工藝需要不同可以選擇不同的方法，在此不作限制。

然后，執(zhí)行步驟s102，如圖3所示，在所述絕緣介質(zhì)層的臺階側(cè)壁形成第一柵極側(cè)墻2，并沉積第一柵介質(zhì)層3。

在本申請實施例中，所述第一柵極側(cè)墻2即柵極材料，可以為多晶硅或金屬，在此不作限制。所述第一柵介質(zhì)層3可以為hfo2、hfzro、al2o3或zro2等，在此也不作限制。

具體來講，所述第一柵極側(cè)墻2位于臺階處，柵極長度為所述臺階的高度h。柵寬由器件設(shè)計性能決定。

然后，執(zhí)行步驟s103，如圖4和圖5所示，在所述第一柵介質(zhì)層3上沉積二維材料層形成溝道區(qū)。

在本申請實施例中，所述溝道區(qū)的長度為所述臺階結(jié)構(gòu)的臺階高度h，溝道傳輸方向為沿臺階為垂直于襯底的豎直方向401。

在本申請實施例中，所述在所述第一柵介質(zhì)層3上沉積二維材料層形成溝道區(qū)，包括：

依次在所述第一柵介質(zhì)層3上沉積第一二維材料層4和第二二維材料層5形成溝道區(qū)。

進一步，所述第一二維材料層4和所述第二二維材料層5的摻雜類型不同；

其中，所述第一二維材料層與所述源極接觸；所述第二二維材料層與所述漏極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；或者

所述第一二維材料層與所述漏極接觸；所述第二二維材料層與所述源極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同。

具體來講，由于溝道材料需要不同類型的材料來形成pn結(jié)，所以設(shè)置溝道區(qū)為兩層二維材料，且兩層二維材料的摻雜類型不同，可以是第一二維材料層4為n型摻雜，第二二維材料層5為p型摻雜；也可以是第一二維材料層4為p型摻雜，第二二維材料層5為n型摻雜，在此不作限制。且因為垂直tfet的一種溝道材料只能跟一種源漏類型接觸，比如第一層二維材料為p型，那么第二層材料就為n型，第一層材料連接的源或漏極為p型，第二層材料連接的源或漏極為n型。

在本申請實施中，還可以對所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)進行刻蝕，使兩側(cè)分別為不同摻雜類型的單層二維材料層。

具體來講，可以在沉積了第一二維材料層4后，刻蝕掉臺階一側(cè)，例如上臺階的第一二維材料層4；在沉積了第二二維材料層5后，再刻蝕掉臺階另一側(cè)，例如下臺階的第二二維材料層5，使得上臺階和下臺階為摻雜類型不同的單層二維材料。

當然，在具體實施過程中，也可以在沉積了第一二維材料層4后，刻蝕掉下臺階的第一二維材料層4；在沉積了第二二維材料層5后，再刻蝕掉上臺階的第二二維材料層5，在此不作限制，只需保證豎直的臺階側(cè)壁的溝道區(qū)域為雙層二維結(jié)構(gòu)形成的pn結(jié)。

再下來，執(zhí)行步驟s104，如圖6所示，在所述二維材料層上沉積第二柵介質(zhì)層6，并在所述第二柵介質(zhì)層6的臺階側(cè)壁形成第二柵極側(cè)墻7。

在本申請實施例中，所述第二柵極側(cè)墻7即柵極材料，可以為多晶硅或金屬，在此不作限制。所述第二柵介質(zhì)層6可以為hfo2、hfzro、al2o3或zro2等，在此也不作限制。

具體來講，所述第二柵極側(cè)墻7位于臺階處，柵極長度為所述臺階的高度h。柵寬由器件設(shè)計性能決定。

接下來，執(zhí)行步驟s105，如圖7所示，刻蝕所述第二柵介質(zhì)層6，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極8和漏極9。

具體來講，所述刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進一步在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極，包括：

刻蝕所述臺階結(jié)構(gòu)上位于所述臺階側(cè)壁兩側(cè)的第二柵介質(zhì)層；

采用lift-off工藝，在所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。

在本申請實施例中，可以是通過常規(guī)的摻雜方法對源極8和漏極9分別進行p型摻雜或者n型摻雜。摻雜方式可以為離子注入或者等離子體處理等。具體來講，所述源極8和所述漏極9的摻雜類型不相同，所述漏極9的摻雜類型與其接觸的第二二維材料層5的摻雜類型相同。

在本申請實施例中，也可以不對源極8和漏極9進行摻雜，通過金屬源極8和金屬漏極9與二維材料層接觸形成肖特基結(jié)從而形成源漏極。所述金屬材料可以為w、al、cu或tial，在此不作限制。

在具體實施過程中，圖7中的漏極9和源極8的位置可以互換，在此不作限制。

從而完成所述垂直tfet的制造。

具體來講，本申請的所述垂直tfet的制造方法，制造出的tfet器件的溝道方向為豎直方向，也即溝道長度由臺階結(jié)構(gòu)的臺階高度決定。在相同柵極寬度的前提下，可以制備不同柵長的器件。將大大提高器件的集成密度。

基于同一方面構(gòu)思，本申請還提供了采用實施例一的方法制備的器件，詳見實施例二。

實施例二

在本實施例中，如圖7所示，提供一種垂直tfet，包括：

臺階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層1；

位于所述絕緣介質(zhì)層1的臺階側(cè)壁的第一柵極和第二柵極，所述第一柵極包括第一柵極側(cè)墻2和第一柵介質(zhì)層3，所述第二柵極包括第二柵極側(cè)墻7和第二柵介質(zhì)層6；

位于所述第一柵極介質(zhì)層3和所述第二柵極介質(zhì)層6之間的二維材料層，作為所述垂直tfet的溝道區(qū)；

分別位于所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)的源極8和漏極9，所述源極8和所述漏極9與所述溝道區(qū)連接。

在本申請實施例中，所述絕緣介質(zhì)層1為單一材料的介質(zhì)層。

在本申請實施例中，所述絕緣介質(zhì)層1包括：

第一絕緣介質(zhì)層和第二絕緣介質(zhì)層；所述第一絕緣介質(zhì)層為所述臺階結(jié)構(gòu)的底層，所述第二絕緣介質(zhì)層為所述臺階側(cè)壁和臺階頂層；

其中，所述第一隔離介質(zhì)和所述第二隔離介質(zhì)為不同材料。

在本申請實施例中，所述隔離介質(zhì)層1包括：

第一絕緣介質(zhì)層、薄層材料和第二絕緣介質(zhì)層；所述第一絕緣介質(zhì)層和所述薄層材料為所述臺階結(jié)構(gòu)的底層，所述第二絕緣介質(zhì)層為所述臺階側(cè)壁和臺階頂層；

其中，所述第一絕緣介質(zhì)與所述第二絕緣介質(zhì)為不同材料或相同材料。

在本申請實施例中，所述絕緣介質(zhì)為sin、si3n4、sio2或sico。

在本申請實施例中，所述二維材料層包括：

第一二維材料層4和第二二維材料層5，其中，所述第一二維材料層4和所述第二二維材料層5為不同材料。

在本申請實施例中，所述第一二維材料層4和所述第二二維材料層5的摻雜類型不同，其中，所述第一二維材料層與所述源極接觸；所述所述第二二維材料層與所述漏極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；或者

所述第一二維材料層與所述漏極接觸；所述所述第二二維材料層與所述源極接觸；所述第一二維材料層的摻雜類型與所述漏極的摻雜類型相同；所述第二二維材料層的摻雜類型與所述源極的摻雜類型相同。

在本申請實施例中，所述臺階側(cè)壁的兩側(cè)被刻蝕為不同摻雜類型的單層二維材料層。

在本申請實施例中，所述源極8和所述漏極9均為采用lift-off工藝形成的源極8和漏極9。

由于本發(fā)明實施例二所介紹的器件，為實施本發(fā)明實施例一的方法的所制備的器件，故而基于本發(fā)明實施例一所介紹的方法，本領(lǐng)域所屬人員能夠了解該器件的具體結(jié)構(gòu)及變形，故而在此不再贅述。

上述本申請實施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點：

本申請實施例提供的垂直tfet及其制造方法，設(shè)置絕緣介質(zhì)層為臺階結(jié)構(gòu)，并在臺階處設(shè)置柵和二維材料溝道，使得二維材料制備的溝道的溝道方向為豎直方向，也即溝道長度由臺階結(jié)構(gòu)的高度決定。在相同柵極寬度的前提下，可以制備不同柵長的器件，不會因為柵長要求導(dǎo)致器件整體增長，能大大提高tfet器件的集成密度。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。