1.一種LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，其特征在于，依次包括：
處理襯底、生長(zhǎng)低溫GaN成核層、生長(zhǎng)高溫GaN緩沖層、生長(zhǎng)非摻雜的u-GaN層、生長(zhǎng)摻雜Si的n-GaN層、生長(zhǎng)多周期量子阱MQW發(fā)光層、生長(zhǎng)P型AlGaN層、生長(zhǎng)低溫P型GaN層/溫度漸變非摻雜GaN層/高溫P型GaN層三段式結(jié)構(gòu)的GaN層、生長(zhǎng)Mg:InGaN/GaN/Si:InGaN接觸層、降溫冷卻，
所述低溫P型GaN層/溫度漸變非摻雜GaN層/高溫P型GaN層三段式結(jié)構(gòu)的GaN層的生長(zhǎng)方法如下：
先進(jìn)行低溫P型GaN層生長(zhǎng)，生長(zhǎng)厚度為10nm-100nm，生長(zhǎng)溫度為700℃-800℃，通入TMGa和Cp2Mg作為MO源，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm3-1E21atoms/cm3；
再進(jìn)行溫度漸變非摻雜GaN層生長(zhǎng)，該過(guò)程不通入Cp2Mg，生長(zhǎng)厚度為10nm-50nm，生長(zhǎng)溫度為由低溫P型GaN溫度漸變?yōu)楦邷豍型GaN溫度；
最后進(jìn)行高溫P型GaN層生長(zhǎng)，生長(zhǎng)厚度為10nm-100nm，生長(zhǎng)溫度為900℃-1000℃，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm3-1E21atoms/cm3；
所述低溫P型GaN層、溫度漸變非摻雜GaN層、高溫P型GaN層的生長(zhǎng)壓力均為100Torr-500Torr。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，其特征在于，
所述處理襯底，具體為：
將藍(lán)寶石襯底在H2氣氛里進(jìn)行退火，清潔襯底表面，溫度為1050℃-1150℃；
所述生長(zhǎng)低溫GaN成核層，具體為：
降低溫度至500℃-620℃，保持反應(yīng)腔壓力400Torr-650Torr，通入NH3和TMGa，生長(zhǎng)厚度為20nm-40nm的低溫GaN成核層；
所述生長(zhǎng)高溫GaN緩沖層，具體為：
在所述低溫GaN成核層生長(zhǎng)結(jié)束后，停止通入TMGa，進(jìn)行原位退火處理，將退火溫度升高至1000℃-1100℃，退火時(shí)間為5min-10min；退火完成后，將溫度調(diào)節(jié)至900℃-1050℃，生長(zhǎng)壓力控制為400Torr-650Torr，繼續(xù)通入TMGa，外延生長(zhǎng)厚度為0.2μm-1μm的高溫GaN緩沖層；
所述生長(zhǎng)非摻雜的u-GaN層，具體為：
在所述高溫GaN緩沖層生長(zhǎng)結(jié)束后，升高溫度到1050℃-1200℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，通入NH3和TMGa，持續(xù)生長(zhǎng)厚度為1μm-3μm的非摻雜u-GaN層；
所述生長(zhǎng)摻雜Si的n-GaN層，具體為：
在所述非摻雜的u-GaN層生長(zhǎng)結(jié)束后，通入NH3、TMGa和SiH4，先生長(zhǎng)一層摻雜Si濃度穩(wěn)定的n-GaN層，厚度為2um-4um，生長(zhǎng)溫度為1050-℃1200℃，生長(zhǎng)壓力為100Torr-600Torr，其中，Si摻雜濃度為8E18atoms/cm3-2E19atoms/cm3；
所述生長(zhǎng)多周期量子阱MQW發(fā)光層，具體為：
在所述非摻雜的u-GaN層生長(zhǎng)結(jié)束后，通入TEGa、TMIn和SiH4作為MO源，發(fā)光層多量子阱由5-15個(gè)周期的InyGa1-yN/GaN阱壘結(jié)構(gòu)組成，具體為：
保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr、溫度700℃-800℃，生長(zhǎng)摻雜In的厚度為2nm-5nm的InyGa1-yN量子阱層，y＝0.1-0.3；
接著升高溫度至800℃-950℃，保持反應(yīng)腔壓力100Torr-500Torr，生長(zhǎng)厚度為8nm-15nm的GaN壘層，其中，Si摻雜濃度為8E16atoms/cm3-6E17atoms/cm3，
重復(fù)InyGa1-yN量子阱層的生長(zhǎng)，然后重復(fù)GaN壘層的生長(zhǎng)，交替生長(zhǎng)InyGa1-yN/GaN發(fā)光層，控制周期數(shù)為5-15個(gè)；
所述生長(zhǎng)P型AlGaN層，具體為：
在所述多周期量子阱MQW發(fā)光層生長(zhǎng)結(jié)束后，保持反應(yīng)腔壓力20Torr-200Torr、溫度900℃-1100℃，通入TMAl、TMGa和Cp2Mg作為MO源，持續(xù)生長(zhǎng)厚度為50nm-200nm的P型AlGaN層，生長(zhǎng)時(shí)間為3min-10min，其中Al的摩爾組分為10％-30％，Mg摻雜濃度為1E18atoms/cm3-1E21atoms/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，其特征在于，
所述Mg:InGaN/GaN/Si:InGaN接觸層，具體為：
先生長(zhǎng)P型InGaN層(Mg:InGaN)，所用MO源或氣體分別為T(mén)EGa、TMIn和Cp2Mg，In組分為3％-30％，Mg摻雜濃度為1E19atoms/cm3-1E22atoms/cm3，生長(zhǎng)厚度為1nm-10nm；
再生長(zhǎng)GaN層，所用MO源或氣體為T(mén)EGa，生長(zhǎng)厚度為0.5nm-10nm；
最后生長(zhǎng)n型InGaN層(Si:InGaN)，所用MO源或氣體分別為T(mén)EGa、TMIn和SiH4，In組分為3％-30％，Si摻雜濃度為1E19atoms/cm3-1E22atoms/cm3，生長(zhǎng)厚度為1nm-10nm；
所述Mg:InGaN/GaN/Si:InGaN接觸層的生長(zhǎng)壓力均為100Torr-500Torr，生長(zhǎng)溫度均為700℃-1000℃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種LED外延結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)方法，其特征在于，
所述降溫冷卻，具體為：
外延生長(zhǎng)結(jié)束后，將反應(yīng)室的溫度降低至650℃-800℃，采用純N2氛圍進(jìn)行退火處理5min-10min，然后將至室溫，結(jié)束生長(zhǎng)。
5.一種LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：在厚度方向上依次包括襯底、低溫GaN成核層、高溫GaN緩沖層、非摻雜的u-GaN層、摻雜Si的n-GaN層、多周期量子阱MQW發(fā)光層、P型AlGaN層、依次生長(zhǎng)的低溫P型GaN層/溫度漸變非摻雜GaN層/高溫P型GaN層三段式結(jié)構(gòu)的GaN層以及依次生長(zhǎng)的Mg:InGaN/GaN/Si:InGaN接觸層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述低溫GaN成核層的厚度為20nm-40nm、高溫GaN緩沖層的厚度為0.2um-1um、非摻雜的u-GaN層的厚度為1um-3um、摻雜Si的n-GaN層的厚度為2um-4um、多周期量子阱MQW發(fā)光層的厚度為50nm-300nm、P型AlGaN層50nm-200nm、高溫P型GaN層的厚度為100nm-800nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述低溫P型GaN層/溫度漸變非摻雜GaN層/高溫P型GaN層三段式結(jié)構(gòu)的GaN層中，低溫P型GaN層的生長(zhǎng)厚度為10nm-100nm；溫度漸變非摻雜GaN層的生長(zhǎng)厚度為10nm-50nm；高溫P型GaN層的生長(zhǎng)厚度為10nm-100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的LED外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Mg:InGaN/GaN/Si:InGaN接觸層中，P型InGaN層，即Mg:InGaN的生長(zhǎng)厚度為1nm-10nm；GaN層的生長(zhǎng)厚度為0.5nm-10nm；n型InGaN層，即Si:InGaN的生長(zhǎng)厚度為1nm-10nm。