本發(fā)明涉及靜電防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電防護(hù)裝置及其制作方法。

背景技術(shù)：

靜電防護(hù)裝置的作用是防止顯示面板上的半導(dǎo)體器件因受到靜電放電的影響而損壞或者失效，從而防止整個(gè)顯示面板的損壞或失效，特別地，在顯示面板的dp側(cè)和odp側(cè)的數(shù)據(jù)線和公共電極線間的esd(electro-staticdischarge，靜電釋放)防護(hù)設(shè)計(jì)則顯得更為重要?，F(xiàn)有的esd(electro-staticdischarge，靜電釋放)防護(hù)裝置由2～4個(gè)并聯(lián)或者串聯(lián)的三極管組成，即形成一個(gè)加強(qiáng)型的二極管。當(dāng)dp側(cè)和dpo側(cè)的數(shù)據(jù)線和公共電極線之間的電壓差達(dá)到一定程度后，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示面板中的數(shù)據(jù)線和公共電極線中的靜電的放電。

然而，該esd防護(hù)裝置在正常電壓下仍然存在著電流，具體可參見圖1所示的輸入電壓與輸入電流的關(guān)系示意圖，即在正常電壓下仍然保持?jǐn)?shù)據(jù)線和公共電極線為連接狀態(tài)，這種情況必然會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)線上負(fù)載的信號(hào)產(chǎn)生干擾。

綜上所述，如何避免esd防護(hù)裝置對(duì)數(shù)據(jù)線上負(fù)載的信號(hào)產(chǎn)生干擾。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)裝置及其制作方法，用以解決esd防護(hù)裝置對(duì)數(shù)據(jù)線上負(fù)載的信號(hào)干擾的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)裝置，包括：第一金屬層；形成在所述第一金屬層之上的第一絕緣層；部分形成在第一絕緣層之上的極化膜層，其中，所述極化膜層為由通電后能產(chǎn)生形變的壓電材料形成；至少部分形成在所述極化膜層之上的第二金屬層；形成在所述第二金屬層之上的導(dǎo)電懸梁臂；形成在所述第一絕緣層之上且與所述第一金屬層相連的導(dǎo)電疏散層，其中，所述導(dǎo)電疏散層的自由端與所述導(dǎo)電懸梁臂的自由端在所述第一金屬層的投影重合，且所述導(dǎo)電懸梁臂位于所述導(dǎo)電疏散層與所述第一金屬層之間；

當(dāng)所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的電壓差達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，所述極化膜層發(fā)生形變致使所述導(dǎo)電懸梁臂與所述導(dǎo)電疏散層相連。

本發(fā)明實(shí)施例提供的靜電防護(hù)裝置未采用串聯(lián)或并聯(lián)的三極管的方式，而是通過增設(shè)一端固定，一端自由活動(dòng)的導(dǎo)電懸梁臂以及隨著外加電壓逐漸增大而逐漸生長(zhǎng)的極化膜層的組合，實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬層之間為正常電壓差的情況下，導(dǎo)電懸梁臂處于懸空狀態(tài)，使得第一金屬層和第二金屬層不相連，即當(dāng)?shù)谝唤饘賹訛閿?shù)據(jù)線，第二金屬層為公共電極線時(shí)，避免了對(duì)數(shù)據(jù)線或公共電極線上負(fù)載的信號(hào)的影響；而當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹又g超過正常電壓差時(shí)，導(dǎo)電懸梁臂與導(dǎo)電疏散層相連，由于導(dǎo)電懸梁臂的固定端與第二金屬層相連，導(dǎo)電疏散層的固定端與第一金屬層相連，也即第一金屬層與第二金屬層相連，實(shí)現(xiàn)對(duì)靜電的放電效果。此外，由于由三極管組成的esd防護(hù)裝置在dp側(cè)需占用至少30微米的空間，而本發(fā)明實(shí)施例為通過導(dǎo)電懸梁臂的小幅度上下移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)開啟或關(guān)閉對(duì)靜電的放電功能，僅需占用20微米的空間即可，節(jié)省了設(shè)計(jì)空間，降低了制備成本。

較佳地，形成在所述第一絕緣層之上的第一多晶硅膜層，其中，所述第一多晶硅膜層中的原子間距與所述極化膜層中的原子間距的差值小于或等于10皮米。

較佳地，根據(jù)壓電材料的形變量公式可知，第一金屬層與第二金屬層之間的電壓差與所述極化膜層產(chǎn)生的形變量呈正比，其中，所述極化膜層產(chǎn)生的形變量為，初始狀態(tài)下所述第一絕緣層到所述導(dǎo)電懸梁臂的距離與發(fā)生形變后所述第一絕緣層到所述導(dǎo)電懸梁臂的距離的差值，或者為所述第二金屬層在初始狀態(tài)下與所述第一絕緣層的距離與在發(fā)生形變后與所述第一絕緣層的距離的差值。

較佳地，所述極化膜層的形變方向?yàn)樗龅谝唤饘賹优c所述第二金屬層之間的電壓的方向。

較佳地，所述第一金屬層為柵極金屬層，所述第一絕緣層為柵極絕緣層，所述第二金屬層為源漏極金屬層，所述第一多晶硅膜層為有源層。

較佳地，所述極化膜層為摻鉻氧化鋅層。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種靜電防護(hù)裝置的制作方法，包括：

在第一金屬層之上形成第一絕緣層；

至少部分在所述第一絕緣層之上形成壓電膜層，其中，所述壓電膜層為由通電后能產(chǎn)生形變的壓電材料形成；

至少部分在所述壓電膜層之上形成第二金屬層；

在所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的電壓差滿足預(yù)設(shè)電壓差的條件下，將所述壓電膜層進(jìn)行極化處理，形成極化膜層；

在所述第二金屬層之上形成導(dǎo)電懸梁臂，其中，所述導(dǎo)電懸梁臂的自由端與所述第一金屬層相對(duì)應(yīng)；

在形成所述第一絕緣層之后，在所述第一絕緣層之上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層之上形成導(dǎo)電疏散層，其中，所述導(dǎo)電疏散層通過所述第二絕緣層的過孔與所述第一金屬層相連；所述導(dǎo)電懸梁臂位于所述導(dǎo)電疏散層與所述第一金屬層之間，且所述導(dǎo)電疏散層的自由端與所述導(dǎo)電懸梁臂的自由端在所述第一金屬層的投影重合。

較佳地，在形成壓電膜層之前，該方法還包括：

在所述第一絕緣層之上形成第一多晶硅膜層，其中，所述第一多晶硅膜層中的原子間距與所述極化膜層中的原子間距的差值小于或等于10皮米。

較佳地，至少部分在所述第一絕緣層之上形成壓電膜層，包括：

在所述第一絕緣層之上，采用金屬氧化物化學(xué)氣相沉積法，沉積壓電材料，生成弱取向薄膜層；

對(duì)生成的弱取向薄膜層在第一預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行退火工藝，形成多晶結(jié)構(gòu)的壓電膜層；其中，所述第一預(yù)設(shè)溫度為大于或等于250攝氏度，且小于或等于350攝氏度。

較佳地，將所述壓電膜層進(jìn)行極化處理，形成極化膜層，包括：

當(dāng)多晶結(jié)構(gòu)的壓電膜層達(dá)到第二預(yù)設(shè)溫度，調(diào)節(jié)所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的電壓，其中，所述第二預(yù)設(shè)溫度為大于或等于50攝氏度，且小于或等于150攝氏度；

在調(diào)節(jié)得到的電壓差達(dá)到預(yù)設(shè)電壓差后，降溫直至達(dá)到第三預(yù)設(shè)溫度，形成極化膜層，其中，所述第三預(yù)設(shè)溫度為大于或等于10攝氏度，且小于或等于40攝氏度。

較佳地，在所述第二金屬層之上形成導(dǎo)電懸梁臂，包括：

在所述第二金屬層與所述第二絕緣層之間填充光刻膠，形成第一光刻膠；

在所述第二金屬層和所述第一光刻膠之上，沉積第一納米銦錫金屬氧化物層，并通過退火工藝形成導(dǎo)電懸梁臂；

通過曝光工藝，除去所述第一光刻膠，得到具有自由端的導(dǎo)電懸梁臂。

較佳地，在所述第二絕緣層之上形成導(dǎo)電疏散層，包括：

在所述第二金屬層之上形成第三絕緣層；

在所述第二絕緣層與所述第三絕緣層之間填充光刻膠，形成第二光刻膠；

在所述第二絕緣層、所述第二光刻膠之上，沉積第二納米銦錫金屬氧化物層，并通過退火工藝形成導(dǎo)電疏散層；

通過曝光工藝，除去所述第二光刻膠，得到具有自由端的導(dǎo)電疏散層。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的esd防護(hù)裝置的電壓和電流的關(guān)系的示意圖；

圖2a為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2b為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2c為本發(fā)明實(shí)施例一提供的靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2d為本發(fā)明實(shí)施例一提供的靜電防護(hù)裝置在放電時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2e為本發(fā)明實(shí)施例一提供的靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3a-圖3c為本發(fā)明實(shí)施例一提供的靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供的靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種靜電防護(hù)裝置的制作方法的流程示意圖；

圖6a-圖6j為本發(fā)明實(shí)施例三提供的靜電防護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

實(shí)施例一：

參見俯視圖圖2a以及沿a-a’的剖面圖圖2b，本發(fā)明實(shí)施例一提供了一種靜電防護(hù)裝置，包括：第一金屬層110；形成在第一金屬層110之上的第一絕緣層120；部分形成在第一絕緣層120之上的極化膜層130，所述極化膜層由通電后能產(chǎn)生形變的壓電材料形成；至少部分形成在所述極化膜層130之上的第二金屬層140；形成在第二金屬層140之上的導(dǎo)電懸梁臂150；形成在第一絕緣層120之上的第二絕緣層160；形成在第二絕緣層160之上且通過第二絕緣層160的過孔與第一金屬層110相連的導(dǎo)電疏散層170；導(dǎo)電懸梁臂150位于導(dǎo)電疏散層170與第一金屬層110之間；

其中，導(dǎo)電懸梁臂150包括固定端151和自由端152，固定端151與第二金屬層140相連；導(dǎo)電疏散層170包括固定端171和自由端172，固定端171通過第二絕緣層160的過孔161與第一金屬層110相連(第二絕緣層160的過孔的位置可參見圖2a)；導(dǎo)電懸梁臂的自由端152與導(dǎo)電疏散層的自由端172在第一金屬層110上的投影重合；具體參見圖2c；

該靜電方式裝置的具體工作方式為：

當(dāng)?shù)谝唤饘賹?10與第二金屬層140之間的電壓差達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，極化膜層130發(fā)生形變，使得導(dǎo)電懸梁臂的自由端152與導(dǎo)電疏散層的自由端172相連，如圖2d所示實(shí)現(xiàn)靜電防護(hù)裝置的放電操作；

當(dāng)?shù)谝唤饘賹?10與第二金屬層140之間的電壓差低于所述預(yù)設(shè)值時(shí)，極化膜層130恢復(fù)初始狀態(tài)，從而導(dǎo)電懸梁臂的自由端152與導(dǎo)電疏散層的自由端172斷開連接。

具體地，當(dāng)所述第一金屬層110為數(shù)據(jù)線時(shí)，第二金屬層140為公共電極線；所述第一金屬層110為柵電極時(shí)，第二金屬層140為源漏極；由于源漏極與數(shù)據(jù)線相連，而且柵電極與柵線相連，柵線又與公共電極線相連，因此，無論哪種情況，第一金屬層與第二金屬層之間的電壓差均可以理解為數(shù)據(jù)線中傳輸?shù)男盘?hào)電壓與公共電極線中傳輸?shù)男盘?hào)電壓之間的電壓差。

壓電材料為現(xiàn)有的常用于力學(xué)與電學(xué)的材料，但為了更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)壓電材料進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹：經(jīng)極化處理的壓電材料具有兩種特性，其一為向壓電材料的極化方向施加電壓，該壓電材料將沿電場(chǎng)的方向或切線方向產(chǎn)生形變，其二為當(dāng)壓電材料受到外力作用產(chǎn)生形變時(shí)，在外力作用的方向或外力作用的切線方向產(chǎn)生電壓。壓電材料根據(jù)上述兩種特性即可實(shí)現(xiàn)力學(xué)和電學(xué)之間的可逆轉(zhuǎn)變。

根據(jù)壓電材料的形變量公式可知，向壓電材料施加的電壓量與壓電材料的形變量(生長(zhǎng)量)呈正相關(guān)。具體地，壓電材料的形變量公式為s＝d33ud，其中，s為壓電材料的形變量；d33為壓電常數(shù)，通?？蛇_(dá)到140pc/n；ud為向壓電材料施加的電壓量。其中，本發(fā)明中向壓電材料施加的電壓量為第一金屬層與第二金屬層之間的電壓差；本發(fā)明中壓電材料的形變量既可以為初始狀態(tài)下第一絕緣層到導(dǎo)電懸梁臂的垂直距離m與發(fā)生形變后第一絕緣層到導(dǎo)電懸梁臂的垂直距離m’的第一距離差△m，也可以為第二金屬層(源漏極)在初始狀態(tài)下與第一絕緣層的垂直距離n與在發(fā)生形變后與第一絕緣層的垂直距離n’的第二距離差△n，具體參見圖3a和圖3b。

此外，參見圖3c，根據(jù)三角形平行線定理可得，

△m/△n＝a/b

其中，△m為第一距離差即導(dǎo)電懸梁臂的自由端與導(dǎo)電疏散層的自由端之間的距離，△n為第二距離差即極化膜層的形變量，a為極化膜層在第一金屬層上的投影沿導(dǎo)電懸梁臂的延伸方向的長(zhǎng)度，b為導(dǎo)電懸梁臂在第一金屬層上的投影沿導(dǎo)電懸梁臂的延伸方向的長(zhǎng)度。

綜上可知，當(dāng)向壓電材料施加的電壓量一定的情況下，△n為固定值，a與b的比值與△m為線性正相關(guān)的關(guān)系。

為更具體的理解極化膜層的形變量的大小，將列舉具體的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行說明。當(dāng)?shù)谝唤饘賹优c第二金屬層之間的電壓差為100伏時(shí)，即極化膜層接收到的豎直向上的外電壓為100伏時(shí)，由逆壓電效應(yīng)可知，極化膜層將在豎直方向上產(chǎn)生14納米的伸長(zhǎng)量，以正大內(nèi)部電場(chǎng)中豎直向下的分量，從而抵消部分外電場(chǎng)。

而且，為防止擊穿，b/a的優(yōu)選值為40，此時(shí)第一金屬層與第二金屬層之間的電壓差達(dá)到50伏時(shí)，極化膜層發(fā)生形變致使導(dǎo)電懸梁臂與導(dǎo)電疏散層相連，實(shí)現(xiàn)公共電極線與數(shù)據(jù)線導(dǎo)通，靜電產(chǎn)生的多余的電荷經(jīng)由導(dǎo)電懸梁臂暢通無阻的導(dǎo)入到公共電極線內(nèi)。

綜上可知，所述極化膜層的形變方向?yàn)樗龅谝唤饘賹优c所述第二金屬層之間的電壓的方向。

具體地，參見圖2e，本發(fā)明提供的靜電防護(hù)裝置還包括：形成在所述第一絕緣層之上的第一多晶硅膜層180，其中，所述第一多晶硅膜層中的原子間距與所述極化膜層中的原子間距的差值小于或等于10皮米。

由于第一多晶硅膜層的硅原子的間距比一般的金屬原子的間距大，更接近極化膜層中原子的間距，從而更有利于極化膜層中原子有序的排列，即方便極化膜層的生長(zhǎng)。其中，當(dāng)所述第一金屬層110為柵電極時(shí)，第二金屬層140為源漏極時(shí)，所述第一多晶硅膜層為有源層。

具體地，極化膜層可使用氧化鋅形成薄膜，優(yōu)選地可使用摻雜鉻原子的氧化鋅形成的薄膜。由于未經(jīng)極化處理的氧化鋅薄膜中的原子方向?yàn)樽园l(fā)且無序排列的，當(dāng)將對(duì)極化膜層施加電壓后，氧化鋅薄膜中的原子按照施加的電壓的電場(chǎng)方向排列。即所述極化膜層的極化方向?yàn)殡妶?chǎng)方向。其中，氧化性薄膜具有易于制備，電學(xué)性能好且穩(wěn)定，無毒無污染等特點(diǎn)。

優(yōu)選地，該極化膜層的厚度為4000埃。

優(yōu)選地，導(dǎo)電懸梁臂和導(dǎo)電疏散層均可使用納米銦錫金屬氧化物形成。

本發(fā)明實(shí)施例提供的靜電防護(hù)裝置可應(yīng)用于微機(jī)電系統(tǒng)(mems,micro-electro-mechanicalsystem)中。

實(shí)施例二：

參見圖4，本發(fā)明實(shí)施例二提供了一種靜電防護(hù)裝置，包括：柵極金屬層410；柵極絕緣層420；極化膜層430；源漏極金屬層440；導(dǎo)電懸梁臂450；第二絕緣層460；導(dǎo)電疏散層470；有源層480；

該靜電方式裝置的具體工作方式為：

當(dāng)柵極金屬層410與源漏極金屬層440之間的電壓差達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，極化膜層430發(fā)生形變，使得導(dǎo)電懸梁臂的自由端與導(dǎo)電疏散層的自由端相連，實(shí)現(xiàn)該靜電防護(hù)裝置的放電操作；

當(dāng)柵極金屬層410與源漏極金屬層440之間的電壓差低于所述預(yù)設(shè)值時(shí)，極化膜層430恢復(fù)初始狀態(tài)，從而導(dǎo)電懸梁臂的自由端與導(dǎo)電疏散層的自由端斷開連接。

實(shí)施例三：

參見圖5，本發(fā)明實(shí)施例三提供了一種靜電防護(hù)裝置的制作方法，包括：

s501、在第一金屬層110之上形成第一絕緣層120，在第一絕緣層之上形成第一多晶硅膜層180，此時(shí)該裝置的結(jié)構(gòu)可參見圖6a所示；

s502、至少部分在第一多晶硅膜層之上形成由通電后能產(chǎn)生形變的壓電材料得到的壓電膜層610，此時(shí)該裝置的結(jié)構(gòu)可參見圖6b所示；

s503、至少部分在所述壓電膜層之上形成第二金屬層140；在第一絕緣層之后，在第一絕緣層上形成第二絕緣層160，此時(shí)具體結(jié)構(gòu)可參見圖6c所示；

s504、在第一金屬層與第二金屬層之間的電壓差滿足預(yù)設(shè)電壓差的條件下，將壓電膜層610進(jìn)行極化處理，形成極化膜層130，此時(shí)裝置的結(jié)構(gòu)可參見圖6d所示；

s505、在第二金屬層之上形成導(dǎo)電懸梁臂150，其中，導(dǎo)電懸梁臂的自由端與第一金屬層相對(duì)應(yīng)，此時(shí)裝置的結(jié)構(gòu)可參見圖6e所示；

s506、在第二絕緣層之上形成導(dǎo)電疏散層170，其中，導(dǎo)電疏散層通過第二絕緣層的過孔與第一金屬層相連(圖6f中未顯示)；導(dǎo)電懸梁臂位于導(dǎo)電疏散層與第一金屬層之間，且導(dǎo)電疏散層的自由端與導(dǎo)電懸梁臂的自由端在第一金屬層的投影重合，此時(shí)裝置的結(jié)構(gòu)可參見圖6f所示。

其中，第一多晶硅膜層中的原子間距與所述極化膜層中的原子間距的差值小于或等于10皮米；優(yōu)選地，第一多晶硅膜層為有源層。

步驟s502具體包括如下步驟：

采用金屬氧化物化學(xué)氣相沉積法nocvd，在第一絕緣層之上沉積壓電材料，生成至少部分在第一絕緣層之上的弱取向薄膜層；對(duì)生成的弱取向薄膜層在第一預(yù)設(shè)溫度下進(jìn)行退火工藝，形成多晶結(jié)構(gòu)的壓電膜層；

其中，第一預(yù)設(shè)溫度為大于或等于250攝氏度，且小于或等于350攝氏度。

步驟s504中形成極化膜層，具體包括：

當(dāng)多晶結(jié)構(gòu)的壓電膜層610達(dá)到第二預(yù)設(shè)溫度時(shí)，調(diào)節(jié)第一金屬層與第二金屬層之間的電壓，其中，所述第二預(yù)設(shè)溫度為大于或等于50攝氏度，且小于或等于150攝氏度；

在調(diào)節(jié)得到的電壓差達(dá)到預(yù)設(shè)電壓差后，降溫直至達(dá)到第三預(yù)設(shè)溫度，形成極化膜層，其中，所述第三預(yù)設(shè)溫度為大于或等于10攝氏度，且小于或等于40攝氏度。

步驟s505形成導(dǎo)電懸梁臂具體包括：

在第二金屬層之上形成第一光刻膠620，即用光刻膠填充第二金屬層與第二絕緣層之間的區(qū)域，具體如圖6g所示；

在第二金屬層、第一光刻膠之上沉積第一納米銦錫金屬氧化物(ito)層，并通過退火工藝形成導(dǎo)電懸梁臂，具體如圖6h所示；

通過曝光工藝，除去導(dǎo)電懸梁臂下部的第一光刻膠620，得到與第一金屬層相對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電懸梁臂。

步驟s506形成導(dǎo)電疏散層，具體包括：

在第二金屬層之上形成第三絕緣層630，具體如圖6i所示；

在第二絕緣層與第三絕緣層之間沉積第二光刻膠640；

在第二絕緣層、第二光刻膠之上，沉積第二納米銦錫金屬氧化物(ito)層，并通過退火工藝形成導(dǎo)電疏散層，具體如圖6j所示；

通過曝光工藝，除去第二絕緣層與第三絕緣層之間的第二光刻膠640，得到導(dǎo)電疏散層，其中，導(dǎo)電懸梁臂位于導(dǎo)電疏散層與第一金屬層之間，且導(dǎo)電疏散層的自由端與導(dǎo)電懸梁臂的自由端在第一金屬層的投影重合。

其中，所述第三絕緣層可為org材料生成的膜層。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種靜電防護(hù)裝置及其制作方法，本發(fā)明未采用串聯(lián)或并聯(lián)的三極管的方式，而是通過增設(shè)一端自由活動(dòng)的導(dǎo)電懸梁臂以及隨著外加電壓逐漸增大而逐漸生長(zhǎng)的極化膜層的組合，實(shí)現(xiàn)第一金屬層和第二金屬層之間為正常電壓差的情況下，導(dǎo)電懸梁臂處于懸空狀態(tài)，使得第一金屬層和第二金屬層不相連，從而避免了對(duì)第一金屬層或第二金屬層上負(fù)載的信號(hào)的影響；而當(dāng)?shù)谝唤饘賹雍偷诙饘賹又g超過正常電壓差時(shí)，導(dǎo)電懸梁臂與導(dǎo)電疏散層相連，由于導(dǎo)電懸梁臂的固定端與第二金屬層相連，導(dǎo)電疏散層的固定端與第一金屬層相連，也即第一金屬層與第二金屬層相連，實(shí)現(xiàn)對(duì)靜電的放電效果。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。