技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括：第一層間絕緣膜，包括孔，位于基底上；柵極，形成在孔中；抬升源極/漏極區(qū)域，形成在柵極的兩側(cè)上；開口，位于第一層間絕緣膜中并暴露抬升源極/漏極區(qū)域的表面；金屬硅化物，形成在開口中；其中，金屬硅化物包括遠(yuǎn)離抬升源極/漏極區(qū)域的表面的硅化物下輪廓，硅化物下輪廓具有彎曲的剖面，其中，金屬硅化物包括具有底部和側(cè)壁的上凹進(jìn)，其中，上凹進(jìn)的底部與硅化物下輪廓的底部分開的距離大于上凹進(jìn)的側(cè)壁與硅化物下輪廓的側(cè)壁分開的距離，其中，上凹進(jìn)的側(cè)壁與開口的側(cè)壁共面，其中，半導(dǎo)體裝置的集成密度是20nm或更小。

技術(shù)研發(fā)人員：申忠桓;姜尚范;金大容;金楨益;金哲性;柳制亨;李相遇;崔孝錫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201710130527
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.23
技術(shù)公布日：2017.06.27