本發(fā)明涉及電吸收調(diào)制激光器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電吸收調(diào)制激光器及其制造方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體激光器由于制作簡單、體積小、重量輕、壽命長、效率高等，在照明、光通信、光泵浦和光存儲(chǔ)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。InP基激光器的出現(xiàn)，由于其波長能夠同時(shí)覆蓋光通信傳輸中零色散窗口1310nm波段和低傳輸損耗窗口1550nm波段，因此廣泛應(yīng)用于光通信傳輸中。

傳統(tǒng)的直接調(diào)制激光器在高速調(diào)制下產(chǎn)生較大的啁啾效應(yīng)，使得直接調(diào)制激光器的傳輸距離受到很大限制。電吸收調(diào)制器由于其具有低驅(qū)動(dòng)電壓，低啁啾的特點(diǎn)，使其能夠應(yīng)用于長距離的光通信傳輸中。但是單獨(dú)的電吸收調(diào)制器具有插入損耗大的缺點(diǎn)，限制了其應(yīng)用范圍。

對(duì)于常規(guī)制作電吸收調(diào)制器的方案中，通常使用對(duì)接生長技術(shù)來實(shí)現(xiàn)激光器和調(diào)制器的分別外延生長，即通過外延生長激光器后，然后刻蝕掉電吸收EA區(qū)域生長的激光器外延材料，再次進(jìn)行調(diào)制器結(jié)構(gòu)的外延生長；或者是利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡寫為：PECVD)沉積氧化硅，并刻蝕形成激光器部分的選擇區(qū)域生長。該方案的缺點(diǎn)是激光器和調(diào)制器區(qū)域的對(duì)接界面很難控制，對(duì)準(zhǔn)精度要求很高，導(dǎo)致該方案的成品率較低。由于脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的激光器為弱折射率波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)，其側(cè)向波導(dǎo)限制較弱，導(dǎo)致出光遠(yuǎn)場發(fā)散角橫向和縱向角度差較大，光場耦合效率較低。

近年來，以降低成本、簡化制作工藝為目的，研制EML器件的工作基點(diǎn)，就鎖定在用一次外延能同時(shí)生長出LD有源層和EAM有源層的制作方法上。

基于這一思路開發(fā)出的EML制作方法有：

1)同一有源層(IAL)方法，例如US5548607專利，這種方法制作工藝最簡單，因?yàn)長D與EAM的有源層結(jié)構(gòu)完全相同。兩者間的波長差靠刻制在LD區(qū)段內(nèi)的布拉格光柵所確定的震蕩波長相對(duì)于量子阱有源層峰值波長的紅移來實(shí)現(xiàn)。

2)量子阱混合(QWI)方法，例如IEEE Photonics Technology Letters，Vol.7(9),P.1016.1992.該方法是在IAL結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，利用離子注入或介質(zhì)有誘導(dǎo)擴(kuò)散加退貨等技術(shù)對(duì)EAM段內(nèi)的MQW作混合，使該區(qū)MQW的吸收峰位藍(lán)移，從而達(dá)到減少吸收損耗，改善器件特性的目的。

3)選擇區(qū)域外延生長疊層電吸收調(diào)制激光器結(jié)構(gòu)的制作方法，專利號(hào)：2005100045713，用一次外延同時(shí)生長出LD有源層和EAM有源層疊層結(jié)構(gòu)，能夠降低閾值電流和提高消光比。

然而，現(xiàn)有的這種一次外延生產(chǎn)形成LD有源層和EAM有源層的方案，均沒有考慮相應(yīng)結(jié)構(gòu)在高頻調(diào)制環(huán)境下的響應(yīng)速度，然而，隨著100Gps、400Gps光網(wǎng)絡(luò)的使用，原有的調(diào)制相應(yīng)速度已經(jīng)逐漸無法滿足需求。并且，由于脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的激光器為弱折射率波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)，其側(cè)向波導(dǎo)限制較弱，導(dǎo)致出光遠(yuǎn)場發(fā)散角橫向和縱向角度差較大，光場耦合效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的一次外延生產(chǎn)形成LD有源層和EAM有源層的方案在高頻調(diào)制環(huán)境下的響應(yīng)速度。

本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步要解決的技術(shù)問題是由于脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的激光器為弱折射率波導(dǎo)限制結(jié)構(gòu)，其側(cè)向波導(dǎo)限制較弱，導(dǎo)致出光遠(yuǎn)場發(fā)散角橫向和縱向角度差較大，光場耦合效率較低。

本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電吸收調(diào)制激光器，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分和電吸收調(diào)制器部分，所述激光器部分的襯底上刻制有光柵結(jié)構(gòu)，所述光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)制作有選擇生長圖形，

所述選擇生長圖形上和電吸收調(diào)制器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長圖形區(qū)域外延生長有多量子阱有源區(qū)；其中，所述多量子阱有源區(qū)呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層、n型InP層、P型InP包層和P型摻雜InP歐姆接觸層，其中，所述摻鐵InP層位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底上；所述n型InP層和P型InP包層各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層和P型InP包層均按照n型InP層在下，P型InP包層在上的順序生長得到。

可選的，多量子阱有源區(qū)中包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層。

可選的，所述激光器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成，所述電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成。

可選的，所述摻鐵InP層中的摻鐵濃度為1-16×10¹⁸cm^-3。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電吸收調(diào)制激光器，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分和電吸收調(diào)制器部分，所述電吸收調(diào)制器部分的襯底上制作有選擇生長圖形，

所述選擇生長圖形上和激光器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長圖形區(qū)域外延生長有第一多量子阱有源區(qū)；所述激光器部分位于所述第一多量子阱有源區(qū)之上外延生長由第二多量子阱有源區(qū)，其中，所述第一多量子阱有源區(qū)和第二多量子阱有源區(qū)呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層、n型InP層、P型InP包層和P型摻雜InP歐姆接觸層，其中，所述摻鐵InP層位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底上；所述n型InP層和P型InP包層各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層和P型InP包層均按照n型InP層在下，P型InP包層在上的順序生長得到。

可選的，所述選擇生長圖形為兩條長100-300um、寬10-50um、厚度為100-300nm的介質(zhì)膜，兩條介質(zhì)膜之間的選擇生長區(qū)的寬度為10-40um。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種電吸收調(diào)制激光器的制造方法，所述制造方法包括：

在電吸收調(diào)制激光器的激光器部分或者電吸收調(diào)制器部分制作選擇生長圖形；

在襯底上生長多量子阱有源區(qū)，其中，多量子阱有源區(qū)包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層；

根據(jù)選擇生長圖形刻蝕形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括激光器部分的多量子阱有源區(qū)和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)構(gòu)成；

依次在所述臺(tái)面兩側(cè)外延摻鐵InP層和n型InP層；

在多量子阱有源區(qū)和n型InP層上沉積P型InP包層；

在所述上限制層上生成P摻雜InP歐姆接觸層。

可選的，在制作選擇生長圖形的位置是所述激光器部分時(shí)，所述在襯底上生長多量子阱有源區(qū)具體實(shí)現(xiàn)為：

在所述激光器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。

可選的，在制作選擇生長圖形的位置是所述電吸收調(diào)制部分時(shí)，所述在襯底上生長多量子阱有源區(qū)具體實(shí)現(xiàn)為：

在所述激光器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。

可選的，所述摻鐵InP層中的1-16×10¹⁸cm^-3。

本發(fā)明實(shí)施例通過在激光器部分的光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)制作選擇生長圖形或者在電吸收調(diào)制器部分中制作選擇生長圖形的方式，實(shí)現(xiàn)了一次性生長完成激光器部分和電吸收調(diào)制器部分中的多量子阱有源區(qū)，并通過在多量子阱有源區(qū)形成的臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)掩埋生長摻鐵InP層，不僅通過所述摻鐵InP層實(shí)現(xiàn)了光場限制，改善芯片的遠(yuǎn)場發(fā)散角特性；而且，摻鐵掩埋還能有效提高調(diào)制器高速頻響特性。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的實(shí)現(xiàn)比較頻響圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種電吸收調(diào)制激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種電吸收調(diào)制激光器的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電吸收調(diào)制激光器的制造流程圖。

【具體實(shí)施方式】

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“內(nèi)”、“外”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不應(yīng)當(dāng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。

此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

實(shí)施例1:

本發(fā)明實(shí)施例1提供了一種電吸收調(diào)制激光器，參考如圖1所示的結(jié)構(gòu)示意圖，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分(圖中標(biāo)識(shí)為DFB)和電吸收調(diào)制器部分(圖中標(biāo)識(shí)為EA)，如圖2所示，所述激光器部分的襯底1上刻制有光柵結(jié)構(gòu)；所述光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)制作有選擇生長圖形3(如圖3所示)。

所述選擇生長圖形上和電吸收調(diào)制器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長圖形區(qū)域外延生長有多量子阱有源區(qū)4；其中，所述多量子阱有源區(qū)4呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)，如圖4所示；

所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層5、n型InP層6、P型InP包層7和P型摻雜InP歐姆接觸層8，其中，所述摻鐵InP層5位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底1上；所述n型InP層6和P型InP包層7各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層6和P型InP包層7均按照n型InP層6在下，P型InP包層7在上的順序生長得到。

本發(fā)明實(shí)施例通過在激光器部分的光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)制作選擇生長圖形的方式，實(shí)現(xiàn)了一次性生長完成激光器部分和電吸收調(diào)制器部分中的多量子阱有源區(qū)，并通過在多量子阱有源區(qū)形成的臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)掩埋生長摻鐵InP層，不僅通過所述摻鐵InP層實(shí)現(xiàn)了光場限制，改善芯片的遠(yuǎn)場發(fā)散角特性；而且，摻鐵掩埋還能有效提高調(diào)制器高速頻響特性。

在本發(fā)明實(shí)施例中，多量子阱有源區(qū)4中的每個(gè)多量子阱有源層包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層。其中，可選的，所述InGaAsP量子阱有源層的寬為5-9nm，而壁壘的寬為10-15nm。

在本發(fā)明實(shí)施例中，存在一種優(yōu)選的選擇生長材料圖形及其相關(guān)參數(shù)的配置方案，具體的：所述選擇生長圖形為兩條長100-300um、寬10-50um、厚度為100-300nm的介質(zhì)膜，兩條介質(zhì)膜之間的選擇生長區(qū)的寬度為10-40um(在實(shí)際制作所述選擇生長材料圖形時(shí)，可以選擇SiO₂或者Si₃N₄)，則所述激光器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成，所述電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成。其中，激光器部分的多量子阱有源區(qū)的InGaAsP量子阱有源層數(shù)和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)的InGaAsP量子阱有源層數(shù)相同。

在本發(fā)明實(shí)施例中，提供了一個(gè)優(yōu)選的濃度區(qū)間，所述摻鐵InP層中的摻鐵濃度為1-16×10¹⁸cm^-3。本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種摻鐵掩埋后的一次性生長得到激光器部分和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)與普通PNPN掩埋的優(yōu)勢(shì)在于帶寬有很大提高,兩者對(duì)比數(shù)據(jù)如附圖5所示。

實(shí)施例2:

本發(fā)明實(shí)施例1僅是多種可結(jié)合所述摻鐵掩埋結(jié)構(gòu)作為特征一，以及一次性生長激光器部分和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)作為特征二的實(shí)現(xiàn)方式之一。實(shí)施例一具體在所述激光器部分設(shè)置選擇生長圖形，而本發(fā)明實(shí)施例則是在所述電吸收調(diào)制器部分設(shè)置選擇生長圖形。在本實(shí)施例2中，所述電吸收調(diào)制激光器包括激光器部分和電吸收調(diào)制器部分，所述電吸收調(diào)制器部分的襯底1b上制作有選擇生長圖形3b(如圖7所示)，

所述選擇生長圖形3b上和激光器部分中對(duì)應(yīng)延伸自所述生長圖形區(qū)域外延生長有第一多量子阱有源區(qū)4b；所述激光器部分位于所述第一多量子阱有源區(qū)4b之上外延生長由第二多量子阱有源區(qū)4c，其中，所述第一多量子阱有源區(qū)4b和第二多量子阱有源區(qū)4c呈臺(tái)面結(jié)構(gòu)；

所述激光器部分和電吸收調(diào)制器部分還包括摻鐵InP層5b、n型InP層6b、P型InP包層7b和P型摻雜InP歐姆接觸層8b，其中，所述摻鐵InP層5b位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且位于所述襯底1b上；所述n型InP層6b和P型InP包層7b各自分別位于所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并且，臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)的n型InP層6b和P型InP包層7b均按照n型InP層6b在下，P型InP包層在上的順序生長得到。

本發(fā)明實(shí)施例通過在激光器的電吸收調(diào)制器結(jié)構(gòu)的待生成多量子阱有源區(qū)區(qū)域制作選擇生長圖形的方式，實(shí)現(xiàn)了一次性生長完成激光器部分和電吸收調(diào)制器部分中的多量子阱有源區(qū)，并通過在多量子阱有源區(qū)形成的臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)掩埋生長摻鐵InP層，不僅通過所述摻鐵InP層實(shí)現(xiàn)了光場限制，改善芯片的遠(yuǎn)場發(fā)散角特性；而且，摻鐵掩埋還能有效提高調(diào)制器高速頻響特性。

在本發(fā)明實(shí)施例中，存在一種優(yōu)選的選擇生長材料圖形及其相關(guān)參數(shù)的配置方案，具體的：所述選擇生長圖形為兩條長100-300um、寬10-50um、厚度為100-300nm的介質(zhì)膜，兩條介質(zhì)膜之間的選擇生長區(qū)的寬度為10-40um(在實(shí)際制作所述選擇生長材料圖形時(shí)，可以選擇SiO₂或者Si₃N₄)，則所述電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層，所述激光器部分的多量子阱有源區(qū)具體由4-12個(gè)InGaAsP量子阱有源層構(gòu)成。

在本發(fā)明實(shí)施例中，為了達(dá)到高的消光比，所述第一多量子阱有源區(qū)4b中，位于激光器部分的和位于電吸收調(diào)制器部分的，兩者之間的波長差值一般設(shè)計(jì)在≤60nm；而位于電吸收調(diào)制器部分的第一多量子阱有源區(qū)4b和位于激光器部分的第二多量子阱有源區(qū)4c之間的波長差值則可設(shè)計(jì)在≥110nm范圍，這樣電吸收調(diào)制器的多量子阱有源層的能帶寬度遠(yuǎn)大于激光器部分的多量子阱有源層的能帶寬度，接近透明，從而大大減少了激光器部分的第一多量子阱有源區(qū)4b的光吸收；這樣的透明設(shè)計(jì)也使得激光器部分的工作電流可以首先集中注入到處于低激發(fā)能級(jí)的激光器部分的第二多量子阱有源區(qū)4c內(nèi)，從而有效降低器件的閾值電流。

實(shí)施例3:

在提出了如實(shí)施例1和實(shí)施例2所述的一種電吸收調(diào)制激光器，在本發(fā)明實(shí)施例3中進(jìn)一步提供了一種電吸收調(diào)制激光器的制造方法，可用于制造如實(shí)施例1或?qū)嵤├?所述的電吸收調(diào)制激光器。如圖8所示，所述制造方法包括以下執(zhí)行步驟：

在步驟201中，在電吸收調(diào)制激光器的激光器部分或者電吸收調(diào)制器部分制作選擇生長圖形。

其中，當(dāng)確定在激光器部分制作選擇生長圖形時(shí)，選擇生長圖形的形狀和選擇生長圖形的相關(guān)參數(shù)可以參考實(shí)施例1中的對(duì)應(yīng)選擇生長圖形3來完成；當(dāng)確定在電吸收調(diào)制器部分制作選擇生長圖形時(shí)，選擇生長圖形的形狀和選擇生長圖形的相關(guān)參數(shù)可以參考實(shí)施例2中的對(duì)應(yīng)選擇生長圖形3b來完成。而相應(yīng)的制作過程，可以通過涂敷光刻膠，并在光刻出相應(yīng)選擇生長圖形的形狀后，利用PECVD工藝沉積對(duì)應(yīng)厚度的SiO₂或者Si₃N₄，從而完成所述選擇生長圖形的制作。

在步驟202中，在襯底上生長多量子阱有源區(qū)，其中，多量子阱有源區(qū)包括至少一層InGaAsP量子阱有源層和壘層。

在本實(shí)施例中，所述多量子阱有源區(qū)的制作，通常是利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(Metal-organicChemicalVaporDeposition，簡寫為MOCVD)設(shè)備進(jìn)行外延生長實(shí)現(xiàn)，具體操作時(shí)可以使用AsH₃、TMGa/TEGa、TMIn、PH3分別作為As、Ga、In、P源。其中，對(duì)應(yīng)步驟201中選擇生長圖形所制作區(qū)域的不同，所述InGaAsP量子阱有源層在激光器部分和電吸收調(diào)制器部分的層數(shù)也會(huì)不同，具體生成層數(shù)可以參考實(shí)施例1和實(shí)施例2中所述，在此不做贅述。

在步驟203中，根據(jù)選擇生長圖形刻蝕形成臺(tái)面結(jié)構(gòu)，所述臺(tái)面結(jié)構(gòu)包括激光器部分的多量子阱有源區(qū)和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)構(gòu)成。

其中，所述電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)，在實(shí)施例1和實(shí)施例2中也被稱為電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)。在本實(shí)施例中則是從其功能角度給予更直觀的命名。

在步驟204中，依次在所述臺(tái)面兩側(cè)外延摻鐵InP層和n型InP層。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述摻鐵濃度可以根據(jù)響應(yīng)速率的不同，從區(qū)間1-16×10¹⁸cm^-3選擇合適的參數(shù)值。濃度過低會(huì)導(dǎo)致絕緣效果較差，高頻響應(yīng)帶寬不夠，過高導(dǎo)致缺陷較多，材料質(zhì)量較差。

在步驟205中，在多量子阱有源區(qū)和n型InP層上沉積P型InP包層。

在制作如圖1或圖6所示的芯片結(jié)構(gòu)中，可選的所述n型InP層的厚度為3um-4um；所述P型InP包層的厚度為2um-3um。

在步驟206中，在所述上限制層上生成P摻雜InP歐姆接觸層。

在制作如圖1或圖6所示的芯片結(jié)構(gòu)中，可選的所述P摻雜InP歐姆接觸層的厚度為0.5um-1um。

本發(fā)明實(shí)施例通過在激光器部分的光柵結(jié)構(gòu)的兩側(cè)或者在電吸收調(diào)制器部分制作選擇生長圖形的方式，實(shí)現(xiàn)了一次性生長完成激光器部分和電吸收調(diào)制器部分中的多量子阱有源區(qū)，并通過在多量子阱有源區(qū)形成的臺(tái)面結(jié)構(gòu)兩側(cè)掩埋生長摻鐵InP層，不僅通過所述摻鐵InP層實(shí)現(xiàn)了光場限制，改善芯片的遠(yuǎn)場發(fā)散角特性；而且，摻鐵掩埋還能有效提高調(diào)制器高速頻響特性。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，若在步驟201中確定制作選擇生長圖形的位置是激光器部分時(shí)，在步驟202中執(zhí)行的在襯底上生長多量子阱有源區(qū)，具體操作為：在所述激光器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。其中，激光器部分的多量子阱有源區(qū)的InGaAsP量子阱有源層數(shù)和電吸收調(diào)制器部分的多量子阱有源區(qū)的InGaAsP量子阱有源層數(shù)相同。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，若在步驟201中確定制作選擇生長圖形的位置是電吸收調(diào)制器部分時(shí)，在步驟202中執(zhí)行的在襯底上生長多量子阱有源區(qū)，具體操作為：在所述激光器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層，在所述電吸收調(diào)制器部分生長4-12個(gè)數(shù)的InGaAsP量子阱有源層。

結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例，在利用不同的材料的襯底和/或摻雜的InP層進(jìn)行電吸收調(diào)制激光器制作時(shí)，可選的，在襯底上生長多量子阱有源區(qū)之前，所述方法還包括：

在所述光柵層之上生長上限制層；其中，所述多量子阱有源區(qū)生長在所述上限制層之上。還可以在所述光柵層與所述上限制層之間生長緩存層等。

值得說明的是，上述裝置和系統(tǒng)內(nèi)的模塊、單元之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明的處理方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以包括：只讀存儲(chǔ)器(ROM，Read Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM，Random Access Memory)、磁盤或光盤等。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。