本發(fā)明涉及一種微發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種微發(fā)光二極管陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)：

平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺式計算機(jī)等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

微發(fā)光二極管(Micro LED，μLED)顯示器是一種以在一個基板上集成的高密度微小尺寸的LED陣列作為顯示像素來實現(xiàn)圖像顯示的顯示器，同大尺寸的戶外LED顯示屏一樣，每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，μLED顯示器和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)顯示器一樣屬于自發(fā)光顯示器，但μLED顯示器相比OLED顯示器還具有材料穩(wěn)定性更好、壽命更長、無影像烙印等優(yōu)點，被認(rèn)為是OLED顯示器的最大競爭對手。

目前微發(fā)光二極管顯示陣列示設(shè)計在驅(qū)動陣列上方的微發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，通過正負(fù)電極欲驅(qū)動陣列的導(dǎo)通連接，以TFT陣列控制每個像素的微發(fā)光二極管的開關(guān)和亮度，通過TFT驅(qū)動顯示單元已經(jīng)成為主流的電流控制技術(shù)，這種薄膜晶體管通過柵極控制，在源極/漏極之間形成電流溝道，從而使子像素存儲電容被充電來保持液晶的持續(xù)式(Holdtype)顯示模式；而微發(fā)光二極管陣列由于其微米尺度，當(dāng)為了達(dá)到高像素數(shù)目(PPI)顯示時，會導(dǎo)致微發(fā)光二極管的密度極高，使得其存在散熱不通暢的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種微發(fā)光二極管陣列基板及顯示面板，從而提高散熱能力。

本發(fā)明提供了一種微發(fā)光二極管陣列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上依次形成有柵極、絕緣層，在絕緣層上形成有半導(dǎo)體層以及像素電極，在半導(dǎo)體層上設(shè)有源極、漏極，所述漏極與相鄰的像素電極連接，在像素電極上覆蓋有一層第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層上連接有微發(fā)光二極管。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電層由石墨烯材料制成。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電層由碳納米管材料制成。

進(jìn)一步地，所述微發(fā)光二極管的管腳處與第一導(dǎo)電層之間設(shè)有金屬凸起部，微發(fā)光二極管的管腳經(jīng)金屬凸起部與第一導(dǎo)電層連接導(dǎo)通。

進(jìn)一步地，所述金屬凸起部的截面形狀為梯形。

進(jìn)一步地，所述金屬凸起部外覆蓋有石墨烯層。

進(jìn)一步地，所述源極以及漏極上覆蓋有一層第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層與設(shè)置在漏極相鄰的像素電極上的這部分第一導(dǎo)電層連接。

進(jìn)一步地，所述第二導(dǎo)電層由石墨烯材料制成。

進(jìn)一步地，所述第一導(dǎo)電層通過等離子體增強(qiáng)氣相沉積制程將石墨烯覆蓋在像素電極上并且與像素電極的圖形重疊形成石墨烯膜得到。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括CF基板，還包括所述的微發(fā)光二極管陣列基板。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過在像素電極與微發(fā)光二極管之間覆蓋一層導(dǎo)電層，使得微發(fā)光二極管處的熱量能夠經(jīng)導(dǎo)電層傳導(dǎo)至其他區(qū)域，從而提高散熱能力。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第一種微發(fā)光二極管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的第二種微發(fā)光二極管陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

如圖1所示，本發(fā)明的第一種微發(fā)光二極管陣列基板，包括玻璃基板1，在玻璃基板1上采用現(xiàn)有技術(shù)依次形成有柵極2、絕緣層3，在絕緣層3上形成有半導(dǎo)體層4以及像素電極5，在半導(dǎo)體層4上設(shè)有源極6、漏極7，所述漏極7與相鄰的像素電極5連接，在像素電極5上覆蓋有一層第一導(dǎo)電層8，第一導(dǎo)電層8上連接有微發(fā)光二極管9；在微發(fā)光二極管9的管腳處與第一導(dǎo)電層8之間設(shè)有金屬凸起部10，微發(fā)光二極管9的管腳經(jīng)金屬凸起部10與第一導(dǎo)電層8連接導(dǎo)通。

在第一種微發(fā)光二極管陣列基板中，第一導(dǎo)電層8可由石墨烯材料或碳納米管(CNT)制成，最好為石墨烯材料，石墨烯不僅具有較好的導(dǎo)電能力，同時具有優(yōu)秀的導(dǎo)熱能力，可以有效地講較大密度排布的微發(fā)光二極管9和較大電流密度下的局部區(qū)域熱能傳遞到周邊溫度較低區(qū)域，這樣能夠提高整個顯示面板的散熱能力。

所述第一導(dǎo)電層8通過等離子體增強(qiáng)氣相沉積制程將石墨烯覆蓋在像素電極5上并且與像素電極5的圖形重疊形成石墨烯膜得到。

在金屬凸起部10外可覆蓋有石墨烯層12；金屬凸起部10的截面形狀為梯形。

如圖2所示，在第一種微發(fā)光二極管陣列基板的基礎(chǔ)上，在源極6以及漏極7上也覆蓋有一層第二導(dǎo)電層11，第二導(dǎo)電層11與設(shè)置在漏極7相鄰的像素電極5上的這部分第一導(dǎo)電層8連接；第二導(dǎo)電層11由石墨烯材料制成，通過在源極6、漏極7以及像素電極5上都覆蓋導(dǎo)電層，進(jìn)一步提高散熱能力。

本發(fā)明在源極6、漏極7以及像素電極5上覆蓋導(dǎo)電層可以提高散熱能力外，還可以保護(hù)源極6、漏極7以及像素電極5不受到環(huán)境腐蝕以及氧化問題，從而保障器件性能。

本發(fā)明中除了對微發(fā)光二極管陣列基板設(shè)置導(dǎo)電層外，其余部分均與現(xiàn)有技術(shù)的TFT器件相同，其中的源極6、漏極7、像素電極5、柵極2可采用Al/Mo/Cu/Mg/Ag/Ti中的一種以上，像素電極5還可以采用ITO(銦錫氧化物半導(dǎo)體導(dǎo)電膜)和Sn及Sn的合金材料；半導(dǎo)體層4可以為非晶硅或多晶硅，其與形成源極6和漏極7的金屬層可以疊加n+/p+摻雜層。

上述的兩種微發(fā)光二極管陣列基板的結(jié)構(gòu)還可以用于頂柵結(jié)構(gòu)的TFT器件中，同樣通過漏極與像素電極相連，從而控制通過微發(fā)光二極管的電流。

本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括CF(彩色濾光片)基板，還包括上述的微發(fā)光二極管陣列基板，在此不再贅述。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種變化。