本發(fā)明總地涉及用于半導(dǎo)體封裝的密封及其制造方法。

背景技術(shù)：

氣密或近似氣密密封可用于密封半導(dǎo)體封裝以保護(hù)封裝件免于由于濕氣導(dǎo)致的損壞。這些密封可用于例如抑制濕氣滲透到封裝件中且損壞封裝件內(nèi)的集成器件裸片，從而保持性能和/或提高集成器件裸片的壽命。例如，氣密或近似氣密密封可用于高頻集成器件裸片應(yīng)用中，其中裸片布置在空腔中。密封能夠防止或降低如果容許濕氣滲入封裝件中所可能導(dǎo)致的溫度和/或濕度相關(guān)故障的風(fēng)險(xiǎn)。

然而，典型的氣密或近似氣密密封是昂貴的(例如，當(dāng)用于具有陶瓷基板的封裝件時(shí))，并且會(huì)在封裝件內(nèi)留有熔劑殘?jiān)?或可能無(wú)法使封裝蓋接地到基板。因此，對(duì)于改進(jìn)的用于空腔封裝的密封存在持續(xù)的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本文描述的系統(tǒng)、方法和裝置各自具有若干方面，其中沒(méi)有單個(gè)方面單獨(dú)負(fù)責(zé)其期望的屬性。在不限制由所附權(quán)利要求表示的本發(fā)明的范圍的情況下，下面簡(jiǎn)要描述一些特征。在考慮該描述之后，特別是在閱讀標(biāo)題為“一些實(shí)施方案的詳細(xì)描述”的部分之后，將理解本文所描述的系統(tǒng)、方法和裝置的有利特征。

在一些方面中，公開(kāi)了包括第一粘合劑層和第二粘合劑層的半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝可以包括基板、附接到基板的壁、布置在壁的底面與基板的頂面之間的第一粘合劑層以及圍繞第一粘合劑層的外周布置的第二粘合劑層。第二粘合劑層可以布置成鄰近且接觸壁。第二粘合劑層可以不同于第一粘合劑層，并且第一粘合劑層和第二粘合劑層中的至少一個(gè)可以將壁電接地。

在一些方面中，公開(kāi)了包括第一環(huán)氧樹(shù)脂層和第二環(huán)氧樹(shù)脂層的半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝可以包括基板、附接到基板的壁、布置在壁的底面與基板的頂面之間的第一環(huán)氧樹(shù)脂層，以及圍繞第一環(huán)氧樹(shù)脂層的外周布置的第二環(huán)氧樹(shù)脂層。第二環(huán)氧樹(shù)脂層可以布置成鄰近且接觸壁。

在一些方面中，公開(kāi)了包括環(huán)氧樹(shù)脂層和焊料層的半導(dǎo)體封裝。該半導(dǎo)體封裝可以包括基板、附接到基板的壁、布置在壁的底面與基板的頂面之間的環(huán)氧樹(shù)脂層，以及圍繞環(huán)氧樹(shù)脂層的外周布置的焊料層。焊料層可以布置成鄰近且接觸壁。環(huán)氧樹(shù)脂或焊料層可以將壁電接地。

在本申請(qǐng)中描述的主題的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方案的細(xì)節(jié)在附圖和以下描述中闡述。本申請(qǐng)中公開(kāi)的任何布置或?qū)嵤┓桨傅娜魏翁卣鳌⒔M件或細(xì)節(jié)是可組合的和可修改的，以形成落入本公開(kāi)的精神和范圍內(nèi)的多個(gè)新的布置和實(shí)施方案。根據(jù)說(shuō)明書(shū)、附圖和權(quán)利要求書(shū)，其他特征、方面和優(yōu)點(diǎn)也將變得顯而易見(jiàn)。注意，以下附圖的相對(duì)尺寸可能未按比例繪制。

附圖說(shuō)明

現(xiàn)在將參考以下附圖描述實(shí)施方案，附圖通過(guò)示例而非限制的方式提供。相同的附圖標(biāo)記表示相同或功能類(lèi)似的元件。

圖1a是依照一個(gè)實(shí)施方案的具有密封件的半導(dǎo)體封裝的示意性側(cè)視剖視圖，該密封件具有至少兩種粘合劑。

圖1b是圖1a的半導(dǎo)體封裝的示意性的俯視平面圖，為說(shuō)明的目的而省去了罩。

圖1c是圖1a的封裝的放大的部分側(cè)視剖視圖，示出了壁與基板之間的密封。

圖2a是根據(jù)另一實(shí)施方案的具有密封件的半導(dǎo)體封裝的示意性側(cè)視剖視圖，該密封件具有內(nèi)嵌條。

圖2b是圖2a的半導(dǎo)體封裝的示意性俯視平面圖，為說(shuō)明的目的而省去了罩。

圖2c是圖2a的封裝的放大的部分側(cè)視剖視圖。

圖3是說(shuō)明依照各個(gè)實(shí)施方案的用于制造具有密封件的半導(dǎo)體封裝的方法的流程圖，該密封件具有至少兩種粘合劑。

具體實(shí)施方式

本公開(kāi)的實(shí)施方案提供了用于半導(dǎo)體封裝的密封件，用于保護(hù)封裝免于由于濕氣導(dǎo)致的損壞。特別地，本公開(kāi)涉及包括用于將封裝蓋密封到封裝基板的至少兩種粘合劑的密封件。例如，在各個(gè)實(shí)施方案中，密封件可以包括第一環(huán)氧樹(shù)脂密封件和圍繞蓋和/或第一環(huán)氧樹(shù)脂密封件的周邊布置的第二環(huán)氧樹(shù)脂密封件。在其它實(shí)施方案中，密封件可以包括環(huán)氧樹(shù)脂密封件和圍繞環(huán)氧樹(shù)脂密封件的周邊布置的焊料密封件。各個(gè)實(shí)施方案還圖示了制造具有該密封件的封裝的示例的方法。雖然下面描述了一些實(shí)施方案，但是這些實(shí)施例僅通過(guò)舉例的方式來(lái)呈現(xiàn)，并且可以利用如權(quán)利要求所限定和覆蓋的不同的方式來(lái)實(shí)施。

圖1a是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的具有密封件的半導(dǎo)體封裝10的示意性側(cè)視剖視圖，該密封件包括至少兩種粘合劑。在所示的實(shí)施方案中，半導(dǎo)體封裝10包括蓋20、密封件30和基板40。蓋20可以是平坦地或定形以限定凹部。在圖1a的實(shí)施方案中，例如，蓋20定形成使得其與基板40配合以限定空腔50。然而，在其它實(shí)施方案中，蓋20可以包括平坦蓋，其布置在基板中的凹槽上方以限定空腔(未示出)。蓋20可以包括罩22以及圍繞罩22的周邊延伸的壁24。在一些實(shí)施方案中，壁24的頂面能夠附接到罩22的底面，例如通過(guò)粘合劑、焊接或其它類(lèi)型的結(jié)合方式。然而，在所示的實(shí)施方案中，罩22和壁24一體地形成為單個(gè)部件。

如圖1a所示，壁24的底側(cè)能夠經(jīng)由密封件30附接到基板40。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，罩22和壁24可以具有任何適合的形狀，能夠采取任何適合的形式，并且可以為任何適合的材料。例如，在一些實(shí)施方案中，蓋20可以包括金屬和/或復(fù)合材料。在一些實(shí)施方案中，蓋20可以包括鍍有金屬的塑料蓋(例如，液晶聚合物或lcp)，金屬諸如為ni、niau合金或任何其它適合的金屬。類(lèi)似地，圖1a的基板40可以呈現(xiàn)為任何適合的形狀和/或材料。例如，在一些實(shí)施方案中，基板40可以包括柔性基板、印刷電路板(pcb)基板、引線框、陶瓷基板或塑料基板(例如，液晶聚合物)。

如圖1a所示，蓋20和基板40配合以限定空腔50，該空腔可以填充有諸如空氣的氣體。集成器件裸片52可以布置在空腔50中。例如，集成器件裸片52可以利用粘合劑安裝到基板40的頂面上。當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，多個(gè)集成器件裸片52可以布置在空腔50中，雖然圖1a僅示出了一個(gè)裸片52。在所示的實(shí)施方案中，空腔50由罩22、壁24、基板40和密封件40來(lái)限定。集成器件裸片52可以是用于任何適合應(yīng)用的任何適合裸片。例如，在各個(gè)實(shí)施方案中，集成器件裸片52可以包括砷化鎵(gaas)裸片、氮化鎵(gan)裸片、硅裸片或任何其它適合的iii-v族半導(dǎo)體裸片。布置在空腔50中的集成器件裸片52可設(shè)計(jì)成用于高頻應(yīng)用，諸如例如高速光纖應(yīng)用、高頻軍事應(yīng)用、通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)(例如e頻帶中的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信)、手機(jī)構(gòu)架、雷達(dá)等。

如圖1a中進(jìn)一步所示，接合線54可以提供集成器件裸片52與基板40之間的電連接。在其它實(shí)施方案中，倒裝芯片連接、硅通孔和焊料隆起焊盤(pán)或其它電互連方法可以替代接合線使用以將集成器件裸片52與基板40電連接。在各個(gè)實(shí)施方案中，圖1a所示的半導(dǎo)體封裝可以采取不同的布置，而不偏離本公開(kāi)的主旨和范圍。

在一些實(shí)施方案中，諸如在裸片52上包含了空腔的高頻封裝，重要的是防止?jié)駳鈸p壞裸片52和/或封裝10的其它部件。一些封裝技術(shù)可以采用常規(guī)的、全氣密密封。然而，全氣密密封封裝組裝昂貴且比期望的更大。在采用近似氣密密封的一些布置中，蓋20可以利用焊接接縫附接到基板40以防止?jié)駳膺M(jìn)入空腔50且損壞裸片52。然而，使用焊料將蓋20附接到基板40會(huì)在空腔50中和/或裸片52上留下熔劑殘?jiān)@會(huì)損壞裸片52。在其它布置中，環(huán)氧樹(shù)脂可用于將蓋20附接到基板40。然而，環(huán)氧樹(shù)脂可能滲過(guò)濕氣而使得環(huán)氧樹(shù)脂無(wú)法保護(hù)裸片52免于由于濕氣導(dǎo)致的損壞。因此，對(duì)于用于將封裝蓋附接到基板上用于各種類(lèi)型的空腔封裝的改進(jìn)密封件存在持續(xù)的需求。

有利地，在圖1a的實(shí)施方案中，蓋20可以經(jīng)由密封件30附接到基板40，這能夠防止?jié)駳夂秃噶先蹌p壞裸片52，同時(shí)提供了蓋20與基板40之間的牢固的機(jī)械連接。如本文所說(shuō)明的，密封件30還可以有利地例如通過(guò)與基板40上的一個(gè)或多個(gè)接地結(jié)合點(diǎn)將蓋20電接地。圖1a的密封件30包括第一粘合劑層32以及圍繞第一層32布置的第二粘合劑層34。第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以共同將蓋20密封到基板40。應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，雖然在圖1a中提供了兩個(gè)粘合劑層，在其它實(shí)施方案中，多于兩個(gè)粘合劑層可應(yīng)用以進(jìn)一步改善密封件30。如圖1a中所示，密封件30可以位于蓋20與基板40之間的接口處。例如，第一粘合劑層32可布置在壁24的底面與基板40的頂面之間，例如圖1a中所示的密封件30。第二粘合劑層34的一部分可以布置在壁24的底面與基板40的頂面之間，并且第二粘合劑層34的另一部分可以延伸到封裝件外以形成外暴露嵌條72。外嵌條72能夠延伸超過(guò)壁24的外側(cè)表面74，如圖1a所示。該外嵌條72可以或者可以不接觸壁的外側(cè)表面74。在圖1a的實(shí)施方案中，例如，外嵌條72可以接觸外側(cè)表面74以增強(qiáng)蓋20與第二粘合劑層34的附著。

圖1b是圖1a的半導(dǎo)體封裝10的示意性俯視平面圖，為說(shuō)明的目的省去了罩。圖1c是圖1a的封裝10的放大的部分側(cè)視剖視圖，其圖示出壁24與基板40之間的密封件30。如圖1b-1c所示，第二粘合劑層34可以延伸超過(guò)壁24與基板40之間的接口且進(jìn)入圍繞壁24的外側(cè)表面74的區(qū)域，從而形成暴露的外嵌條72。如圖1a-1c所示，第二粘合劑層34可以包括完全地圍繞第一粘合劑層32的外周從而提供繞第一粘合劑層32的密封件的封閉環(huán)形物。類(lèi)似地，第一粘合劑層32還可以包括完全地圍繞空腔50的封閉環(huán)形物。在各個(gè)實(shí)施方案中，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以配合以防止?jié)駳夂推渌樾歼M(jìn)入空腔50且損壞裸片52。第一粘合劑32和第二粘合劑34還可以提供與基板40的牢固的機(jī)械連接和電連接。

返回圖1a，示出了第一粘合劑層32和第二粘合劑層34在壁24與基板40之間彼此接觸。在一些實(shí)施方案中，第二粘合劑層34的內(nèi)周的一部分能夠在基板40與壁24的底面之間的位置處接觸第一粘合劑層32的外周的部分。然而，應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以另外或可替代地可以鄰近或接近壁24與基板40之間的接口接觸。還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，在一些布置中，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34無(wú)需彼此接觸。例如，在一些實(shí)施方案中，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以以間隙隔開(kāi)，或者可以利用中間絕緣體或介電材料隔開(kāi)。第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以或者可以不接觸將層隔開(kāi)的中間材料。

密封件30的第一粘合劑層32和第二粘合劑層34布置在壁24與基板40之間的接口處的特定方式可以取決于各種因素，包括第一粘合劑層32和第二粘合劑層34的材料組成。例如，在各個(gè)實(shí)施方案中，第一粘合劑層32可以包括環(huán)氧樹(shù)脂，第二粘合劑層34可以包括環(huán)氧樹(shù)脂或焊料。密封件30的第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以具有不同而互補(bǔ)的功能。例如，第一粘合劑層32可以被選定為提供蓋20與基板40的牢固附接以及提供機(jī)械屏障以防止碎屑(諸如焊料熔劑殘?jiān)?進(jìn)入空腔50以及損壞裸片52。第二粘合劑34可被選定以防止?jié)駳夂退樾歼M(jìn)入空腔50且損壞裸片52。在各個(gè)實(shí)施方案中，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34中的一者或兩者可以將蓋20電接地以使蓋20充當(dāng)射頻(rf)屏蔽件。

例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，第一粘合劑32可以包括環(huán)氧樹(shù)脂，第二粘合劑34可以包括焊料。在該實(shí)施方案中，第一層32的環(huán)氧樹(shù)脂能夠防止來(lái)自焊接過(guò)程的碎屑或殘?jiān)廴究涨?0，諸如例如焊料熔劑殘?jiān)?。沒(méi)有第一粘合劑層32的環(huán)氧樹(shù)脂密封件，來(lái)自焊接過(guò)程的殘?jiān)鼤?huì)污染空腔50且損害或降低集成器件裸片52的性能。而且，第二粘合劑34的焊料會(huì)有利地充當(dāng)否則會(huì)通過(guò)第一粘合劑層32的可滲透環(huán)氧樹(shù)脂的濕氣的屏障物。因此，當(dāng)?shù)谝徽澈蟿?2包括環(huán)氧樹(shù)脂且第二粘合劑34包括焊料時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂能夠保護(hù)空腔50和裸片52免于焊料殘?jiān)茐?，同時(shí)焊料防止?jié)駳膺w移通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂到達(dá)空腔50和裸片52。如本文所說(shuō)明的，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34中的一者兩者能夠?qū)⑸w20與電地電連接。例如，在一些實(shí)施方案中，僅第二粘合劑34(例如，焊料)可以接地，而在其它實(shí)施方案中僅第一粘合劑32(例如，環(huán)氧樹(shù)脂)可以接地。在另外其它實(shí)施方案中，第一粘合劑32(例如，環(huán)氧樹(shù)脂)和第二粘合劑34(例如，焊料)兩者可以接地。在環(huán)氧樹(shù)脂將蓋20接地的實(shí)施方案中，環(huán)氧樹(shù)脂可以包括導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂從而完成與基板40的結(jié)合墊的電連接。除了這些功能之外，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34能夠提供與半導(dǎo)體封裝40的結(jié)構(gòu)支撐。例如，當(dāng)上述的內(nèi)嵌條70和外嵌條72被采用時(shí)，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34能夠支撐蓋20且抵制較大的側(cè)向力。

因此，半導(dǎo)體封裝10的密封件30的質(zhì)量可取決于第一和第二粘合劑層32，34的材料組成，以及取決于蓋20和基板40的材料。有利地，本文公開(kāi)的各個(gè)實(shí)施方案可以實(shí)現(xiàn)氣密和/或液密的密封件30。在一些實(shí)施方案中，密封件30能夠承受在85攝氏度以及85％的濕度下在1000小時(shí)至3000小時(shí)、多于1000小時(shí)、多于1300小時(shí)、多于1700小時(shí)、多于2000小時(shí)、多于2500小時(shí)、少于3000小時(shí)、少于2800小時(shí)、少于2600小時(shí)、少于2100小時(shí)、少于1500小時(shí)或任何其他適合的范圍的范圍內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)溫度濕度偏壓(thb)測(cè)試，而不會(huì)有故障。例如，在一些實(shí)施方案中，密封件30能夠能夠在85攝氏度以及85％的濕度下在至少1000小時(shí)、至少1008小時(shí)、至少1100小時(shí)、至少1200小時(shí)、至少1300小時(shí)、至少1400小時(shí)、至少1500小時(shí)、至少1600小時(shí)、至少1700小時(shí)、至少1800小時(shí)、至少1900小時(shí)、至少2000小時(shí)、至少2100小時(shí)、至少2200小時(shí)、至少2300小時(shí)、至少2400小時(shí)、至少2500小時(shí)、至少2600小時(shí)、至少2700小時(shí)、至少2800小時(shí)、至少2900小時(shí)或至少3000小時(shí)內(nèi)承受標(biāo)準(zhǔn)thb測(cè)試。

如上文所述，第一或第二粘合劑層32，34能夠?qū)⑸w20與基板40電接地。例如，在一些實(shí)施方案中，焊料或另一種導(dǎo)電粘合劑將蓋20電接地。在其他實(shí)施方案中，第一或第二粘合劑層32，34可以包括包含將蓋20電接地的導(dǎo)電填充劑的環(huán)氧樹(shù)脂。例如，導(dǎo)電填充劑能夠傳遞電信號(hào)通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂到基板40，并且可以包括銀和/或銅，以及其他材料。

此外，同樣如上文所述，第一或第二粘合劑層32，34可以具有相同的一般材料組成，諸如例如環(huán)氧樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂，或者可以具有不同的一般材料組成，諸如例如環(huán)氧樹(shù)脂和焊料。這兩種密封件具有優(yōu)點(diǎn)。例如，相比于具有兩層環(huán)氧樹(shù)脂層的密封件，具有焊料作為其中一層的密封件可有利地更耐受濕氣入侵封裝件，因?yàn)楹噶鲜窍鄬?duì)稠密的材料。作為另一實(shí)施例，具有環(huán)氧樹(shù)脂作為兩層的密封件可以有利地減少對(duì)封裝件的熱應(yīng)力量，因?yàn)榄h(huán)氧樹(shù)脂在相對(duì)于焊料而言更低的溫度下固化。因此，利用包括兩個(gè)環(huán)氧樹(shù)脂層的密封件對(duì)于后續(xù)的下游熱工藝是有益的。在第一和第二粘合劑層32，34兩者的一般組成是環(huán)氧樹(shù)脂的實(shí)施方案中，第一粘合劑層32可以是導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂(例如，填充有銀和/或填充有銅的環(huán)氧樹(shù)脂)，第二粘合劑層34可以是非導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂(例如，非導(dǎo)電密封劑、不能透濕氣的頂部密封材料、熱固化環(huán)氧樹(shù)脂等)，但是可以意識(shí)到任何適合的環(huán)氧樹(shù)脂。用于第一和第二粘合劑層32，34的環(huán)氧樹(shù)脂可以具有有益地配合以得到本文所描述的密封件的互補(bǔ)材料性質(zhì)。例如，第二粘合劑層34可以在抑制濕氣滲透到封裝件中這方面比第一粘合劑層32更有效，第二粘合劑層34可以比第一粘合劑層32更厚和/或更稠密，反之亦然。作為另一示例，在一些實(shí)施方案中，第一粘合劑層32可以形成使蓋20與基板40接地以完成例如將封裝10屏蔽于電磁干擾的法拉第罩的導(dǎo)電密封件，并且第二粘合劑層34可以形成抑制濕氣通過(guò)密封件30滲透到封裝件中的結(jié)構(gòu)密封。

轉(zhuǎn)到圖1c，半導(dǎo)體封裝10還可以包括位于基板上、接近壁24的焊料掩模屏障36。例如，圖1c示出了布置在基板40上、在壁24的底面下方的焊料掩模屏障36。雖然圖中未示出，焊料掩模屏障36可以圍繞空腔50的周邊、靠近壁24與基板40之間的接口形成封閉的環(huán)形物，或者可以位于沿靠近壁24與基板40之間的接口的周邊所限定的路徑的一個(gè)或多個(gè)位置除。在各個(gè)實(shí)施方案中，焊料掩模屏障可以包括介電材料。例如，焊料掩模屏障可以包括環(huán)氧樹(shù)脂基材料(例如，形成為片材的基于石化的材料)或者任何其他適合的絕緣體或介電材料。第一和第二粘合劑層32，34的一部分可以附著到焊料掩模屏障36，這可以有益地將所附著的粘合劑層32，34隔離于基板40的不旨在借助粘合劑32，34與蓋20電連通的部分。另外，焊料掩模屏障36可以通過(guò)防止或減少來(lái)自第一粘合劑32的污染物到達(dá)施加第二粘合劑34的區(qū)域而有利地增強(qiáng)第二粘合劑34(例如，焊料)對(duì)蓋20和基板40的潤(rùn)濕性。此外，如圖1c所示，焊料掩模屏障36的兩段可以布置在蓋20的壁24的下方，使得蓋20與屏障36重疊。該重疊可有利地增強(qiáng)第二粘合劑(例如，焊料)的潤(rùn)濕性和/或補(bǔ)償側(cè)向蓋移位。

如圖1c所示，在焊料掩模屏障36的兩個(gè)以上段之間會(huì)形成間隙38。在各個(gè)實(shí)施方案中，基板40的一部分暴露于間隙38中?；?0的所暴露的部分可以具有導(dǎo)電跡線，諸如例如引線框的金屬跡線。在一些實(shí)施方案中，第一或第二粘合劑層32，34的一部分可以布置在該間隙內(nèi)而使得其接觸和/或連接暴露于其中的導(dǎo)電跡線。該布置能夠有利地通過(guò)第一和/或第二粘合劑層32，34使蓋20電接地。在一些實(shí)施方案中，除了接觸和/或連接到暴露于間隙38中的基板40的導(dǎo)電跡線之外，第一粘合劑層32可以接觸焊料掩模屏障36的兩段。類(lèi)似地，在一些實(shí)施方案中，除了接觸和/或連接到暴露于間隙38中的基板40的導(dǎo)電跡線之外，第二粘合劑層34可以接觸焊料掩模屏障36的兩段。當(dāng)然，附加的布置也可以是合適的，諸如例如其中第一和第二層32，34以間隙間隔開(kāi)或者利用中間絕緣體或介電材料間隔開(kāi)的布置，其中第一和第二粘合劑層32，34可以接觸或可以不接觸中間絕緣體或介電材料。

圖2a是根據(jù)另一實(shí)施方案的具有密封件30的半導(dǎo)體封裝10的示意性側(cè)視剖視圖，密封件30具有內(nèi)嵌條70。圖2b是圖2a的封裝10的放大的部分側(cè)視剖視圖，其示出了包括內(nèi)嵌條70的密封件30。圖2c是圖2a的半導(dǎo)體封裝的示意性俯視平面圖，為說(shuō)明的目的省去了罩。除非指出，否則圖2a-2c中的附圖標(biāo)記是指與圖1a-1c的部件相同或大體相似的部件。圖2a-2c的封裝10與圖1a-1c所示的封裝10大體相似，除了圖2a-2c的密封件30包括內(nèi)嵌條70以及外嵌條72。例如，如同外嵌條72，第一粘合劑層32可以另外地布置成靠近壁24而使得其延伸進(jìn)入空腔50且形成圍繞壁24的內(nèi)側(cè)表面76的內(nèi)嵌條70。該內(nèi)嵌條70可以或者可以不接觸壁24的內(nèi)側(cè)表面76。如圖2a-2c所示，內(nèi)嵌條70和外嵌套72可以接觸壁24的相應(yīng)的側(cè)表面76，74，這可以有利地對(duì)蓋20與基板40之間的接口貢獻(xiàn)額外的結(jié)構(gòu)支撐。因此，在各個(gè)實(shí)施方案中，第一和第二粘合劑層32，34的一部分可以布置成靠近、鄰近壁24和/或在壁24的下面。另外，在圖1a-2c所示的實(shí)施方案中，第二粘合劑層34可以圍繞第一粘合劑層32的外周布置而使得第一粘合劑層32不暴露于空腔50外的環(huán)境。

另外，本文所述的任意實(shí)施方案、本文所述的實(shí)施方案的任何變型例和/或本文所述的特征的任意組合可以利用任何適合的制造方法來(lái)制造。例如，圖3是示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施方案制造圖1a-1c和圖2a-2c中所示的半導(dǎo)體封裝10的方法60的流程圖。在各個(gè)實(shí)施方案中，方法60可以包括任意數(shù)量的下述步驟，以及按任何適合的順序。

圖3所示的方法60可以開(kāi)始于框62，提供基板。如上所述，在一些實(shí)施方案中，基板可以包括任何適合類(lèi)型的基板，諸如柔性基板，pcb、引線框、陶瓷基板或塑料基板。過(guò)程60繼續(xù)于框64，通過(guò)第一粘合劑和第二粘合劑將壁附接到基板，諸如例如通過(guò)上述的第一粘合劑層32和第二粘合劑層34。壁可以包括蓋的部分，諸如被定形以限定凹部的蓋。在一些實(shí)施方案中，第一粘合劑層32可以包括環(huán)氧樹(shù)脂(諸如導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂)，第二粘合劑層34可以包括焊料。在其他實(shí)施方案中，第一粘合劑層32和第二粘合劑層34可以包括環(huán)氧樹(shù)脂。當(dāng)然，具有按類(lèi)似或不同順序的任意數(shù)量的步驟的任何適合的制造工藝是適合的。例如，在將壁附接到基板之前，一個(gè)或多個(gè)集成器件裸片可以安裝到基板上且與基板電連接。蓋可以電接地以提供rf屏蔽能力。

在本申請(qǐng)中描述的任何系統(tǒng)、方法和設(shè)備可以包括本文描述的其它特征和組合中的、在本段落和其他段落中描述的前述特征的任何組合，包括在隨后段落中描述的特征和組合。

雖然已經(jīng)在某些實(shí)施方案和實(shí)施例的上下文中公開(kāi)了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，本發(fā)明延伸超出具體公開(kāi)的實(shí)施方案，擴(kuò)展到本發(fā)明的其它替代實(shí)施方案和/或用途、明顯的修改及其等效物。此外，雖然已經(jīng)詳細(xì)地示出和描述了本發(fā)明的幾個(gè)變型例，但是在本發(fā)明的范圍內(nèi)的其它修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員基于本公開(kāi)將是顯而易見(jiàn)的。還可以想到，可以做出實(shí)施方案的具體特征和方面的各種組合或子組合，并且仍然落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，所公開(kāi)的實(shí)施方案的各種特征和方面可以彼此組合或替代，以形成所公開(kāi)的發(fā)明的變化的模式。因此，這里公開(kāi)的本發(fā)明的范圍不應(yīng)該受到上述特定公開(kāi)的實(shí)施方案的限制，而是應(yīng)當(dāng)僅通過(guò)公正地閱讀所附權(quán)利要求來(lái)確定。此外，諸如“至多”，“至少”，“大于”，“小于”，“在...之間”等語(yǔ)言包括所陳述的數(shù)字。在本文中使用的諸如“近似”，“大約”和“基本上”的術(shù)語(yǔ)前面的數(shù)字包括所述數(shù)字(例如，大約10％＝10％)，并且還表示接近仍然執(zhí)行期望的功能或?qū)崿F(xiàn)期望的結(jié)果的所述量的量。例如，術(shù)語(yǔ)“近似”，“大約”和“基本上”可以指小于10％之內(nèi)，小于5％之內(nèi)，小于1％之內(nèi)，小于0.1％之內(nèi)，并且在所述量的小于0.01％之內(nèi)。