技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種采用了該發(fā)明的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管及其制造方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在該方法中，由于其首先在襯底的頂部形成凸出于襯底頂部的厚柵氧區(qū)，并在該厚柵氧區(qū)之上形成作為柵極的多晶硅，從而利用該厚柵氧增加了柵漏電容介質(zhì)層的厚度，同樣的還可以進(jìn)一步減少柵極與漏極覆蓋區(qū)域的面積，減小柵漏電容，降低開關(guān)損耗，提升場效應(yīng)晶體管的性能，進(jìn)而使本發(fā)明的低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管更適用于高頻應(yīng)用，且該低柵漏電容的縱向場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)簡單，制造方法簡便，生產(chǎn)及應(yīng)用成本也較為低廉。

技術(shù)研發(fā)人員：胡欣
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海矽望電子科技有限公司
文檔號碼：201710126852
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.06
技術(shù)公布日：2017.06.20