本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在顯示領(lǐng)域，有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)相對(duì)于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)，具有自發(fā)光、反應(yīng)快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優(yōu)點(diǎn)，被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)。OLED器件有底發(fā)射和頂發(fā)射兩種出光方式，頂發(fā)射OLED器件相對(duì)于頂發(fā)射OLED器件有更好的分辨率和色彩飽和度，并且發(fā)光效率高、色域廣且壽命長(zhǎng)，但是頂發(fā)射OLED器件的制作工藝也相對(duì)比較難。

頂發(fā)射OLED器件的陰極制作對(duì)OLED器件的性能有著至關(guān)重要的影響，陰極膜層應(yīng)該具有較好的透光性和較強(qiáng)的導(dǎo)電性，陰極材料只有在膜層很薄的情況下其透光性才會(huì)很好，但是薄膜很薄時(shí)，往往會(huì)存在斷路或形成歐姆接觸，相應(yīng)的功耗就會(huì)增加，此外，隨著陰極層的厚度變薄，對(duì)于大尺寸的器件，中間位置和邊緣位置的壓降比較大，會(huì)導(dǎo)致OLED器件出現(xiàn)亮度不均勻的問題。因此，在制作OLED器件時(shí)需要同時(shí)考慮陰極的透光性和導(dǎo)電性。

現(xiàn)有技術(shù)中，使用較多的方法是在陰極上制作特別厚的透明金屬氧化物薄膜，由于透明金屬氧化物厚度與其透過率成反比，且透明金屬氧化物沉積速度很慢，要保持合適的生產(chǎn)節(jié)拍，需投入數(shù)量較多的濺射設(shè)備，投資非常大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，用以緩解現(xiàn)有技術(shù)中存在的由陰極層較薄導(dǎo)致的OLED器件出現(xiàn)亮度不均勻的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的像素限定層，位于所述像素限定層的圖形之上的多孔膜，位于所述襯底基板上所述像素限定層的圖形之外區(qū)域的有機(jī)功能層，以及位于所述多孔膜和所述有機(jī)功能層之上的陰極層；其中，

在所述多孔膜內(nèi)填充有液體導(dǎo)電材料，且所述陰極層與所述多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，還包括：位于所述顯示面板的四周，與所述多孔膜相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述導(dǎo)流結(jié)構(gòu)為在與所述多孔膜相連的位置設(shè)有開口的凹槽結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述導(dǎo)流結(jié)構(gòu)為多孔結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，所述像素限定層的厚度在所述顯示面板的邊緣指向中心的方向上逐漸減小。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，包括：

在襯底基板上形成像素限定層的圖形；

在所述像素限定層的圖形上形成多孔膜，以及在所述襯底基板上所述像素限定層的圖形之外區(qū)域形成有機(jī)功能層；

在所述多孔膜以及所述有機(jī)功能層之上形成陰極層；

向所述多孔膜中注入液體導(dǎo)電材料，以使所述陰極層與所述多孔膜中的所述液體導(dǎo)電材料相連接。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，所述在所述像素限定層的圖形上形成多孔膜，包括：

在所述像素限定層的圖形上制作與所述像素限定層的圖形相匹配的凹槽；

采用噴墨打印的方式在所述凹槽內(nèi)形成多孔膜。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，在所述向所述多孔膜中注入液體導(dǎo)電材料，以使所述陰極層與所述多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連接之前，還包括：

在所述顯示面板的四周形成與所述多孔膜相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。

在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法中，所述向所述多孔膜中注入液體導(dǎo)電材料，包括：

通過所述導(dǎo)流結(jié)構(gòu)向所述多孔膜中注入液體導(dǎo)電材料。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括：上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，包括：襯底基板，位于襯底基板上的像素限定層，位于像素限定層的圖形之上的多孔膜，位于襯底基板上像素限定層的圖形之外區(qū)域的有機(jī)功能層，以及位于多孔膜和有機(jī)功能層之上的陰極層；其中，在多孔膜內(nèi)填充有液體導(dǎo)電材料，且陰極層與多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連。本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，通過在像素限定層的圖形之上設(shè)置多孔膜，并在多孔膜內(nèi)填充液體導(dǎo)電材料，且陰極層與多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連，增加了像素限定層的圖形對(duì)應(yīng)位置處的導(dǎo)電膜層的厚度，從而降低了陰極層的面電阻，提高了顯示面板亮度的均勻性，并且多孔膜設(shè)置在像素限定層的圖形之上，沒有占用顯示區(qū)的面積，不會(huì)影響顯示面板的正常顯示。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的俯視圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖之二；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖之三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法的流程圖；

圖6a-圖6e為本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，101、襯底基板；102、像素限定層；103、多孔膜；104、有機(jī)功能層；105、陰極層；106、導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的由陰極層較薄導(dǎo)致的OLED器件出現(xiàn)亮度不均勻的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，如圖1所示，包括：襯底基板101，位于襯底基板101上的像素限定層102，位于像素限定層102的圖形之上的多孔膜103，位于襯底基板101上像素限定層102的圖形之外區(qū)域的有機(jī)功能層104，以及位于多孔膜103和有機(jī)功能層104之上的陰極層105；其中，

在多孔膜103內(nèi)填充有液體導(dǎo)電材料，且陰極層105與多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料相連。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，通過在像素限定層的圖形之上設(shè)置多孔膜，并在多孔膜內(nèi)填充液體導(dǎo)電材料，且陰極層與多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連，增加了像素限定層的圖形對(duì)應(yīng)位置處的導(dǎo)電膜層的厚度，從而降低了陰極層的面電阻，提高了顯示面板亮度的均勻性，并且多孔膜設(shè)置在像素限定層的圖形之上，沒有占用顯示區(qū)的面積，不會(huì)影響顯示面板的正常顯示。

參照?qǐng)D1，上述像素限定層102可以用于限定像素形成的位置，以區(qū)分顯示區(qū)和非顯示區(qū)，像素限定層102的圖形所在的位置為非顯示區(qū)，像素限定層102的圖形之外的區(qū)域用于容置有機(jī)功能層104為顯示區(qū)，在具體實(shí)施時(shí)，一般采用絕緣材料來制作像素限定層102，例如，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)制作致密的SiO₂薄膜作為像素限定層102，也可以采用其他工藝和材料，此處不做限定。像素限定層102的厚度一般在0.5μm-2μm左右，像素限定層102具有一定的厚度，從而在像素限定層102的圖形之外的區(qū)域可以容置有機(jī)功能層104，因而，像素限定層102的具體厚度也可以根據(jù)所需容置的有機(jī)功能層104的厚度來確定，此處不對(duì)像素限定層102的厚度進(jìn)行限定。上述有機(jī)功能層104用于發(fā)出各種顏色的光，例如紅、綠或藍(lán)等顏色，有機(jī)功能層104一般可以包括層疊設(shè)置的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層等膜層。

上述多孔膜103設(shè)置于像素限定層102的圖形之上，即多孔膜103設(shè)置在非顯示區(qū)，可以避免由于設(shè)置多孔膜103而影響顯示面板的開口率，不會(huì)影響顯示面板的正常顯示，也不會(huì)影響顯示區(qū)的光透過率。陰極層105設(shè)置在多孔膜103和有機(jī)功能層104之上，且與多孔膜103內(nèi)填充的液體導(dǎo)電材料相連，增加了像素限定層102圖形所在位置處的導(dǎo)電膜層的厚度，由于面電阻(或方阻)R_S＝ρ/t，其中，表示ρ電阻率，t表示膜厚，所以可以降低陰極層面電阻，因而，降低了顯示面板上中間位置和邊緣位置的壓降，提高了顯示面板的亮度均勻性，而且，也可以將陰極層105制作的比較薄，以保證陰極層105的光透過率。

在具體實(shí)施時(shí)，上述多孔膜103優(yōu)選為采用Al₂O₃，也可以采用其他多孔材料，此處不做限定，在多孔膜103內(nèi)注入的液體導(dǎo)電材料一般采用具有一定導(dǎo)電性的低粘度材料，例如，聚-3,4-乙烯二氧噻吩(PE-DOT)或聚苯胺等。此外，圖1中，為了方便示意，采用圓圈表示多孔膜103內(nèi)填充的液體導(dǎo)電材料。上述陰極層105可以采用濺射(sputter)工藝制作厚度為5nm-500nm左右的薄膜，可以采用氧化銦錫(Indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium zinc oxide，IZO)等透明導(dǎo)電材料，也可以采用其他透明導(dǎo)電材料，此處不做限定。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，如圖2所示，還可以包括：位于顯示面板的四周，與多孔膜103相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的俯視圖，由于像素限定層的圖形位于多孔膜之下，因而圖2中未示出像素限定層的圖形，從圖中可以看出，多孔膜103為網(wǎng)格狀，由于多孔膜103和像素限定層的圖形一致，因而像素限定層也為網(wǎng)格狀，為了保證顯示面板的開口率，像素限定層的圖形一般較窄，即多孔膜103的尺寸也比較窄，為了更方便的將液體導(dǎo)電材料注入到多孔膜103內(nèi)，在顯示面板的四周設(shè)置與多孔膜103相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106，在實(shí)際應(yīng)用中，可以通過該導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106將液體導(dǎo)電材料注入到多孔膜103中，例如，可以采用滴管或噴頭將液體導(dǎo)電材料滴到導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106處，通過毛細(xì)作用使液體導(dǎo)電材料逐漸向顯示面板的中心擴(kuò)散。

具體地，上述導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106至少可以包括以下兩種方式實(shí)現(xiàn)：

方式一：導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106為在與多孔膜103相連的位置設(shè)有開口的凹槽結(jié)構(gòu)，如圖3所示。

在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，可以將液體導(dǎo)電材料滴入到該凹槽結(jié)構(gòu)中，通過凹槽結(jié)構(gòu)與多孔膜103相連的開口，液體導(dǎo)電材料可以流入多孔膜103內(nèi)。該凹槽結(jié)構(gòu)一般也可以采用絕緣材料制作，因而在制作過程中，可以與像素限定層102一起制作，即像素限定層102與該凹槽結(jié)構(gòu)可以采用同一工藝一體形成，這樣可以減少一次制作工藝，節(jié)約制作成本。

方式二：導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106為多孔結(jié)構(gòu)，如圖4所示。

在具體實(shí)施時(shí)，可以將液體導(dǎo)電材料滴到該多孔結(jié)構(gòu)中，由于該多孔結(jié)構(gòu)與多孔膜103相連，因而，液體導(dǎo)電材料由于毛細(xì)作用，可以通過多孔結(jié)構(gòu)流入多孔膜103內(nèi)，在實(shí)際制作過程中，上述多孔結(jié)構(gòu)可以與多孔膜103一起制作，即多孔膜103與該多孔結(jié)構(gòu)可以采用同一工藝一體形成，這樣可以減少一次制作工藝，節(jié)約制作成本。

更進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板中，參照?qǐng)D3和圖4，像素限定層102的厚度在顯示面板的邊緣指向中心的方向上逐漸減小。

由于液體導(dǎo)電材料具有一定的流動(dòng)性，將像素限定層102設(shè)置為厚度在顯示面板的邊緣指向中心的方向上逐漸減小，因而可以促進(jìn)多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料向顯示面板中心流動(dòng)，在實(shí)際制作過程中，可以設(shè)置像素限定層102的厚度在顯示面板的邊緣指向中心的方向上呈階梯狀逐漸減小，也可以呈線性緩慢減小，此處不做限定。

應(yīng)該說明的是，為了更清楚的示意本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的結(jié)構(gòu)，圖1-圖4中，只畫出了有限個(gè)顯示區(qū)的圖形，在具體實(shí)施時(shí)，可以根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)置顯示區(qū)的像素的個(gè)數(shù)，此處，不對(duì)該顯示面板的像素個(gè)數(shù)進(jìn)行限定。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，由于該制作方法解決問題的原理與上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板相似，因此該制作方法的實(shí)施可以參見上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，如圖5所示，可以包括：

S201、在襯底基板101上形成像素限定層102的圖形，如圖6a所示；

S202、在像素限定層102的圖形上形成多孔膜103，以及在襯底基板101上像素限定層102的圖形之外區(qū)域形成有機(jī)功能層104，如圖6c所示；

S203、在多孔膜103以及有機(jī)功能層104之上形成陰極層105，如圖6d所示；

S204、向多孔膜103中注入液體導(dǎo)電材料，以使陰極層105與多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料相連接，如圖6e所示。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的制作方法，通過在像素限定層102的圖形之上形成多孔膜103，并在形成陰極層105之后，向多孔膜103中注入液體導(dǎo)電材料，以使陰極層105與多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料相連，增加了像素限定層102的圖形對(duì)應(yīng)位置處的導(dǎo)電膜層的厚度，從而降低了陰極層105的面電阻，提高了顯示面板亮度的均勻性，并且多孔膜103設(shè)置在像素限定層102的圖形之上，沒有占用顯示區(qū)的面積，不會(huì)影響顯示面板的正常顯示。

上述步驟S201中，一般采用PECVD工藝使用SiO₂或其他絕緣材料在襯底基板101上制作像素限定層102，且形成的像素限定層102的厚度在0.5μm-2μm左右。在制作像素限定層102時(shí)，可以將像素限定層102制作為厚度在顯示面板的邊緣指向中心的方向上逐漸減小，從而可以促進(jìn)多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料向顯示面板中心流動(dòng)。上述步驟S202中，可以采用蒸鍍的方式在襯底基板101的顯示區(qū)內(nèi)依次形成空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層以及電子注入層等膜層。上述步驟S203中，陰極層105可以采用濺射(sputter)工藝制作厚度為5nm-500nm左右的薄膜，可以采用氧化銦錫(Indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium zinc oxide，IZO)等透明導(dǎo)電材料，也可以采用其他透明導(dǎo)電材料，此處不做限定。

在實(shí)際應(yīng)用中，在上述步驟S204之后，待多孔膜103中的液體導(dǎo)電材料通過毛細(xì)作用流向顯示面板的各個(gè)位置后，還可以通過加熱的方式，將液體導(dǎo)電材料烘干，以固定液體導(dǎo)電材料在多孔膜103中的位置，防止液體導(dǎo)電材料在多孔膜103中隨意流動(dòng)。

上述步驟S202中，在像素限定層102的圖形上形成多孔膜103，可以采用多種制作方式，例如采用氧化鋁制作多孔膜103，可以先在像素限定成的圖形上形成一層鋁膜，再將鋁膜氧化為氧化鋁，此外，還可以采用以下方式制作多孔膜103：

在像素限定層102的圖形上制作與像素限定層102的圖形相匹配的凹槽，如圖6b所示，凹槽的形狀與像素限定層102的圖形相匹配，以便后續(xù)形成與像素限定層102圖形一致的多孔膜103，具體地，該凹槽的形狀為與圖2中多孔膜103類似的網(wǎng)格狀；

采用噴墨打印的方式在凹槽內(nèi)形成多孔膜103，如圖6c所示，噴墨打印的材料也可以采用容易形成多孔結(jié)構(gòu)的材料，例如金屬氧化物等。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法中，上述步驟S204之前，還可以包括：

在顯示面板的四周形成與多孔膜103相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106，參照?qǐng)D2。

在具體實(shí)施時(shí)，上述導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106至少可以采用以下兩種方式實(shí)現(xiàn)：

制作方式一：形成在與多孔膜103相連的位置設(shè)有開口的凹槽結(jié)構(gòu)，如圖3所示。該凹槽結(jié)構(gòu)一般也可以采用絕緣材料制作，在制作過程中，可以與像素限定層102一起制作，即像素限定層102與該凹槽結(jié)構(gòu)可以采用同一工藝一體形成，這樣可以減少一次制作工藝，節(jié)約制作成本。這樣可以將液體導(dǎo)電材料滴入到該凹槽結(jié)構(gòu)中，通過凹槽結(jié)構(gòu)與多孔膜103相連的開口，液體導(dǎo)電材料可以流入多孔膜103內(nèi)。

制作方式二：形成與多孔膜103相連的多孔結(jié)構(gòu)，如圖4所示。在實(shí)際制作過程中，上述多孔結(jié)構(gòu)可以與多孔膜103一起制作，即多孔膜103與該多孔結(jié)構(gòu)可以采用同一工藝一體形成，這樣可以減少一次制作工藝，節(jié)約制作成本。在具體實(shí)施時(shí)，可以將液體導(dǎo)電材料滴到該多孔結(jié)構(gòu)中，由于該多孔結(jié)構(gòu)與多孔膜103相連，因而，液體導(dǎo)電材料由于毛細(xì)作用，可以通過多孔結(jié)構(gòu)流入多孔膜103內(nèi)。

更進(jìn)一步地，上述步驟S204中，向多孔膜103中注入液體導(dǎo)電材料，可以包括：

通過導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106向多孔膜103中注入液體導(dǎo)電材料。

在實(shí)際應(yīng)用中，為了保證顯示面板的開口率，像素限定層102的圖形一般較窄，即多孔膜103的尺寸也比較窄，為了更方便的將液體導(dǎo)電材料注入到多孔膜103內(nèi)，在顯示面板的四周設(shè)置與多孔膜103相連的導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106，在實(shí)際應(yīng)用中，可以通過該導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106將液體導(dǎo)電材料注入到多孔膜103中，例如，可以采用滴管或噴頭將液體導(dǎo)電材料滴到導(dǎo)流結(jié)構(gòu)106處，通過毛細(xì)作用使液體導(dǎo)電材料逐漸向顯示面板的中心擴(kuò)散。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板，該顯示裝置可以應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于該顯示裝置解決問題的原理與上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板相似，因此該顯示裝置的實(shí)施可以參見上述有機(jī)電致發(fā)光顯示面板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光顯示面板、其制作方法及顯示裝置，通過在像素限定層的圖形之上設(shè)置多孔膜，并在多孔膜內(nèi)填充液體導(dǎo)電材料，且陰極層與多孔膜中的液體導(dǎo)電材料相連，增加了像素限定層的圖形對(duì)應(yīng)位置處的導(dǎo)電膜層的厚度，從而降低了陰極層的面電阻，提高了顯示面板亮度的均勻性，并且多孔膜設(shè)置在像素限定層的圖形之上，沒有占用顯示區(qū)的面積，不會(huì)影響顯示面板的正常顯示。而且，通過在顯示面板的四周設(shè)置導(dǎo)流結(jié)構(gòu)，可以更方便的將液體導(dǎo)電材料注入到多孔膜內(nèi)。此外，將像素限定層設(shè)置為厚度在顯示面板的邊緣指向中心的方向上逐漸減小，可以進(jìn)一步促進(jìn)多孔膜中的液體導(dǎo)電材料向顯示面板中心流動(dòng)。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。