技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種臺面型半導(dǎo)體器件的制造方法，包括N+型半導(dǎo)體襯底；N型半導(dǎo)體層，接合于所述N+型半導(dǎo)體襯底的表面；P+型半導(dǎo)體層，接合于所述N型半導(dǎo)體層的表面，與所述N型半導(dǎo)體層共同形成PN接合部；第一溝槽，從所述P+型半導(dǎo)體層的表面到達所述N型半導(dǎo)體層中；鈍化層，填充于所述第一溝槽內(nèi)；第二溝槽，位于相鄰的兩個第一溝槽之間；鈍化薄膜，設(shè)在第二溝槽的表面；金屬層，形成在所述P+型半導(dǎo)體層和N+型半導(dǎo)體襯底的表面。本發(fā)明可以很好的阻隔開外界雜質(zhì)，抑制破裂、微裂紋的產(chǎn)生，從而可以獲得更佳的鈍化性能，實現(xiàn)高性能、高可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：莊建軍;王岳云
受保護的技術(shù)使用者：常州銀河世紀微電子股份有限公司
文檔號碼：201710192418
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.28
技術(shù)公布日：2017.06.30