1.具有浪涌電壓自抑和自過(guò)壓保護(hù)的碳化硅UMOSFET器件元胞結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述元胞結(jié)構(gòu)的p-well區(qū)分為三層，其中，最上層位于U型槽的左右兩側(cè)，且與U型槽接觸；中間層和最下層均由分別設(shè)置在元胞結(jié)構(gòu)左右兩側(cè)的兩部分構(gòu)成，且二者的左右兩部分均不接觸；中間層的左右兩部分與元胞結(jié)構(gòu)豎向中軸向之間的距離大于最下層的左右兩部分與元胞結(jié)構(gòu)豎向中軸向之間的距離；即在元胞結(jié)構(gòu)的漏極電流通路上引入一JFET結(jié)構(gòu)。