技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種垂直TFET及其制造方法，該方法包括：形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)的絕緣介質(zhì)層；在所述絕緣介質(zhì)層的臺(tái)階側(cè)壁形成第一柵極側(cè)墻，并沉積第一柵介質(zhì)層；在所述第一柵介質(zhì)層上沉積二維材料層形成溝道區(qū)；在所述二維材料層上沉積第二柵介質(zhì)層，并在所述第二柵介質(zhì)層的臺(tái)階側(cè)壁形成第二柵極側(cè)墻；刻蝕所述第二柵介質(zhì)層，以進(jìn)一步在所述臺(tái)階側(cè)壁的兩側(cè)分別形成與所述溝道區(qū)連接的源極和漏極。本發(fā)明提供的器件，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中二維材料器件的集成密度較差，不利于大規(guī)模應(yīng)用的技術(shù)問(wèn)題。實(shí)現(xiàn)了大大提高TFET器件的集成密度的技術(shù)效果。

技術(shù)研發(fā)人員：秦長(zhǎng)亮;殷華湘;李俊峰;趙超;劉實(shí)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.01
技術(shù)公布日：2017.07.25