本發(fā)明屬于LED芯片
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是一種背裂式裂片方法。
背景技術(shù)：
：LED芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試→分選→外觀測(cè)試→打標(biāo)入庫。外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜的，在展完外延片后，下一步就開始對(duì)LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開始用激光機(jī)切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀)，制造成芯片后。1、主要對(duì)電壓、波長、亮度進(jìn)行測(cè)試，能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。2、晶圓切割成芯片后，100％的目檢(VI/VC)，操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。3、接著使用全自動(dòng)分類機(jī)根據(jù)不同的電壓，波長，亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類。4、最后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心，藍(lán)膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上，附在蠟光紙的背面。藍(lán)膜上的芯片將做最后的目檢測(cè)試與第一次目檢標(biāo)準(zhǔn)相同，確保芯片排列整齊和質(zhì)量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場(chǎng)上統(tǒng)稱方片)。晶圓經(jīng)過切割后，并未完全分開。需要經(jīng)過劃片后的晶圓上覆蓋一層玻璃紙，然后白膜向上，玻璃紙向下，放入裂片機(jī)臺(tái)，進(jìn)行裂片。為了更好的提升光提取效率，背鍍DBR層數(shù)由30層，提升到了48層。使用傳統(tǒng)的正裂方法，機(jī)臺(tái)CCD收集到的光強(qiáng)較暗，出現(xiàn)很多無法識(shí)別芯片模板的現(xiàn)象，導(dǎo)致無法作業(yè)，故，嘗試采用背裂方式完成裂片作業(yè)。裂片時(shí)CCD處于載臺(tái)下方，IR光源和劈刀處于載臺(tái)上方，通常將芯片正面朝上放入載臺(tái)上(正裂位)。48層DBR反射光譜帶寬約為400～850nm，而IR光源波長約為810nm。正裂時(shí)，IR光依次穿過SPV224白膜、SiO2、ITO、外延層、藍(lán)寶石襯底層、DBR(布拉格反射層為Ti3O5和SiO2的高低折射率層疊加的ABAB…結(jié)構(gòu)的增反膜)和PET膜，記作“光程1”，最后被CCD接收信號(hào)，IR光穿過DBR時(shí)，光強(qiáng)損失較為嚴(yán)重。帶寬約為810nmIR光難以從正面穿透DBR層。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種背裂式裂片方法，其包括以下步驟：將芯片通過背裂位放入機(jī)臺(tái)的載臺(tái)，IR光依次穿射PET膜、DBR、藍(lán)寶石襯底層、外延層ITO、SiO2、SPV224白膜；通過CCD獲取芯片的模板圖像，進(jìn)行模板圖像保存時(shí)，背面圖像相對(duì)亮一些，達(dá)到機(jī)臺(tái)所要求的灰階，保存模板圖像，并完成建檔；將IR光經(jīng)過DBR背面穿過，DBR失去增強(qiáng)型反射膜的效果，光強(qiáng)損失減少，CCD接收到的光強(qiáng)相對(duì)較強(qiáng)，達(dá)到機(jī)臺(tái)識(shí)別模板的灰度要求，通過劈刀完成劈裂作業(yè)。本發(fā)明具有以下有益效果：1.裂片作業(yè)方面：背裂方式可以緩解由于科技日新月異，DBR增厚等方面給老機(jī)臺(tái)帶來無法作業(yè)的壓力，成功完成裂片作業(yè)；此外，對(duì)于芯片IR良率和AOI良率均未產(chǎn)生不良影響；2.建檔方面：由于光源較弱，無法滿足機(jī)臺(tái)灰階要求，正裂位芯片無法完成建檔所需的模板圖像保存，而背裂位可以輕松完成參數(shù)檔建立；3.選取背裂方式作業(yè)的芯片，擴(kuò)張后，觀察效果顯微圖，外觀良好，參數(shù)經(jīng)過仔細(xì)優(yōu)化后，較少出現(xiàn)崩邊和裂碎等不良現(xiàn)象；4.裂片速度上，并未更改馬達(dá)速度，粗對(duì)和精對(duì)刀數(shù)，故對(duì)裂片速度并未有影響。當(dāng)然，實(shí)施本發(fā)明的任一產(chǎn)品并不一定需要同時(shí)達(dá)到以上所述的所有優(yōu)點(diǎn)。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例選取48層DBR芯片，由于機(jī)臺(tái)原因，裂片機(jī)臺(tái)難以觀測(cè)到芯片版圖，故此無法完成裂片作業(yè)，故此，采用背裂方式作業(yè)。以48層DBR30BC為例：裂片時(shí)，光源調(diào)制最大。分別進(jìn)行30BC48層DBR芯片參數(shù)檔建立；正裂、背裂方式的裂片作業(yè)；并分析芯片外觀、點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)和AOI數(shù)據(jù)。30BC48層DBR芯片參數(shù)檔建立：裂片機(jī)臺(tái)參數(shù)檔的建立時(shí)根據(jù)模板圖像的灰階進(jìn)行抓圖比對(duì)的，當(dāng)載入圖像過暗時(shí)，灰階無法達(dá)到機(jī)臺(tái)要求，不能保存模板圖像，將無法完成建檔。正裂位放入機(jī)臺(tái)，當(dāng)進(jìn)行模板圖像保存時(shí)，正面圖像偏暗，無法達(dá)到機(jī)臺(tái)所要求的灰階，無法保存模板圖像。故建檔失敗；背裂位放入機(jī)臺(tái)，進(jìn)行模板圖像保存時(shí)，背面圖像相對(duì)亮一些，達(dá)到機(jī)臺(tái)所要求的灰階，可以保存模板圖像，故建檔成功。采用背裂方式時(shí)，將芯片通過背裂位放入機(jī)臺(tái)的載臺(tái)，通過CCD獲取芯片的模板圖像，進(jìn)行模板圖像保存時(shí)，背面圖像相對(duì)亮一些，達(dá)到機(jī)臺(tái)所要求的灰階，保存模板圖像，并完成建檔；將IR光經(jīng)過DBR背面穿過，IR光依次穿射PET膜、DBR、藍(lán)寶石襯底層、外延層ITO、SiO2、SPV224白膜，DBR失去增強(qiáng)型反射膜的效果，光強(qiáng)損失減少，CCD接收到的光強(qiáng)相對(duì)較強(qiáng)，達(dá)到機(jī)臺(tái)識(shí)別模板的灰度要求，通過劈刀完成劈裂作業(yè)。芯片外觀、點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)和AOI數(shù)據(jù)：優(yōu)化參數(shù)后，30BC裂片效果，裂片外觀良好，較少未出現(xiàn)崩邊或裂碎等現(xiàn)象出現(xiàn)。如表1所示，IR良率范圍在95.94～97.32之間，IR良率平均值為96.62；AOI良率范圍在94.74％～97.95％，AOI良率平均值為96.44；MESA良率也屬于正常范圍。sWaferIDiTotalQtyfIrYield片號(hào)OK數(shù)量(％)MESA線(％)C05922W30BC23001942196.82C05922W30BC2300196.351.41C05922W30BC23002946096.56C05922W30BC2300295.91.18C05922W30BC23003951596.72C05922W30BC2300396.660.96C05922W30BC23004947297.23C05922W30BC2300496.251.43C05922W30BC23005948995.98C05922W30BC2300594.781.53C05922W30BC23006951095.49C05922W30BC2300697.080.97C05922W30BC23007946897.53C05922W30BC2300797.710.93C05922W30BC23008950696.91C05922W30BC2300896.670.63C05922W30BC23009948197.39C05922W30BC2300996.990.55C05922W30BC23010942396.89C05922W30BC2301097.630.63C05922W30BC23011948396.25C05922W30BC2301196.530.5C05922W30BC23012939897.21C05922W30BC2301297.950.45C05922W30BC23013939797.31C05922W30BC23013951.77C05922W30BC23014943597.32C05922W30BC2301495.530.98C05922W30BC23015922497.18C05922W30BC2301596.90.49C05922W30BC23016942596.93C05922W30BC2301695.861.04C05922W30BC23017945596.66C05922W30BC2301796.150.53C05922W30BC23018946796.44C05922W30BC2301896.590.99C05922W30BC23019946296.77C05922W30BC2301996.411C05922W30BC23020945496.32C05922W30BC2302096.990.45C05922W30BC23021943196.87C05922W30BC2302194.741.26C05922W30BC23022947496.37C05922W30BC2302297.020.94C05922W30BC23023944094.94C05922W30BC2302397.160.78C05922W30BC23024961595.83C05922W30BC2302496.421.52C05922W30BC23025947595.66C05922W30BC2302595.662.12表1本發(fā)明具有以下有益效果：1.裂片作業(yè)方面：背裂方式可以緩解由于科技日新月異，DBR增厚等方面給老機(jī)臺(tái)帶來無法作業(yè)的壓力，成功完成裂片作業(yè)；此外，對(duì)于芯片IR良率和AOI良率均未產(chǎn)生不良影響；2.建檔方面：由于光源較弱，無法滿足機(jī)臺(tái)灰階要求，正裂位芯片無法完成建檔所需的模板圖像保存，而背裂位可以輕松完成參數(shù)檔建立；3.選取背裂方式作業(yè)的芯片，擴(kuò)張后，觀察效果顯微圖，外觀良好，參數(shù)經(jīng)過仔細(xì)優(yōu)化后，較少出現(xiàn)崩邊和裂碎等不良現(xiàn)象；4.裂片速度上，并未更改馬達(dá)速度，粗對(duì)和精對(duì)刀數(shù)，故對(duì)裂片速度并未有影響。以上公開的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例只是用于幫助闡述本發(fā)明。優(yōu)選實(shí)施例并沒有詳盡敘述所有的細(xì)節(jié)，也不限制該發(fā)明僅為所述的具體實(shí)施方式。顯然，根據(jù)本說明書的內(nèi)容，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實(shí)施例，是為了更好地解釋本發(fā)明的原理和實(shí)際應(yīng)用，從而使所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
技術(shù)人員能很好地理解和利用本發(fā)明。本發(fā)明僅受權(quán)利要求書及其全部范圍和等效物的限制。當(dāng)前第1頁1 2 3