1.一種低柵漏電容的縱向場效應晶體管，包括：
襯底，作為漏極；
P-體區(qū)，形成于所述的襯底頂部的一部分；
N+注入?yún)^(qū)，作為源極，形成于所述的P-體區(qū)頂部的一部分；
多晶硅，作為柵極，形成于所述的襯底頂部的另一部分與所述的P-體區(qū)頂部的另一部分之上；
其特征在于，還包括：
厚柵氧區(qū)，形成于所述的多晶硅與所述的襯底之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，所述的厚柵氧區(qū)為熱氧化層或淺槽隔離層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，還包括：
P+注入?yún)^(qū)，作為體區(qū)引出端，形成于所述的P-體區(qū)頂部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管，其特征在于，所述的多晶硅覆蓋于所述的P-體區(qū)頂部未設置N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)的部分以及所述的厚柵氧區(qū)的頂部。
5.一種低柵漏電容的縱向場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
(A)在作為漏極的襯底的頂部的一部分形成有源區(qū)和厚柵氧區(qū)；
(B)在所述厚柵氧區(qū)頂部及所述襯底頂部的一部分之上形成多晶硅作為柵極；
(C)在襯底頂部未被多晶硅覆蓋的部分形成P-體區(qū)；
(D)在所述的P-體區(qū)頂部的一部分形成N+注入?yún)^(qū)，作為源極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(A)具體為：
在所述襯底的頂部表面利用氮化硅作為掩膜層形成作為厚柵氧區(qū)的熱氧化層或淺槽隔離層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(B)具體為：
在所述厚柵氧區(qū)頂部以及所述襯底頂部兩者彼此相鄰的位置的之上形成的多晶硅，作為柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(C)具體包括以下步驟：
(C1)利用自對準工藝，以所述的多晶硅作為參考形成溝道；
(C2)在襯底頂部未被多晶硅覆蓋的部分進行注入，形成P-體區(qū)；
(C3)根據(jù)需要進行熱過程退火，使所述的P-體區(qū)形成特定的結(jié)深。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低柵漏電容的縱向場效應晶體管的制造方法，其特征在于，所述的步驟(D)具體為：
在所述的P-體區(qū)頂部的一部分形成N+注入?yún)^(qū)，作為源極；在該P-體區(qū)頂部的另一部分形成P+注入?yún)^(qū)。