1.一種電吸收調(diào)制激光器，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分和電吸收調(diào)制器部分，其特征在于，所述激光器部分的襯底上刻制有光柵結(jié)構(gòu)，所述光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)制作有選擇生長(zhǎng)圖形，
所述選擇生長(zhǎng)圖形上和電吸收調(diào)制器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長(zhǎng)圖形區(qū)域外延生長(zhǎng)有多量子阱有源區(qū)；其中，所述多量子阱有源區(qū)呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)；
所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層、n型InP層、P型InP包層和P型摻雜InP歐姆接觸層，其中，所述摻鐵InP層位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底上；所述n型InP層和P型InP包層各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層和P型InP包層均按照n型InP層在下，P型InP包層在上的順序生長(zhǎng)得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，多量子阱有源區(qū)中包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，所述激光器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成，所述電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，所述摻鐵InP層中的摻鐵濃度為1-16×1018cm-3。
5.一種電吸收調(diào)制激光器，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分和電吸收調(diào)制器部分，其特征在于，所述電吸收調(diào)制器部分的襯底上制作有選擇生長(zhǎng)圖形，
所述選擇生長(zhǎng)圖形上和激光器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長(zhǎng)圖形區(qū)域外延生長(zhǎng)有第一多量子阱有源區(qū)；所述激光器部分位于所述第一多量子阱有源區(qū)之上外延生長(zhǎng)由第二多量子阱有源區(qū)，其中，所述第一多量子阱有源區(qū)和第二多量子阱有源區(qū)呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)；
所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層、n型InP層、P型InP包層和P型摻雜InP歐姆接觸層，其中，所述摻鐵InP層位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底上；所述n型InP層和P型InP包層各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層和P型InP包層均按照n型InP層在下，P型InP包層在上的順序生長(zhǎng)得到。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電吸收調(diào)制激光器，其特征在于，所述選擇生長(zhǎng)圖形為兩條長(zhǎng)100-300um、寬10-50um、厚度為100-300nm的介質(zhì)膜，兩條介質(zhì)膜之間的選擇生長(zhǎng)區(qū)的寬度為10-40um。
7.一種電吸收調(diào)制激光器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在電吸收調(diào)制激光器的激光器部分或者電吸收調(diào)制器部分制作選擇生長(zhǎng)圖形；
在襯底上生長(zhǎng)多量子阱有源區(qū)，其中，多量子阱有源區(qū)包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層；
根據(jù)選擇生長(zhǎng)圖形刻蝕形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括激光器部分的多量子阱有源區(qū)和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)構(gòu)成；
依次在所述臺(tái)面兩側(cè)外延摻鐵InP層和n型InP層；
在多量子阱有源區(qū)和n型InP層上沉積P型InP包層；
在所述上限制層上生成P摻雜InP歐姆接觸層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電吸收調(diào)制激光器的制造方法，其特征在于，在制作選擇生長(zhǎng)圖形的位置是所述激光器部分時(shí)，所述在襯底上生長(zhǎng)多量子阱有源區(qū)具體實(shí)現(xiàn)為：
在所述激光器部分生長(zhǎng)4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長(zhǎng)4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電吸收調(diào)制激光器的制造方法，其特征在于，在制作選擇生長(zhǎng)圖形的位置是所述電吸收調(diào)制部分時(shí)，所述在襯底上生長(zhǎng)多量子阱有源區(qū)具體實(shí)現(xiàn)為：
在所述激光器部分生長(zhǎng)4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長(zhǎng)4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任一所述的電吸收調(diào)制激光器的制造方法，其特征在于，所述摻鐵InP層中的1-16×1018cm-3。