本發(fā)明涉及電子領(lǐng)域，具體地，涉及薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法和顯示裝置。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體器件的發(fā)展，用于戶外顯示、會(huì)議展示等用途的大尺寸的顯示裝置也逐漸普及。為進(jìn)一步提高顯示裝置的性能，氧化物技術(shù)被廣泛的應(yīng)用與制備顯示裝置，例如將ITO(銦錫氧化物)用在薄膜晶體管中作為溝道材料，從而提高顯示器件的分辨率。同時(shí)為了降低制備顯示器件的電阻，利用Cu形成導(dǎo)線，利用Cu的低電阻、高導(dǎo)電性能，提高顯示裝置的電學(xué)性能。

然而，目前的薄膜晶體管、陣列基板及其制備方法和顯示裝置，仍有待改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)是基于發(fā)明人對(duì)以下事實(shí)的發(fā)現(xiàn)而做出的：

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了提高顯示器件的性能，普遍使用透明導(dǎo)電材料(如ITO、IGZO(銦鎵鋅氧化物)等)和Cu材料。由于該材料的特殊性，使得在產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中發(fā)生多種工藝不良。例如，Cu柵極易脫落；IGZO(銦鎵鋅氧化物)作為溝道材料時(shí)，器件穩(wěn)定性降低等問(wèn)題。發(fā)明人經(jīng)過(guò)深入研究以及大量實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，這主要是由于在大尺寸顯示器件制備中，Cu柵極與襯底直接接觸，由于兩者結(jié)合力低，容易造成Cu柵極易脫落；同時(shí)由于在薄膜晶體管區(qū)域沒(méi)有有機(jī)絕緣層，對(duì)溝道區(qū)進(jìn)行保護(hù)，使得薄膜晶體管在經(jīng)過(guò)后續(xù)工藝的過(guò)程后，穩(wěn)定性降低，影響器件性能。

本發(fā)明旨在至少一定程度上緩解或解決上述提及問(wèn)題中至少一個(gè)。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管包括：襯底；柵極，所述柵極設(shè)置在所述襯底上；第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極；半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)；源極和漏極，所述源極和漏極分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)；第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述源極以及所述漏極；以及溝道區(qū)保護(hù)層，所述溝道區(qū)保護(hù)層設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述源極以及所述漏極的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述溝道區(qū)保護(hù)層在所述溝道區(qū)上的投影與所述溝道區(qū)重合。由此，溝道區(qū)保護(hù)層可以保護(hù)器件不受外部環(huán)境影響，同時(shí)不影響器件的性能，使得薄膜晶體管穩(wěn)定性提高，器件性能增強(qiáng)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該薄膜晶體管進(jìn)一步包括：柵極緩沖層，所述柵極緩沖層設(shè)置在所述柵極以及所述襯底之間，所述柵極緩沖層包括透明導(dǎo)電材料。由此，可以提高Cu柵極與襯底的結(jié)合力，提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述柵極緩沖層以及所述溝道區(qū)保護(hù)層的材料分別包括透明導(dǎo)電材料，所述透明導(dǎo)電材料包括ITO、IGZO、IZO、GZO以及石墨烯的至少之一。由此，可以在不影響顯示的條件下，進(jìn)一步提高器件穩(wěn)定性與器件的性能。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板包括：襯底；柵極緩沖層，所述柵極緩沖層設(shè)置在所述襯底上；柵極，所述柵極設(shè)置在所述柵極緩沖層上；公共電極，所述公共電極設(shè)置在所述襯底上具有與所述柵極的一側(cè)；第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極以及所述公共電極；半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層設(shè)置在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)；源極和漏極，所述源極和漏極分別設(shè)置在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層的一側(cè)；第二絕緣層，所述第二絕緣層覆蓋所述源極以及所述漏極；以及溝道區(qū)保護(hù)層，所述溝道區(qū)保護(hù)層設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述源極以及所述漏極的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域，所述溝道區(qū)保護(hù)層在所述溝道區(qū)上的投影與所述溝道區(qū)重合；以及像素電極，所述像素電極設(shè)置在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述源極以及所述漏極的一側(cè)，所述像素電極與所述源極或所述漏極電連通。該陣列基板具有以下優(yōu)點(diǎn)的至少之一：Cu柵極與襯底之間設(shè)置了柵極緩沖層，由此，Cu柵極與襯底之間的結(jié)合力增強(qiáng)，可以提高陣列基板的穩(wěn)定性；溝道區(qū)保護(hù)層可以保護(hù)陣列基板中的薄膜晶體管不受外部環(huán)境影響，且該溝道區(qū)保護(hù)層不與薄膜晶體管中除去第二絕緣層的其他結(jié)構(gòu)接觸，進(jìn)而不會(huì)影響薄膜晶體管以及陣列基板的電學(xué)性能。由此，可以提高器件的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述公共電極以及所述柵極緩沖層由同種材料形成且同層設(shè)置。由此，公共電極和柵極緩沖層可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述像素電極以及所述溝道區(qū)保護(hù)層由同種材料形成且同層設(shè)置。由此，像素電極以及溝道區(qū)保護(hù)層可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該顯示裝置包括前面所述的陣列基板。由此，該顯示裝置具有前面描述的陣列基板所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種制備薄膜晶體管的方法。該方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成柵極；在所述柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層一側(cè)沉積形成源極和漏極；在所述源極以及漏極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述源極以及所述漏極的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成溝道區(qū)保護(hù)層，所述溝道區(qū)保護(hù)層在所述溝道區(qū)上的投影與所述溝道區(qū)重合。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得前面描述的薄膜晶體管。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該方法進(jìn)一步包括：在所述柵極以及所述襯底之間形成柵極緩沖層。形成柵極緩沖層，由此可以增強(qiáng)Cu與襯底之間的結(jié)合力，提高穩(wěn)定性。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種制備前面所述的陣列基板的方法。該方法包括：提供襯底；在所述襯底上形成柵極緩沖層以及公共電極；在所述柵極緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)形成柵極；形成第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述柵極以及所述公共電極；在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述柵極的一側(cè)形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第一絕緣層一側(cè)沉積形成源極和漏極；由此，可以簡(jiǎn)便地獲得前面描述的陣列基板。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在所述源極以及漏極遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述源極以及所述漏極的一側(cè)形成溝道區(qū)保護(hù)層以及像素電極。所形成的溝道區(qū)保護(hù)層，可以保護(hù)器件不受外部環(huán)境影響，且該溝道區(qū)保護(hù)層不與薄膜晶體管中除去第二絕緣層的其他結(jié)構(gòu)接觸，進(jìn)而不會(huì)影響薄膜晶體管以及陣列基板的電學(xué)性能從而可以進(jìn)一步提高陣列基板的性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述公共電極以及所述柵極緩沖層同層設(shè)置且同步制備；由此，可以簡(jiǎn)便并且同層同步地獲得公共電極和柵極緩沖層。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，所述像素電極以及所述溝道區(qū)保護(hù)層同層設(shè)置且同步制備。由此，可以簡(jiǎn)便并同層同步地獲得像素電極和溝道區(qū)保護(hù)層。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3顯示了根據(jù)本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備薄膜晶體管的方法的流程示意圖；以及

圖7顯示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制備陣列基板的方法的流程示意圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

100：襯底；200：柵極；300：第一絕緣層；400：半導(dǎo)體層；510：源極；520：漏極；600：第二絕緣層；700：溝道區(qū)保護(hù)層；800：柵極緩沖層；810：公共電極；900：像素電極；1000：陣列基板。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提出了一種薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖1，該薄膜晶體管包括：襯底100、柵極200、第一絕緣層300、半導(dǎo)體層400、源極510、漏極520、第二絕緣層600、溝道區(qū)保護(hù)層700。其中，柵極200設(shè)置在襯底100上，第一絕緣層300覆蓋柵極200，半導(dǎo)體層400設(shè)置在第一絕緣層300遠(yuǎn)離柵極200的一側(cè)，源極510和漏極520分別設(shè)置在半導(dǎo)體層400遠(yuǎn)離第一絕緣層300的一側(cè)，第二絕緣層600覆蓋源極510以及漏極520，溝道區(qū)保護(hù)層700設(shè)置在第二絕緣層600遠(yuǎn)離源極510以及漏極520的一側(cè)，溝道區(qū)保護(hù)層700在溝道區(qū)上的投影與溝道區(qū)重合。由此，溝道區(qū)保護(hù)層700可以保護(hù)器件不受外部環(huán)境影響，同時(shí)不影響器件的性能，使得薄膜晶體管穩(wěn)定性提高，器件性能增強(qiáng)。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，溝道區(qū)保護(hù)層700在溝道區(qū)上的投影與溝道區(qū)重合，既包括溝道區(qū)保護(hù)層700在溝道區(qū)上的投影，與溝道區(qū)完全重合的情況，也包括溝道區(qū)保護(hù)層700在溝道區(qū)方向上的投影，大于溝道區(qū)的情況(參考圖2)。也即是說(shuō)，溝道區(qū)保護(hù)層700在沿著垂直方向的投影，只要能夠完全覆蓋溝道區(qū)即可。并且，在本發(fā)明中，溝道區(qū)保護(hù)層700不與該薄膜晶體管中，除去第二絕緣層600以外的結(jié)構(gòu)接觸。由此，可以避免對(duì)該薄膜晶體管的性能造成負(fù)面影響。還需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，源極510、漏極520以及溝道區(qū)保護(hù)層700等結(jié)構(gòu)的具體形狀、厚度均不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行調(diào)節(jié)。例如，參考圖2，第一絕緣層300在不同位置處，可以具有均一的厚度，以便節(jié)省生產(chǎn)成本，降低精度控制，提高生產(chǎn)效率。而由于第一絕緣層300覆蓋了襯底100以及柵極200，因此，在設(shè)置有柵極200的位置處，第一絕緣層300形成向上凸起的結(jié)構(gòu)。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，形成絕緣層、半導(dǎo)體層以及襯底等結(jié)構(gòu)的具體材料不受特別限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行選擇。例如，可以采用玻璃、PET等透明材料形成襯底100，只要該材料具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，可以為構(gòu)成該薄膜晶體管的其他結(jié)構(gòu)提供足夠的支撐即可。第一絕緣層300以及第二絕緣層600的材料可以為硅氧化物、氮硅化物、Al₂O₃等金屬氧化物以及樹脂等絕緣材料的至少之一，例如，可以為SiN_x、SiO₂或是有機(jī)樹脂。半導(dǎo)體層400可以為氧化物半導(dǎo)體材料形成的，例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以為IGZO、ITZO等透明導(dǎo)電材料。由此，當(dāng)采用該薄膜晶體管制備用于顯示裝置中的陣列基板時(shí)，首先，上述透明導(dǎo)電材料可以使得陣列基板中的薄膜晶體管也具有較好的透光率，進(jìn)而可以提高該顯示裝置的開口率。此外，上述透明導(dǎo)電材料具有較大的載流子遷移率，因此有利于提高該薄膜晶體管的器件性能。IGZO、ITZO等透明導(dǎo)電材料在制備半導(dǎo)體層400時(shí)，不需要復(fù)雜的激光退火工藝即可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體層400的制備，利于降低生產(chǎn)成本，并將其應(yīng)用于生產(chǎn)大尺寸的顯示裝置。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了進(jìn)一步提高該薄膜晶體管的性能，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，柵極200可以是由Cu形成的。由此，可以利用Cu的電阻特性，降低該薄膜晶體管的器件電阻。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，源極510以及漏極520也可以由Cu形成。為了提高Cu形成的柵極200、源極510或是漏極520與其他結(jié)構(gòu)的結(jié)合力，還可以在柵極200、源極510或是漏極520之前，增設(shè)緩沖層結(jié)構(gòu)。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，參考圖3，該薄膜晶體管還可以進(jìn)一步包括：柵極緩沖層800。柵極緩沖層800設(shè)置在柵極200以及襯底100之間。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，柵極緩沖層800可以是由透明導(dǎo)電材料形成的。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，采用透明導(dǎo)電材料形成柵極緩沖層800，與常用的Cu緩沖層材料(如Al、Mo等金屬或合金)相比，透明導(dǎo)電材料形成的柵極緩沖層800可以在不損器件的電學(xué)性能的前提下，有效提高柵極200以及襯底100之間的結(jié)合。并且，采用透明導(dǎo)電材料形成柵極緩沖層800，有利于提高該薄膜晶體管的透光率，進(jìn)而可以提高采用該薄膜晶體管的顯示裝置的顯示性能。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，形成柵極緩沖層800的透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO、以及石墨烯的至少之一。由此，可以提高Cu與襯底100的結(jié)合力，提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，溝道區(qū)保護(hù)層的材料可以包括透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO以及石墨烯的至少之一。由此，可以在不影響顯示的條件下，進(jìn)一步提高器件穩(wěn)定性與器件的性能。發(fā)明人意外地發(fā)現(xiàn)，采用上述材料制備溝道區(qū)保護(hù)層，首先可以起到保護(hù)作用；其次，透明材料不影響用于顯示裝置時(shí)的顯示性能；最后，該材料可以用于形成電極，有利于利用現(xiàn)有的生產(chǎn)流程，實(shí)現(xiàn)電極的設(shè)置，利于降低生產(chǎn)成本。

在本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提出了一種陣列基板。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖4，該陣列基板包括：襯底100、柵極緩沖層800、公共電極810、柵極200、第一絕緣層300、半導(dǎo)體層400、源極510、漏極520、第二絕緣層600、溝道區(qū)保護(hù)層700、像素電極900。柵極緩沖層800設(shè)置在襯底100上，柵極200設(shè)置在柵極緩沖層800上，公共電極810設(shè)置在襯底100上具有與柵極200的一側(cè)，第一絕緣層300覆蓋柵極200以及公共電極810，半導(dǎo)體層400設(shè)置在第一絕緣層300遠(yuǎn)離柵極200的一側(cè)，源極510和漏極520分別設(shè)置在半導(dǎo)體層400遠(yuǎn)離第一絕緣層300的一側(cè)，第二絕緣層600覆蓋源極510以及漏極520，溝道區(qū)保護(hù)層700設(shè)置在第二絕緣層600遠(yuǎn)離源極510以及漏極520的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域，溝道區(qū)保護(hù)層700不與除第二絕緣層600以外的結(jié)構(gòu)接觸，像素電極900設(shè)置在第二絕緣層600遠(yuǎn)離源極510以及漏極520的一側(cè)，像素電極900與源極510或漏極520連通。該陣列基板具有以下優(yōu)點(diǎn)的至少之一：Cu與襯底100之間設(shè)置了柵極緩沖層800，由此，Cu與襯底100之間的結(jié)合力增強(qiáng)，可以提高陣列基板的穩(wěn)定性；溝道區(qū)保護(hù)層700可以保護(hù)陣列基板中的薄膜晶體管不受外部環(huán)境影響，且該溝道區(qū)保護(hù)層700不與薄膜晶體管中除去第二絕緣層600的其他結(jié)構(gòu)接觸，進(jìn)而不會(huì)影響薄膜晶體管以及陣列基板的電學(xué)性能。由此，可以提高器件的性能。

本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，在該陣列基板中，柵極緩沖層800、柵極200、第一絕緣層300、半導(dǎo)體層400、源極510、漏極520、第二絕緣層600以及溝道區(qū)保護(hù)層700構(gòu)成薄膜晶體管，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)不同像素位點(diǎn)的電壓進(jìn)行控制。在該陣列基板1000中，可以包括多個(gè)陣列排布的薄膜晶體管。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該陣列基板1000中的薄膜晶體管，可以具有與前面描述的薄膜晶體管相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，公共電極810以及柵極緩沖層800由同種材料形成且同層設(shè)置。由此，公共電極810和柵極緩沖層800可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，同層同步設(shè)置的公共電極810和柵極緩沖層800均采用透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料的具體類型不受特別限制，只要能夠用于形成公共電極810，且為可以起到緩沖層的作用材料即可。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，該透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO、以及石墨烯的至少之一。由此，有利于提高該陣列基板的透光率，進(jìn)而可以提高采用該陣列基板的顯示裝置的顯示性能。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，像素電極900以及溝道區(qū)保護(hù)層700由同種材料形成且同層設(shè)置。由此，像素電極900以及溝道區(qū)保護(hù)層可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，同層同步設(shè)置的像素電極900以及溝道區(qū)保護(hù)層均采用透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO、以及石墨烯至少之一。由此，有利于提高該陣列基板的透光率，進(jìn)而可以提高采用該陣列基板的顯示裝置的顯示性能。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖5，該顯示裝置包括前面描述的陣列基板1000。由此，該顯示裝置具有前面描述的陣列基板100所具有的全部特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種制備前面所述的薄膜晶體管的方法。參考圖6該方法包括：

S100：提供襯底

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，提供襯底。形成襯底的結(jié)構(gòu)的具體材料不受限制，具體的，可以采用玻璃、PET等透明材料形成襯底，只要該材料具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，可以為構(gòu)成該薄膜晶體管的其他結(jié)構(gòu)提供足夠的支撐即可。

S200：形成柵極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在襯底上形成柵極。柵極可以是由Cu形成的。由此，可以利用Cu的電阻特性，降低該薄膜晶體管的器件電阻。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，為了增強(qiáng)Cu柵極與襯底之間的結(jié)合力，提高薄膜晶體管的穩(wěn)定性，該方法還可以進(jìn)一步包括：在柵極以及襯底之間形成柵極緩沖層。由此可以增強(qiáng)Cu與襯底之間的結(jié)合力，提高薄膜晶體管穩(wěn)定性。

需要說(shuō)明的是，在該步驟中，形成柵極緩沖層的具體方法以及參數(shù)不受特別限制，只要能形成上述柵極緩沖層即可。例如，可以采用沉積或是真空蒸鍍的方法，制備柵極緩沖層。

S300：形成第一絕緣層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在柵極遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成第一絕緣層。形成第一絕緣層材料可以為硅氧化物、氮硅化物以及樹脂的至少之一形成，例如，可以為SiN_x、SiO₂或是有機(jī)樹脂。上述材料具有絕緣功能的同時(shí)穩(wěn)定性高。同時(shí)形成第一絕緣層的具體方法不受特別限制，只要能形成上述第一絕緣層即可。例如，可以通過(guò)沉積無(wú)機(jī)材料或是涂布有機(jī)樹脂的方式形成第一絕緣層。

S400：形成半導(dǎo)體層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在第一絕緣層遠(yuǎn)離柵極的一側(cè)形成半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層可以為氧化物半導(dǎo)體材料形成的，例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以為IGZO、ITZO等透明導(dǎo)電材料。上述透明導(dǎo)電材料具有較好的透光率，進(jìn)而可以提高該顯示裝置的開口率。同時(shí)上述透明導(dǎo)電材料具有較大的載流子遷移率，有利于提高該薄膜晶體管的器件性能。IGZO、ITZO等透明導(dǎo)電材料在制備半導(dǎo)體層時(shí)，不需要復(fù)雜的激光退火工藝即可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體層的制備，利于降低生產(chǎn)成本，并將其應(yīng)用于生產(chǎn)大尺寸的顯示裝置。

S500：沉積形成源極和漏極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離第一絕緣層一側(cè)沉積形成源極和漏極。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，源極以及漏極可以由Cu形成，可以利用Cu的低電阻特性，降低該薄膜晶體管的器件電阻。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的是，為了增強(qiáng)源極、漏極與第一絕緣層的結(jié)合，可以在形成源極、漏極之前，設(shè)置緩沖層結(jié)構(gòu)。

S600：形成第二絕緣層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在源極以及漏極遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層的一側(cè)形成第二絕緣層。形成第二絕緣層的材料可以為硅氧化物、氮硅化物以及樹脂的至少之一形成，例如，可以為SiN_x、SiO₂或是有機(jī)樹脂。上述材料具有絕緣性能的同時(shí)穩(wěn)定性高。同時(shí)形成第二絕緣層的具體方法不受特別限制，只要能形成上述第二絕緣層即可。例如，根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，第二絕緣層的形成方法以及條件可以與形成第一絕緣層的方法以及條件相同，由此，可以利用相同的設(shè)備實(shí)現(xiàn)第一絕緣層以及第二絕緣層的制備，進(jìn)而有利于節(jié)約設(shè)備成本。

S700：形成溝道區(qū)保護(hù)層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在第二絕緣層遠(yuǎn)離源極以及漏極的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成溝道區(qū)保護(hù)層。由此，可以簡(jiǎn)便地獲得前面描述的薄膜晶體管。所形成的溝道區(qū)保護(hù)層，可以保護(hù)器件不受外部環(huán)境影響，且該溝道區(qū)保護(hù)層不與薄膜晶體管中除去第二絕緣層的其他結(jié)構(gòu)接觸，進(jìn)而不會(huì)影響薄膜晶體管以及陣列基板的電學(xué)性能從而可以進(jìn)一步提高陣列基板的性能。關(guān)于溝道區(qū)保護(hù)層的位置、形狀以及形成材料，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述。

在本發(fā)明的又一方面，本發(fā)明提出了一種制備前面所述的陣列基板的方法。參考圖7，該方法包括：

S100：提供襯底

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟中，提供的襯底的具體結(jié)構(gòu)、類型，前面已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，在此不再贅述。

S10：形成柵極緩沖層以及公共電極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在襯底上形成柵極緩沖層以及公共電極。由此，公共電極和柵極緩沖層可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，同層同步設(shè)置的柵極緩沖層和公共電極均采用透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO、以及石墨烯的至少之一。由此，有利于提高該陣列基板的透光率，進(jìn)而可以提高采用該陣列基板的顯示裝置的顯示性能。

S200：形成柵極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟與前面描述的制備薄膜晶體管的方法中，形成柵極的步驟具有相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

S300：形成第一絕緣層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟與前面描述的制備薄膜晶體管的方法中，形成第一絕緣層的步驟具有相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

S400：形成半導(dǎo)體層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟與前面描述的制備薄膜晶體管的方法中，形成半導(dǎo)體層的步驟具有相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

S500：沉積形成源極和漏極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟與前面描述的制備薄膜晶體管的方法中，形成源極以及漏極的步驟具有相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

S600：形成第二絕緣層

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該步驟與前面描述的制備薄膜晶體管的方法中，形成第二絕緣層的步驟具有相同的特征以及優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

S20：形成溝道區(qū)保護(hù)層以及像素電極

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在該步驟中，在第二絕緣層遠(yuǎn)離源極以及漏極的一側(cè)且與溝道區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成溝道區(qū)保護(hù)層以及像素電極。所形成的溝道區(qū)保護(hù)層，可以保護(hù)器件不受外部環(huán)境影響，且該溝道區(qū)保護(hù)層不與薄膜晶體管中除去第二絕緣層的其他結(jié)構(gòu)接觸，進(jìn)而不會(huì)影響薄膜晶體管以及陣列基板的電學(xué)性能，從而可以進(jìn)一步提高陣列基板的性能。像素電極以及溝道區(qū)保護(hù)層可以進(jìn)行同層同步制備，在不增加工藝和不改變器件基本結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，可以利用現(xiàn)有工藝進(jìn)行制備，提高器件穩(wěn)定性、增強(qiáng)器件性能、降低成本。根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例，同層同步設(shè)置的像素電極以及溝道區(qū)保護(hù)層均采用透明導(dǎo)電材料，該透明導(dǎo)電材料可以包括ITO、IGZO、IZO、GZO、以及石墨烯至少之一。由此，有利于提高該陣列基板的透光率，進(jìn)而可以提高采用該陣列基板的顯示裝置的顯示性能。

在本說(shuō)明書的描述中，參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不必須針對(duì)的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說(shuō)明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。